分米波场效应管混合集成放大器的研制

本文根据分米波段(P、L、S波段)FET(场效应管)放大器的特性,讨论了用λg/16切比雪夫阻抗变换器做匹配电路的方法和级联电路取消阻抗变换器的匹配技术,使分米波段FET混合集成放大器的构成更加紧凑,电路性能易于调整。本文利用所讨论的方法研制了一个3千兆赫FET混合集成放大器,效果良好。     

基于神经网络的宽带阻抗变换器优化技术

提出了利用神经网络研究微波电路优化技术这样一种新的设计方法。采用神经网 络中经典的BP学习算法设计出宽带三阶阶梯阻抗变换器,同时为了克服神经网络对复数训 练无法降低误差的缺点,巧妙地运用了将负载阻抗变换到波腹点处使阻抗为实数,训练得到最 佳结果后再变回到负载阻抗位置这一方法,最后通过对定宽度,定长度,λ/4三种阻抗变换器 的比较,证明BP学习算法设计出的定长度三阶阶梯阻抗变换器的优越性能。     

12GHz低噪声MMIC放大器

<正>据《Semicon.NEWs》1989年第8期报道,日本三菱电机株式会社光微波器件研究所现已研制成在12GHz下噪声系数为1.58dB,增益29dB的世界最高性能的低噪声MMIC放大器.该放大器采用具有均匀性、重复性好的自对准多层金属栅结构超低噪声GaAs FET工艺,并使噪声和阻抗的匹配电路开始单片化.与以前采用凹槽型的GaAs FET放大器相比,性     

一种Ku波段低噪声放大器的设计

基于ADS和HFSS电磁仿真软件,设计了一种Ku波段低噪声放大器。放大器包含波导-微带转换单元和低噪声放大器两部分。波导-微带转换单元采用体积小,性能优良的微带探针型过渡,为提高转换性能和带宽,采用二阶λ/4阻抗变换结构来实现50Ω微带线与微带探针之间的阻抗匹配。低噪声放大器选用CDK公司生产的具有超低噪声和高增益的FET器件CKRF7512CK24晶体管,采用偏置电路、最小噪声匹配及最大输出增益匹配相结合的方案,实现了低噪声和高增益。实测结果表明,在11.5GHz～13.5GHz的频率范围内,该低噪声放大器的输入输出回波损耗均小于-10dB,噪声系数小于0.8dB。     

微波功率场效应晶体管放大器的实验研究

本文阐述了微波功率场效应晶体管(FET)放大器的设计基础──动态阻抗测量法和S参数测量法。输入榆出匹配电路是采用电感输入型低通滤波阻抗变换器;介绍了FET功率放大器(以下简称功效)的调试要点、保护电路和消除寄生振荡的方法;最后给出国产BD4001型FET的设计实例。用微带工艺在30×50×1mm陶瓷基片上制作的E波段功放,获得了与计算结果吻合的实验数据,并已作为FET功放的第一级运用于某型雷达,获得了良好的结果。     

多节λ/4阻抗变换器的频率特性与变换比

多节λ/4阻抗变换器是微波工程中一种常用的匹配元件,能很好地改善频率特性,且变换比不同,改善的程度也不同,但一般教材却没有详细分析这一结论,容易引起读者的困惑。基于此,对两节λ/4阻抗变换器的频率特性与变换比进行了理论推导与仿真分析,在验证其频率特性的同时,还找到一仅与负载有关的最佳变换比使得多节λ/4阻抗变换器具有最佳频率特性,为宽带阻抗变换器的快速设计提供依据。     

宽带低噪声MESFET放大器的简化噪声模型和设计

本文的目的是发展一种建立在低噪声 FET 放大器基础上的设计理论。它不是一个 GaAsFET 噪声机理的基本模型。或者说,是试图从物理上建立可测量的器件电容和电阻与器件噪声系数和最佳噪声源阻抗的关系。将要表明,FET 的噪声性能可以由两个无关的噪声源充分地描述。一个是在 FET 的输入端,它是栅-源回路中各种电阻产生的热噪声,这个噪声源与频率有关,并且它可由 FET 的等效电路计算。第二个噪声源在FET 的输出端,它与频率无关,并且对于任何测量参数没有公认的关系。此输出噪声是漏电流和漏电压的函数。FET 的噪声分解为两个无关的噪声源简化了宽带低噪声放大器的设计。只要器件在某一频率的等效电路及其噪声系数已知,则任一频率的最佳噪声源阻抗和噪声系数就可被计算。对于器件设计者,这一模型可以有助于均衡输入输出噪声的折衷。提供了宽带 GaAs FET 放大器的例子,以说明本文提出的简化噪声理论的应用。     

MOS/双极型复合功率管的应用

MOS/双极型复合功率管的出现,使双极型功率晶体管的高输入阻抗成为现实.MOS/双极型复合功率管利用MOS器件与双极型器件的各自特点,采用MOS与双极型器件以达林顿形式组合成复合功率管,具有高输入阻抗,低输入驱动,高跨导,低导通阻抗,大电流特性好等优点.《PMOS/     

50K场效应晶体管放大器

<正> 随着GaAs MESFET噪声性能的改善,低噪声FET放大器的性能也大幅度提高。目前,4GHz频段、60—70K低噪声FET放大器已商品化,主要的研究方向是进一步改善放大器的噪声性能。 除了对放大器本身进行精心设计外,由于FET的噪声系数随其工作温度的降低而减小,所以采用热电制冷技术可获得比常温下更佳的噪声性能。 在低噪声FET放大器电路中,前级输入匹配电路是放大器电路设计的关键。当然,作为一个多级FET放大器,必须对输入级进行最小噪声量度匹配调试。三级FET放大器采用单电源馈电方式。为减小级间电路的损耗,级间耦合采用了直接耦合,并对级间的输入输出进行了直接匹配连接。     

DS1频道短变阻器的设计

本文简要介绍了四支节λ0/16短阶梯阻抗变换器设计方法,对四支节λ0/16短阶梯阻抗变换器和2支节λ0/4阶梯阻抗变换器的进行比较,分析如何在保证电气指标的基础上,降低制造成本.     

传输线变压器相位补偿技术及其应用

传输线变压器是在短波和超短波频段使用广泛的重要器件,根据传输线变压器原理设计制造的器件具有结构紧凑、功率容量大、频带宽、损耗小等优点.该文研究了利用慢波线原理和相位补偿技术克服传输线变压器对于传输线电长度的限制,使其适用频率向s波段以上扩展的方法.文中给出了1:4阻抗变换器电路的传输损耗和高低端输入阻抗理论公式并对其进行了讨论.对所设计的S波段1:4阻抗变换器及功率合成器进行了仿真分析并设计制作了实物.仿真和实测结果表明,利用慢波线原理和相位补偿后的传输线变压器能够适用s波段及以上微波器件.     

RF-LDMOS射频功率器件内匹配电路设计

介绍了一种RF-LDMOS功率器件内匹配电路的设计方法.首先通过ADS/De-Embed提取管芯的S参数,得到其输入阻抗;然后建立LC内匹配电路,确定电容值、电感值以及提升的目标阻抗值;最后在HFSS中建立金丝键合线模型,确定金丝键合线的长度及根数,完成内匹配电路的设计.该内匹配电路设计的目的是将管芯的输入阻抗提升为较大的阻值,使得在PCB上进行外匹配设计更为方便.设计仿真结果表明,通过在管壳内加入合适的内匹配电路,在目标频率1.2GHz时,将管芯的输入阻抗从0.8 Ω提升到12.4Ω,S11小于-46 dB,符合设计要求.为LDMOS功率器件设计者提供了一种有效的内匹配设计方法.     

传输线的λ/4阻抗变换特性分析

在"微波技术与天线"课程教学中,传输线λ/4阻抗变换性是一个重要的知识点。课堂讲授中运用该特性对传输线阻抗一般做出定性结论,本文通过三种常用的传输线分析方法,对于终端负载为ZL,距离负载λ/4处的输入阻抗做了定量分析,用以直观解决这个教学难点。     

4GHz低噪声GaAs FET和80K FET放大器

<正>为进一步满足国内卫星通信事业发展的需要,使FET低噪声放大器的性能赶上世界先进水平,南京固体器件研究所正抓紧FET及其放大器的研究,最近又取得了新的进展.用该所研制的FET组装的4GHz放大器样机主要性能如下:     

太赫兹平面天线的设计

天线与太赫兹检测器的匹配网络是集成天线与太赫兹检测器的核心。针对低阻抗太赫兹检测器,在650 GHz设计了输入阻抗为7 Ω的平面U型天线和接有λg/4匹配器的蝶形天线,以及输入阻抗为50 Ω的平面对数天线和平面对数正弦天线。检测器的直流偏置电路会使天线上的高频能量通过该偏置回路漏出,故在偏置线上应用带隙结构形成低通滤波器。仿真了该滤波器的相关参数及接入位置,使得高频下天线不受超导检测器偏置回路的影响。     

调频无线电广播接收机原理(三)

三、中频放大器 中频放大器是调频接收机的最重要部分,因为它确定了整机增益的大部分及获得必要的选择性。中放的增益,是由高频头增益及使限幅作用开始有效的电平等所确定的,若高频头输入电压e≈1.5μV,检波变压器输入电压E_(io)=10V(峰值),则整个调频机总增益G=(E(io)~2/R_D)/(e_g~2/4R_g),式中R_g为天线回路的信号源阻抗,R_D为检波变压器的输入阻抗,这     

有源滤波器之四:获得理想负阻抗变换器的途径

用接到RC网络的负阻抗变换器(NIC)产生的传递函数设计滤波器时,往往假定NIC是理想的。这种假定并不是不可实现的,因为目前已有好几种电路具有接近于理想NIC的特性。 NIC是一种两对端头器件,在理想情况下,其输入阻抗是输出端阻抗的负值。这来源于电流或电压的反相。 NIC使电流方向与无源阻容网络的正常电流方向相反,但又不影响输入和输出电压的极性。例如,如果输出电压E_2和输入电压E_1的极性相同,当电流I_2从负载阻抗为     

低噪声GaAs MESFET有源层的Si~+注入

本文叙述了用Si~+注入GaAs形成低噪声MESFET有源层的初步实验结果.获得了峰值载流子浓度为1～2×10(17)cm~(-3)、在交界面处迁移率≥3000cm~2/V·s的有源层,制出了在2GHz下NF为0.9dB、G_a为14.5dB的双栅FET和9.5GHz下NF为2.0dB、G_a为9.5dB的单栅FET.实验结果表明,采用Si~+注入沟道的器件达到了汽相外延器件的最佳性能,某些参数超过了汽相外延器件.     

声表面波器件输入及输出负载阻抗匹配研究

针对声表面波器件测量中网络分析仪的负载阻抗与射频传输线特性阻抗不匹配,导致传输线上反射波幅值较大的问题,提出一种减少传输线上反射波的负载阻抗匹配系统与方案。负载阻抗匹配方案针对声表面波器件测量中输入与输出端分别设计不同的无源负载阻抗匹配网络,使输入输出端同时达到匹配状态。负载阻抗匹配系统集成了未匹配通道与匹配通道,根据负载阻抗不同调整匹配参数。对一个中心频率为101.764MHz,带宽为30MHz的声表面波器件使用该匹配方案前后中心频率处的衰减进行测量对比,实验结果表明采用该匹配方案后在中心频率点处输入及输出反射损耗分别为-49.36dB和-38.13dB,比未采用匹配方案时分别减少了44.99dB和29.44dB。     

ADC模拟输入阻抗测试及窄带网络匹配技术

讨论了高速流水线ADC模拟输入前端的一般结构及其等效模型,在此基础上介绍了该类型ADC模拟输入端的阻抗测量原理和一种适用于窄带应用的ADC模拟输入端谐振匹配网络设计方法。最后,以某14位250 MS/s无缓冲ADC为例,详细介绍了模拟输入阻抗测量以及匹配设计步骤,并给出匹配优化后的测试结果。