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针对应变Si1-xGex的应变致能带分裂及重掺杂对裂值的影响,提出了多子双带结构的等价有效简并度模型和有关算法。模型中考虑了非抛物线能带结构。应用该模型,计算了赝形生长在(100)Si衬底上的Si1-xGex应变层的重掺杂禁带窄变,发现当掺杂超过一定浓度(对于p型和n型合金,该浓度分别约为1.9×1019cm-3和3.5×1019cm-3)后,它在某一Ge组分下得到极大值,而当掺杂低于这个浓度时,它则随Ge组分的增加单调下降。文中还将计算结果与其它未细致考虑应变致能带分裂因素的理论工作进行了比较。 相似文献
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采用解析的方法计算了少数载流子浓度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系。发现常温时,在同一掺杂浓度下,少子浓度随Ge组分的增加而增大,其增加的速度越来越快;在同一Ge组分下,少子浓度随掺杂浓度的增加而减少,其减少的速度越来越慢。低温下,在考虑杂质不完全电离的同时,对由非简并情形向简并情形过渡的杂质电离出来的空穴浓度进行了修正,发现在同一Ge组分下,少子浓度随掺杂浓度的增加而增大,其增加的速度变得越来越快。同一掺杂浓度下,少子浓度随Ge组分的增加而增大,其增加的速度,轻掺杂时增加的较慢,重掺杂时增加得越来越快。 相似文献
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应变Si1—xGex层材料和Si/Si1—xGex器件物理参数模型 总被引:4,自引:0,他引:4
Si/Si1-xGex异质结系统已成功地应用于高速数字、高频微波和光电器件中。对这些器件进行理解和分析时,往往受到应变Si1-xGex材料参数缺乏的制约。本文建立和给出了常温和低温下重要应变Si1-xGex层材料和Si/Si1-xGex器件物理参数模型,对Si/Si1-xGex异质结器件的理解、研究和设计有重要的实际意义。 相似文献
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考虑了重掺杂引起的禁带变窄效应,建立起少数载流子室温和低温模型,并进行了定量的计算。研究发现,p-Si1-xGex中的少子浓度随x的增加而增加。在重掺杂条件下,常温时,少子浓度随杂质浓度的上升而下降;而低温时,少子浓度却随杂质沈度的上升而上升。 相似文献
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计算了应变Si1-xGe层的本征载流子浓度及导带和价带有效态密度。用解析方法研究了它们与Ge组分x和温度T的依赖关系。发现随Ge组分x的增加,导带和价带有效态密度随之快速减小,而本征载流子浓度却随之而近乎指数式地增加。而且,温度T越低,导带和价带有效态密度随Ge组分x的增加而减小得越快,而本征载流子浓度上升得越快。同时还发现,具有大Ge组分x的应变Si-xGex层,其用Si相应参数归一化的导带和价 相似文献
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Si1-xGex合金及其与Si构成的应变层异质结构,量子阱、超晶格是近年来迅速发展起来的一种具有广阔应用前景的半导体微结构材料,本文着重综述了Si1-xGex合金的结构,电学,光学性质及其广阔和应用价值。 相似文献
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在4.2-50K温度范围内研究了直拉法生长的富含Si的Si1-x-Gex合金的浅杂质光电导谱,首次观察到了锗硅合金中从硼受主杂质基态到p3/2价带的光电离跃迁过程及硼受主杂质的自旋-轨道分裂带相联系折光电导过程,并由此确定了硼杂质的电离能。 相似文献
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研究了p型Si1-xGex应变层中补偿浅能级杂质(P、As、Sb)的低温陷阱效应。研究发现,1)三种补偿浅能杂质P、As、Sb相比较,Sb的陷阱效应最小,As的最大;2)Ge组份x越大,低温陷阱效应越小;3)补偿浅能级杂质浓度ND越大,低温陷阱效应越显著,温度越低,陷阱作用越明显。 相似文献
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采用紧束缚方法对生长在SI(001)衬底上的GexSi1-x合金形变层的电子能带结构进行了计算,并与GexSi1-x合金的能带结构进行了比较。计算结果表明,对大部分合金组分x,形变层的导带底片在△轴上;当x≥0。9后,导带底处在L点。形变层直接能隙Eg及间接能隙Eg和Eg都比同组分x的合金小,其下降量随组分x的增大而增大。形变层的价带顶自旋-轨道分裂值△so也比相同组分的合金大,其增大值也随合金组 相似文献
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采用解析的方法计算了在基区掺杂为高斯分布,Ge组分分布为三角形分布和矩形三角形分布时基区内建电场的变化情况.重新拟合了价带有效态密度公式,并在计算内建电场时考虑了导带有效态密度的影响.发现加入Ge组分后引起的导带有效态密度变化、价带有效态密度变化以及禁带宽度变窄量变化对基区内建电场的影响要大于掺杂对内建电场的影响.Ge组分为三角形分布时,在总的Ge组分一定的条件下,内建电场从发射结到集电结逐渐变大.在任一给定位置x处,内建电场随着Ge组分的增加而增大.当Ge组分分布为矩形三角形分布时,对于给定的Ge组分转折点x1,基区内建电场从发射结到集电结缓慢地增大.在Ge组分恒定的区域,内建电场变化甚微,在Ge组分为线性缓变区域的同一位置x处,内建电场随Ge组分转折点x1的增大而缓慢地增大.此外,在x1附近内建电场变化有一个很大的陡坡. 相似文献
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采用解析的方法计算了在基区掺杂为高斯分布,Ge组分分布为三角形分布和矩形三角形分布时基区内建电场的变化情况.重新拟合了价带有效态密度公式,并在计算内建电场时考虑了导带有效态密度的影响.发现加入Ge组分后引起的导带有效态密度变化、价带有效态密度变化以及禁带宽度变窄量变化对基区内建电场的影响要大于掺杂对内建电场的影响.Ge组分为三角形分布时,在总的Ge组分一定的条件下,内建电场从发射结到集电结逐渐变大.在任一给定位置x处,内建电场随着Ge组分的增加而增大.当Ge组分分布为矩形三角形分布时,对于给定的Ge组分转折点x1,基区内建电场从发射结到集电结缓慢地增大.在Ge组分恒定的区域,内建电场变化甚微,在Ge组分为线性缓变区域的同一位置x处,内建电场随Ge组分转折点x1的增大而缓慢地增大.此外,在x1附近内建电场变化有一个很大的陡坡. 相似文献
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