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探讨了多层硅外延中的自掺杂现象,研究了自掺杂的产生机理,分析了工艺条件对自掺杂的影响,提出了减小自掺杂的几种方法。 相似文献
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本文综述最近的一些自掺杂研究,这些研究有助於定量地了解自掺杂现象。特别强调与集成电路制造有关的埋层方面的研究。本文还介绍与自掺杂原因、流量影响、硅烷和 SiCl_4淀积间自掺杂的差别和 HCl 汽相腐蚀对自掺杂影响有关的新资料。目的在于提出一个能解释各种自掺杂效应的理论体制。 相似文献
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外延淀积过程中的自掺杂抑制 总被引:4,自引:0,他引:4
外延层杂质浓度是影响器件电学性能的重要参数。文章对外延淀积过程中自掺杂的产生过程进行了分析,提出了在外延淀积过程中可以通过改变气流、温度及采用背封技术、二步外延等方法来解决外延自掺杂,从而改善器件的特性参数。 相似文献
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叙述了一种减小硅外延自掺杂影响的改进的二步外延法:减压-常压二步法。采用该方法所生长的外延层,其过渡区明显小于常规二步法的结果,和单纯减压方法所得的结果相当,外延层晶格质量明显优于单纯减压外延的结果。 相似文献
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阳极氧化钛箔合成高度有序的TiO2纳米管阵列。通过电化学自掺杂的方法对原始TiO2纳米管阵列电极进行改性,研究了不同掺杂条件对TiO2纳米管阵列电极电化学性能的影响,探索了电化学自掺杂的最佳实验参数。实验结果表明:电化学未掺杂的原始TiO2纳米管阵列电极表现出的最大比电容仅为1.55 mF·cm^-2,在25℃下0.5 mol/L的Na2SO4溶液中,施加5 V电压掺杂30 s后,TiO2纳米管阵列电极导电性显著增强,比电容可达到22.17 mF·cm^-2,是原始TiO2纳米管阵列电极比电容的14.3倍,电化学自掺杂显著提高了TiO2纳米管的导电性及电容性能。同时,电化学自掺杂不会损坏或改变TiO2纳米管的形貌和晶体结构。 相似文献
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一、引言在双极型集成电路生产中,为了提高电路速度,采用了薄层外延,对通隔离和浅结扩散工艺。对通隔离的下隔离是作在外延之前的,因此在外延生长过程中有硼的自掺杂问题。在生产实践中发现,如果对硼的自掺杂不加以控制,将产生两种不良后果:外延层电阻率难以控制;自掺杂严重时电路低电平上升,电路速度下降,甚至不合格。本文探讨造成这些不良 相似文献
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重掺衬底硅外延层杂质来源及控制方法分析 总被引:1,自引:0,他引:1
索开南 《电子工业专用设备》2011,40(10):1-3,44
从重掺衬底硅单晶片上生长外延层的杂质来源入手,通过分析不同杂质源的控制方法,来更好地控制外延层的电阻率径向分布均匀性。对于电阻率径向均匀性要求非常高的外延片来讲,仅靠控制主掺杂质源是无法实现的,必须要采取措施对自掺杂质进行控制。因此提出了多种抑制自掺杂质的方法,包括优选衬底、气相抛光、衬底背封、二步外延、减压外延等。 相似文献
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提出一种采用微分电导法(R□)分别检测实验样品和陪测样品的R□,同时引入α和αn因子分别评估自掺杂多晶硅生长前Si表面清洗状况(SIS层厚度)和自掺杂多晶硅生长后退火或后续高温多晶硅杂质载流子退火特性以及杂质在POLY/SIS/Si界面流动情况。通过实际检测发现这种方法可以定性判断SIS厚薄和了解自杂多晶硅生长后退火或后续高温多晶硅杂质载流子退火特性以及可以半定量估算出自掺杂多晶硅杂质流向N^-层或N^ 层流向自掺杂多晶硅层的杂质总量。 相似文献
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本文首先通过不同工艺规范下锑隐埋层对隔离结、纵向PNP与NPN管特性及制作成品率影响的实验观察证明在双极IC制作中存在锑隐埋层显著的非均匀远距离的自掺杂干扰作用;最后由隐埋层非均匀远距掺杂的作用机理说明要在确保低隐埋层薄层电阻下抑制其自掺杂作用的两条基本途经是降低锑隐埋层掺杂的表面浓度和提高外延生长前赶气排杂的效能,并通过实验进行初步的验证。 相似文献
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本文提出了一种新的减小硅外延自掺杂影响的二步外延方法,采用该方法,在均匀的重掺As衬底上,用SiCl4源外延,以10614-10^18/cm3浓度计算,获得了≤0.54um的过渡区宽度。 相似文献
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本文报导了2μm高性能单层多晶硅双极器件及工艺。为了改善器件性能,对基础工艺的改进和完善作了试验,如减少外延自掺杂及缺陷;改善EC漏电;降低发射极串联电阻等。并列出了典型的工艺参数及器件参数。用本工艺得到环振门延迟为250~500ps,有的可达200ps。 相似文献
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p型硅外延层电阻率的控制 总被引:1,自引:0,他引:1
计算表明,p型硅外延层的电阻率对其生长速度和生长温度的变化都是十分敏感的。为了保证p型硅外延片的电阻率具有良好的可控性和重现性,除了充分抑制重掺硼衬底的自掺杂作用外,还需十分严格地控制硅外延片的生长温度和速度。 相似文献