科技为本 创新为魂——由半导体技术引起的重大革命

半导体功率器件与功率集成电路是半导体器件与集成电路大家族中的一个重要成员与分支。以科学院院士陈星弼教授为代表的电子科技大学微电子所在此领域获得某些具有国际先进水平、具有自己知识产权的重大突破与创新,为我国半导体功率器件及功率集成电路的发展谱写了光辉的一章。本刊刊登此文,旨在引起各级领导和企业家,对发展拥有自己知识产权的,并使之能形成规模生产的功率器件与功率集成电路的高度重视。     

功率半导体将迎来爆发之年

按器件结构划分，功率半导体可分为功率集成电路与功率分立器件两类。功率半导体与半导体芯片一样具有重要价值，在国民经济和社会生活中具有不可替代的关键作用。据国际权威机构预测，2011年功率半导体在中国市场的销售量将占全球市场的50％，每年接近200亿美元，中国不久就将成为全球第一大功率半导体市场。然而，     

大规模集成电路生产技术中的硅晶体技术

一,序言晶体管发明以来的近25年间,半导体科学进展甚为迅速。以晶体管为主的半导体部件取代了电子管,单个器件发展成具有电路功能的集成电路,现正向具有大功能的LSI(大规模集成电路)发展。另一方面CCD(电荷耦合器件)和结构简单的功能器件(耿效应器件,光耦合器件等)也在发展,而且正在探讨其集成化的可能性。对于半导体科学的发展,国际上的竞争日益激烈,随着单个器件、IC、LSI的性能(功率、速度、可靠性等)的提高,在技术上强烈要求解决降低成本的问题。现在半导体材料以硅为主,伴随其使用量的激增,正在实行片子大型化、优质化和工艺过程自动化等。     

智能功率集成电路精彩纷呈

近年来,以新型功率MOS器件为基础的智能功率集成电路(Smart Power IC,SPIC)随着微电子技术的进步而得到了迅速发展。它融功率半导体、信息电子学、超大规模集成电路、电机学和计算机辅助设计等为一体,成为航空航天技术、工业自动化、汽车电子、未来家电和其它高新技术工业的基础。随着SPIC的设计与工艺水平不断提高,性能价格比不断改进,已逐步进入了实用阶段,成为实现功率电子装置小型化、智能化的重要途径。目前新型MOS功率器件已开始进入实用化阶段,其研究开发着眼于提高器件的工作频率和     

压电半导体上耗尽型表面波换能技术

一、引言砷化镓材料技术的进展,促使砷化镓微波集成电路、电荷耦合器件以及数字集成电路等技术的快速发展。砷化镓等Ⅲ-V族化合物半导体又具有内在的压电特性,因此为声表面波技术与半导体集成电路技术相结合并开发研制新型信号处理器件和分系统提供了新的可能性。但是,在载流子浓度较高的压电半导体上应用声表面波技术中传统的叉指换能器结     

国外半导体研制现状和开发课题

众所周知,半导体、计算机和信息通信构成了当代电子学的三大支柱。其中,半导体起着举足轻重的作用。 自集成电路出现以来,约每隔五年其集成规模由小规模分别达到了中规模、大规模和超大规模水平。尤其是,自1970年1K大规模出现以来其集成规模每一年约翻一番。这种发展速度也是前所未有的。从集成电路的发展可以看出,半导体在小功率方面,由晶体管分立器件向材料器件一体化的集成电路,进而向分系统的大规模,今后继续向硬件、软件一体化的超大规模方向发展。 随着微波通讯在民用化方面的发展,应用范围只限于军事方面的那些半导体微波器件更加受到重视。在此,所用材料大体以砷化镓为     

发展中的大连市半导体产业

一、大连半导体产业现状 在大连市政府的高度重视下,大连市半导体产业目前已初步形成了以集成电路设计业为龙头,加工制造业与新型器件业为支撑的半导体集成电路产业发展格局.2003年,大连市半导体产业包括集成电路和分立器件在内,实现产值约12亿元.主要企业和重点产品有:     

分立器件发展继续呈稳健态势中国市场更具潜力

<正>1分立器件市场的现状半导体产业的发战士于分立器件,是半导体产业的最初产品,尽管集成电路的发明和集成电路的迅速发展使一些器件已集成进集成电路,但由于分立器件的特殊性,使之仍为半导体产品的重要组成     

三代半导体功率器件的特点与应用分析

以S i双极型功率晶体管为代表的第一代半导体功率器件和以GaAs场效应晶体管为代表的第二代半导体功率器件为雷达发射机的大规模固态化和可靠性提高做出了贡献。近年来以S iC场效应功率晶体管和GaN高电子迁移率功率晶体管为代表的第三代半导体--宽禁带半导体功率器件具有击穿电压高、功率密度高、输出功率高、工作效率高、工作频率高、瞬时带宽宽、适合在高温环境下工作和抗辐射能力强等优点。人们寄希望于宽禁带半导体功率器件来解决第一代、第二代功率器件的输出功率低、效率低和工作频率有局限性以至于无法满足现代雷达、电子对抗和通信等电子装备需求等方面的问题。文中简要介绍了半导体功率器件的发展背景、发展过程、分类、特点、应用、主要性能参数和几种常用的半导体功率器件;重点叙述了宽禁带半导体功率器件的特点、优势、研究进展和工程应用;对宽禁带半导体功率器件在新一代雷达中的应用前景和要求进行了探讨。     

智能功率集成电路精彩纷呈

近年来,以新型功率MOS器件为基础的智能功率集成电路(Smart Power IC,SPIC)随着微电子技术的进步而得到了迅速发展。它融功率半导体、信息电子学、超大规模集成电路、电机学和计算机辅助设计等为一体,成为航空航天技术、工业自动化、汽车电子、未来家电和其它高新技术工业的基础。随着SPIC的设计与工艺水平不断提高,性能价格比不断改进,已逐步进入了实用阶段,成为实现功率电子装置小型化、智     

FAN7384半桥驱动集成电路及应用

FAN7384是美国飞兆半导体公司推出的用于驱动MOSFET和IGBT功率器件的半桥驱动集成电路,具有多种保护功能.文中详细介绍了FAN7384的功能特点和典型应用电路.     

一种Divided RESURF高压互连结构研究

高压互连是功率集成电路中的重要技术,随着PIC在结构功能上的发展和应用范围上的增大,人们对功率集成电路中的高压互连技术的要求也与日俱增。围绕高压互连技术进行研究,使用Divided RESURF技术设计一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管,通过进行二维仿真,优化其结构和掺杂浓度等参数,器件的击穿耐压达到903 V,可用于600 V高压集成电路中。     

麦瑞半导体发布4/5口2层片上交换机集成电路

实现5口交换芯片功耗减半麦瑞半导体（Micrel）发布了KSZ8895/8875/8864系列产品。该器件为低功率、高集成度4/5口2层片上交换机集成电路。     

L波段大功率小型化固态功放设计与实现

提高雷达发射机的输出功率和功率密度是增大雷达功率孔径积的有效途径。文中通过LDMOS、Si双极型功率管以及CaAs单片集成电路等固态微波半导体功率器件的混合集成,研制出具有大功率、小型化特点的固态功率放大器,为输出功率和功率密度的提高提供了一种有效的方法。对LDMOS功率管电路优化仿真设计进行了详细论述,为实现小型化,提出了微带线分布参数与集中参数元件相结合的匹配电路方式。     

新型半导体功率器件在现代雷达中的应用研究(Ⅰ)

目前第一代半导体功率器件的制造技术和应用技术已趋于成熟,S波段及以下波段功率器件的输出功率、工作效率和可靠性指标都已达到相当高的水平。近年来第二代半导体功率器件的制造技术和应用技术发展迅速,S波段、C波段和X波段的器件已经形成了一定的系列化商品。但是面对现代雷达等新一代电子装备的需求,半导体功率器件在高功率、高效率和高频率等方面与真空管器件相比仍逊色许多,Si和GaAs功率器件的输出功率工作频率短期内不大可能有大的提高,而第三代半导体功率器件——宽禁带半导体器件固有的宽禁带、高击穿场强和良好的热稳定性等特性,决定了其可以输出更高功率、工作在更高频率、具有更高效率,并可更好地满足现代雷达的要求。     

氮化镓功率半导体器件技术

作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料,在民用和军事领域具有广阔的应用前景。随着GaN技术的进步,特别是大直径硅(Si)基GaN外延技术的逐步成熟并商用化,GaN功率半导体技术有望成为高性能低成本功率技术解决方案,从而受到国际著名半导体厂商和研究单位的关注。总结了GaN功率半导体器件的最新研究,并对GaN功率器件发展所涉及的器件击穿机理与耐压优化、器件物理与模型、电流崩塌效应、工艺技术以及材料发展等问题进行了分析与概述。     

双极型功率集成电路版图设计技术

双极型功率集成电路已大量应用于民用、军用电子设备中,其典型应用主要是在通信系统、雷达和电子对抗等领域.大功率电子设备的性能与可靠性很大程度上取决于双极功率器件及其放大电路的性能,因此,提高双极型功率集成电路的性能和可靠性具有十分重要的现实意义.在分析双极功率器件和集成电路工作特点的基础上,介绍了器件结构及其版图设计方法,详细分析了其特点和功能,以达到提高双极型功率集成电路性能和可靠性的目的.     

专业技术能力

专用半导体集成电路及特种器件研制能力 专用半导体集成电路以低功耗、低噪音、耐高过载为主要特色,广泛应用于引信、导引头、红外热像仪、单兵系统等高新武器装备中。拥有一条4英寸、1．5微米半导体双极与结型场效应管兼容工艺、薄栅MOS工艺等半导体特种工艺线。主要产品为低噪声宽带放大器专用模拟器件、低噪声高阻模拟器件、核辐射探测传感器等。     

第五届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会

<正>为紧跟国际功率半导体器件技术发展步伐,推动我国新型半导体功率器件技术水平进一步提高,加快其成果转化和应用推广,增强自主创新能力,由中国半导体行业协会半导体分立器件分会主办的"第五届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会"于2019年11月22—24日在广东深圳召开。本会议是继厦门、昆明、长沙、苏州成功举办后,全国新型半导体功率器件及应用领域又一次重要的学术与技术交流活动,将为广大从事新型半导体功率材料、器件及其应用技术的工作者提供一个高起点、大范围、多领域的沟通平台,增进产、学、研之间的技术交流,相互学习,共同提高。为此,会议组     

新型功率半导体器件发展之我见

新型功率半导体器件既具有广阔的市场需求,又与风电、光伏、有轨交通等新兴产业密不可分,具有节能、节材、环保等效益,对促进可持续发展有重要意义。宽禁带半导体是功率器件实现飞跃的突破口,将引领功率器件发展的新时代。