陶瓷LCC散热片规格的确定

半导体工业愈来愈关心复杂微电路的热控制。为了保证可靠的工作,排除来自电路的热量是极端重要的。设计工程师需要掌握各种散热片的资料和数据,才能够确定满足特殊散热要求的元件。 在过去的几年里,由于新一代VLSI器件对IC封装的电气和空间方面的限制,陶瓷无引线芯片载体(LCC)已成为双列直插式管壳(DIP)的很有希望的替换物。合理封装,正向更大和更复杂的芯片、更多的输入/输出,更高的功耗和多芯片管壳的方向发展。     

超高速砷化镓集成电路的封装

本文报导了两种36腿芯片-载体封装,它们能满足超高速砷化镓集成电路在3GHz时钟速率和100ps的上升下降时间要求。根据传输时延、抽头长度、串音干扰和电源等原则,对这种封装结构要求进行了分析,开发了两种具有内部接地平面、电源旁路电容器的封装和一种最大尺寸为1×1cm~2的封装;第一种封装途径基于多层共烧陶瓷技术,而第二种途径是利用把GaAsIC小片安装在象芯片-载体那样的一块硅IC表面的方法。就后一种情况而论,除了有较低的封装热阻外,这种硅-芯片还可提供屏蔽的传输线、电源调整、终端电阻器和衰减电阻器,以及能降低管壳的热阻等。     

混合封装能实现最佳的电路保护

<正> 混合电路需要一个密封的管壳将电路保护起来,尤其是芯片与布线的混合更是如此。只要观察一下封装好的混合电路器件便可知道外部封装是总体组装的一个重要组成部分。据统计,这种封装约占混合电路器件总成本的14％,1990年将增加到16％。混合封装的作用是安装和保护陶瓷混合电路,即厚膜电路或薄膜电路,以便提供一个密封的环境。这种封装必须保证散热好、尺寸小以及为下步组装提供可靠的连接方法——通常是焊到一块印刷电路板上。电参数也可能是一     

一种混合集成12位A／D转换器

介绍了一种１２位Ａ／Ｄ转换器。就电路的工作原理、设计特点及测试结果等方面进行了探讨。电路在标准双极工艺生成单片ＩＣ的基础上，采用了陶瓷基板上的多芯片厚膜组装工艺、双层金导带布线、多芯片混合组装及大腔体管壳的储能点焊等技术，在２１ｍｍ×４１ｍｍ的陶瓷基板上混合组装了８个集成电路芯片、７个贴片电容和８个厚膜电阻。经测试，电路转换时间小于２０μｓ，最大线性误差和最大微分线性误差为０．０１２％ＦＳＲ。电路采用３２引出端双列直插全金属平底管壳（ＭＰ３２）封装，在±１５Ｖ、＋５Ｖ电源下电路总功耗低于９００ｍＷ。     

提高陶瓷外壳封装集成电路自动铝丝楔焊键合质量的途径

一、概述集成电路引线键合是集成电路制造中重要的工艺之一，它是把中测合格的并已安装在管壳芯腔（或其它形式）上的集成电路芯片，用引线键合的方式把它的输入输出端与管壳（或其它形式）上的金属化布线—一对应的连接起来，实现集成电路芯片与封装外壳电连接的工艺技术。集成电路引线键合是实现集成电路芯片与封装外壳多种电连接中最通用，也是最简单而有效的一种方式。集成电路引线键合，使用最多的引线材料是金丝，通常采用球焊——楔焊方式键合。但在陶瓷外壳封装的集成电路中，多采用铝丝（含有少量的硅或镁）作为引线材料。因为铝丝…     

小型化封装的四通道多功能电路

基于GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺、多层陶瓷管壳工艺和芯片微组装工艺技术,设计并制作了一种微波小型化封装四通道多功能电路.该多功能电路集成了通道选择、6 bit移相和4 bit衰减等功能,由低噪声放大器(LNA)芯片、功分开关网络多功能芯片(MFC)、数控移相衰减多功能芯片、3-8译码器芯片和多层陶瓷外壳组成.测试结果表明,在频率为2.0～3.5 GHz时,电路增益大于16 dB,噪声系数小于1.3 dB,端口电压驻波比(VSWR)小于1.5∶1,多功能电路采用+5 V/-5 V供电,工作电流分别为110 mA@+5 V,48 mA@-5 V.多功能电路的封装尺寸为19.0 mm×17.0 mm×3.1 mm.     

集成电路内部水汽含量的控制

简要叙述了集成电路封装内部水汽的形成；指出集成电路封装内部水汽主要是由封装环境气氛中的水份以及封装管壳和芯片表面吸附的水汽所造成的；论述了内部水汽引起集成电路电性能的退化，从而影响建成电路的可靠性。并介绍了纯氮气气氛保护封装、增加红外烘烤等控制集成电路内部水汽含量的措施。     

塑料载体管壳

<正> 据报导,美国得克萨斯仪器公司宣布,已经研制成一种新的塑料载体管壳。该公司已经开始向集成电路制造厂提供这种新的管壳。有的制造厂已用这种塑料载体管壳来封装低功率的肖特基器件及其它集成电路。新的塑料载体管壳具有20条管脚,28条管脚等几种形式。预计到年底将研制出84条及168条管脚的塑料载体管壳。该公司声称,与以往的无引线陶瓷载体管壳一样,塑料载体管壳亦能实现高密度封装,     

集成电路封装热设计的发展动向

本文根据半导体芯片技术的发展和用户的需求论述了影响半导体制造的热设计的发展动向。用几个特例(如双列直插式管壳,陶瓷芯片载体,针栅阵列管壳)来描述封装材料、管壳设计、外部环境和封装集成度的重要性。管壳设计的发展趋势与散热技术的重大进展有密切关系。     

一种基于低温共烧陶的无引线键合封装

为提高微机电系统(MEMS)加速度计的可靠性,减小因为引线键合断裂造成的传感器失效,该文设计了一种基于低温共烧陶瓷的无引线键合封装。该封装采用阳极键合技术将低温共烧陶瓷基板与芯片连接,同时将电路转接板同步集成。结果表明,该封装结构可减小传感器的封装尺寸,有效提高了MEMS加速度计的可靠性。     

TEA1507TM准共振逆向SMPS控制集成电路

简介 GreenChipTM Ⅱ(TEA1507)是第二代开关模式电源(SMPS)控制集成电路,适用于电视电源。GreenChipTM Ⅱ的特性GreenChipTM Ⅱ TEA1507是一个多芯片模块,在一个DIP8封装内集成了两个集成电路。其中一个集成电路以飞利浦半导体公司开发的高压BCD-PowerLogic 800工艺制作,使整流电     

陶瓷外壳封装的高引线数(VLSI的自动铝丝楔焊键合)

一引言随着集成电路芯片设计技术和制造技术的不断进步，使集成电路的复杂程度不断增加。同时，给集成电路的引线键合工作也增加了相当大的难度。目前国内的VLSI需键合的引线数一般达68～84根（国外最多的达500根引线以上）。由于集成电路的I／O数多，常规的DIP外壳已不能满足封装应用要求，而需采用高密度陶瓷外壳，如LCC、PGA、QFP等（国外已有uPGA、BGA等）。对于用LCC、PGA、QFP这类高密度陶瓷外壳封装的VLSI的引线键合，传统的手工键合已不能满足应用的要求，而必须采用半自动或自动引线键合技术。由于陶瓷外封装集成电…     

随着集成电路日趋复杂要求更全面地考虑微波管壳的设计

<正> 一、引言对于微波工业来说,封装已成为一个引入注目的领域。到目前为止,电路的复杂性还不需要一个完善的管壳,而是采用逐次接近法来表示设计成效。然而,随着数字领域中带宽和频率(即时钟速率)的增加,很显然,封装常常对器件的电性能、造价和可靠性有较大的影响。因为在各个系统和应用中,封装问题和封装的作用各不相同,所以很难给封装下一个统一的定义。例如:高功率GaAs集成电路与高速数字集成电路对管壳的要求就不一样。虽然作了这些提示,但总还是想对一般管壳下一个定义,并列举出所有管壳的一些一般特性。     

S波段30 W微波脉冲功率放大器模块设计

介绍了S频段微波脉冲功率放大器模块的设计方法和试验研制过程.利用内匹配技术,采用混合集成电路制作,将四级芯片集成到微型封装的金属密封管壳中,前两级芯片采用GaAsMMIC电路,第三级采用GaAs FET晶体管,末级采用Si双极型晶体管完成功率放大,结合了GaAs器件电路和Si器件电路的各自优点.在S波段、带宽300 MHz频率范围内试制出Gp≥45 dB,Po≥30 W的功率放大器模块,模块的体积为27 mm×18.5 mm×5 mm.     

IC封装技术的发展

IC的发展中,封装技术的发展也是非常重要的。芯片的封装在集成电路中是不可缺少的。本文主要综述了集成电路封装的现状,包括现阶段较广泛应用的DIP封装、PLCC塑料有引脚片式载体封装和QFP/PFP方形扁平式/扁组件式封装;现阶段较先进的BGA球栅阵列式封装、CSP芯片尺寸封装和MCM多芯片模块系统封装等技术。同时,对国内外封装技术做了比较,并阐述了我国封装技术相对落后的原因。最后,介绍了集成电路封装技术的发展趋势。     

InGaP/GaAs HBT功率放大器的键合线匹配技术

射频集成电路的性能很大程度受到封装的影响,与集成电路设计和制造工艺相比,封装技术并没有受到相应的关注.用一种新的键合线匹配功率放大器(PAM)的方法,利用封装寄生参数进行电路匹配设计,消除了封装的负面影响,并进行了试制验证;电路芯片采用InGaWGaAs HBT工艺制作并使用了16引脚微小引线框架(MLP)封装.无需芯片外表面贴装电容和电感,实现了功率放大器的低损耗输出阻抗匹配,节省了宝贵的线路板空间.电路测试指标很好地达到了设计要求,证明了该技术的可行性,为高性能、低成本射频功率放大器的开发提供了新的思路.     

高热导率SiC陶瓷在LSI管壳中的应用

含有BeO添加剂的SiC陶瓷,适用于大规模集成电路的陶瓷管壳。该管壳结构有点类似于CER-DIP结构工艺,即在SiC陶瓷衬底和陶瓷盖之间采用了一个引线框和密封玻璃垫片,为得到一个高可靠的陶瓷管壳,采用了低膨胀的莫来石(mullite)陶瓷盖和低膨胀的密封玻璃。在SiC衬底的背面用弹性有机硅树脂粘结铝散热片。这种管壳结构中,当热沉的空气流速为5m/s时,其结-环境的热阻约为9℃/W,该管壳的各种特征与目前使用的低热阻和铜冷却螺栓的Al_2O_3管壳相类似。     

高性能马达控制用的新型智能功率模块

本文介绍三菱公司为中低功率变速控制应用而研制的新型智能功率模块(IPM)系列：双列直插封装IPM(DIP—IPM)和单列直插封装IPM(SIP—IPM)。与以前型式的DIP—IPM相比，这种采用第五代IGBT(绝缘栅双极晶体管)的新型DIP—IPM不仅在静态性能和动态性能两方面都得到相当大的改善，而且功率能力扩展到了3．7kW。这一成果得益于亚微米功率芯片设计、最佳模块设计和封装工艺中的最新技术。这种新器件为用户的逆变器系统提供了一种低成本高性能的解决方案。     

超高速GaAs IC的封装

<正> 本文报导了两种36根引线的芯片载体管壳,该管壳能满足超高速GaAs IC的要求,时标速率可达3GHz,上升和下降时间为100μμs。根据传播延迟时间、短截线长度、交调失真和电源控制,分析了封装要求。研制了最大管壳尺寸为1cm×1cm且带有内接地面和电源旁路电容器的两种管壳,第一种封装方法采用了多     

多芯片组件（MCM）技术的发展及应用

为了适应目前电路组装高密度要求，微电子封装技术的发展正日新月异，各种新技术、新工艺层出不穷。最新出现的CSP(芯片尺寸封装)更是使裸芯片尺寸与封装尺寸基本相近，这样在相同封装尺寸时可有更多的I/O数，使电路组装密度大幅度提高。但是人们在应用中也发现，无论采用何种封装技术封装后裸芯片的性能总是比未封装的要差一些。