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1.
钱鼎荣 《固体电子学研究与进展》1994,(1)
南京电子器件研究所１９９３年度科研成果介绍ＮＥＤＩ＇ｓＲｅｓｅａｒｃｈＦｒｕｉｔｓｉｎ１９９３南京电子器件研究所于１９９４年ｌ月８日至１０日在南京召开第４１次科研成果鉴定会。对１９９３年度完成的８７项科研成果进行专家评议、鉴定，并分别通过了设计定型和... 相似文献
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<正>1990年3月10日至12日南京电子器件研究所在南京召开了第33次科研成果鉴定会.对1989年度余下的18项科研成果进行了专家评议鉴定.其中半导体专业14项,光电专业8项.这次鉴定会展示了该所近年来在半导体及光电领域中取得的进展.现将半导体专业的部分鉴定项目介绍如下: 相似文献
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《固体电子学研究与进展》1994,(4)
科研成果介绍砷化镓功率场效应晶体管系列ＧａＡｓＰｏｗｅｒＭＥＳＦＥＴｓＳｅｒｉｅｓ南京电子器件研究所已研制成ＧａＡｓ功率场效应晶体管系列，具有以下特点：。用途广：卫星通讯，移动通讯，微波系统，微波数字通讯，相控阵雷达等设备中的振荡与功放。。高可靠：微... 相似文献
4.
多芯片MMICC波段T／R组件 总被引：1，自引：0，他引：1
钱万成 《固体电子学研究与进展》1995,(2)
多芯片ＭＭＩＣＣ波段Ｔ／Ｒ组件钱万成（南京电子器件研究所，２１００１６）Ｍｕｌｔｉ－ＭＭＩＣＣ－ＢａｎｄＴ／ＲＭｏｄｕｌｅｓ￥ＱｉａｎＷａｎｃｈｅｎｇ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅｓＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，２１００１６）研制的Ｃ波段固态... 相似文献
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ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ毫米波ＨＢＴ的研制吴英，钱峰，陈新宇，邵凯，郑瑞英，肖秀红，葛亚芬，金龙（南京电子器件研究所，２１００１６）ＴｈｅＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＭｉｌｌｉｍｅｔｅｒＷａｖｅＨＢＴ￥ＷｕＹｉｎｇ；ＱｉａｎＦｅｎｇ... 相似文献
6.
<正>南京电子器件研究所1991年度第一批科研成果共19项于4月28日通过鉴定.国防科工委、机电部等上级机关领导以及来自全国各地的有关院校、厂、所的教授、专家、工程技术人员共六十多人对成果进行了全面、认真的技术评定,作出了高度评价.现将微波半导体专业的部分成果介绍如下: 相似文献
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双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ陈效建，刘军，李拂晓，郑雪帆，华培忠（南京电子器件研究所，２１００１６）Ｄｏｕｂｌｅ－ｐｌａｎａｒ－ｄｏｐｅｄＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰｏｗｅｒＰＨＥＭＴ￥ＣｈｅｎＸｉａｏｊｉａｎ；ＬｉｕＪｕｎ；Ｌ... 相似文献
8.
《固体电子学研究与进展》1991,(1)
<正>南京电子器件研究所1990年度又获得了丰硕的科研成果.微波半导体专业有40余项科研课题完成了研究工作,至1991年1月已分别在南京和北京,由机械电子工业部军工司和微电子基础产品司主持召开了两次科研成果鉴定会.这些成果都处于国内领先地位,部分项目已达到国际先进水平,或填补了国内空白;一些项目有较强的创新性.现分项简介如下. 相似文献
9.
最高振荡频率为46 GHz的GaInP／GaAs异质结双极晶体管 总被引：2，自引：2，他引：0
最高振荡频率为４６ ＧＨｚ的ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管钱峰，陈新宇，肖秀红，姚晓峨，周天舒，潘菁，陈效建（南京电子器件研究所，２１００１６）齐鸣，李爱珍（中科院上海冶金所，２０００５０）Ａｆ＿（ｍａｘ）＝４６ＧＨｚＧａＩｎＰ／ＧａＡｓＨＢＴ... 相似文献
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《固体电子学研究与进展》1996,(1)
微波电路产品介绍──之二ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎｏｆＭｉｃｒｏｗａｖｅＣｏｍｐｏｎｅｎｔｓ（２）￥／／南京电子器件研究所微波电路部拥有我国首批通过专用质量管理论证的微波电路生产线，具有完善的质量保证体系和全套引进微波电路生产技术，配备全套ＨＰ公司微波... 相似文献