采用简化多晶硅TFT工艺的有源矩阵OLED显示器件

我们提出并开发了一种先进的6步光掩模工艺,可用于制备有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)中p型沟道多晶硅薄膜晶体管(TFT)面板。通过去除电源线(Vdd)和触排(bank)光处理工艺,将8步掩模简化至6步。通过6步光掩模工艺制备的p型沟道TFT,场效应迁移率可达80cm2/Vsec,亚阈值(sub-threshold)电压波动降至0.3V/dec,阈值电压约为-2V。利用6步光掩模工艺成功地获得了采用电压驱动方式的7英寸WVGA(720×480)AMOLED面板。     

准分子激光诱导非晶硅晶化制备多晶硅薄膜晶体管

讨论了用准分子激光诱导非晶硅晶化法制备多晶硅薄膜晶体管的结构与工艺优化问题。用 Xe Cl准分子激光器对 PECVD法生长的非晶硅薄膜进行了诱导晶化处理 ,成功制备了多晶硅薄膜晶体管 ,获得最大场效应迁移率为 1 4.5cm2 /V· s,亚阈值斜率为 1 .9V/dec,开关电流比为 1 .0× 1 0 6的器件性能。     

自缓释镍源的横向诱导晶化多晶硅薄膜晶体管

以镍硅合金靶作为溅射源,采用磁控溅射方法制备了一种自缓释镍源. 控制合适的自缓释镍源的准备条件,以单一方向横向晶化条件对非晶硅薄膜进行再晶化,可以获得低残余镍含量、大晶粒、高薄膜质量的多晶硅. 以此多晶硅为有源层进行了薄膜晶体管研究. 制备的p型TFT器件具有良好的特性,可有效地减小漏电流,同时具有很好的均匀性和稳定性.     

自缓释镍源的横向诱导晶化多晶硅薄膜晶体管

以镍硅合金靶作为溅射源,采用磁控溅射方法制备了一种自缓释镍源.控制合适的自缓释镍源的准备条件,以单一方向横向晶化条件对非晶硅薄膜进行再晶化,可以获得低残余镍含量、大晶粒、高薄膜质量的多晶硅.以此多晶硅为有源层进行了薄膜晶体管研究.制备的p型TFT器件具有良好的特性,可有效地减小漏电流,同时具有很好的均匀性和稳定性.     

有机电致发光显示器件的研究

基于有机电致发光器件的能级结构,阐述电极薄膜优化对提高载流子注入效率的作用。系统评述了红绿蓝三原色有机发光材料在荧光量子效率、稳定性、寿命等方面的进展。在对比分析有机显示器件被动矩阵和主动矩阵两种驱动方式技术特点的基础上,介绍了主动矩阵的薄膜晶体管TFT驱动电路的研究进展及相关技术难点。最后简要回顾有机面板在显示尺寸、色彩及寿命方面的研发成果,并探讨了大尺寸面板在产业化进程中面临的问题及可能的技术解决方案。     

用非晶硅薄膜晶体管寻址的有源矩阵液晶显示的视频特性

引言近来,平板显示有源矩阵液晶显示(LCD)得到广泛的开发。各种类型的有源矩阵液晶显示已有报导。我们已报导过可用激光再结晶的多晶硅来获得重复性和一致性好的薄膜晶体管(TFT)。然而,由于激光再结晶TFT是用某些高温过程的大规模集成工艺制作的,而且,在大规模集成工艺设备中存在某些尺寸限制,使得激光再结晶多晶硅TFT阵列不适用于大面积显示。另一方面,非晶硅TFT目前普遍用作有源矩阵LCD中的开关管。最近,我们已经制成由非晶硅TFT组成的,对角线尺寸为5英寸和10英寸的有源矩阵LCD。     

低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器的驱动条件

引言多晶硅薄膜晶体管(TFT)适用于玻璃基片上集成有驱动电路的高分辨率有源矩阵液晶显示器(LCD),因为,多晶硅 TFT,尤其是用低温工艺技术制作的 TFT,具有较高的场效应迁移率。然而,在负栅压区域内,由于漏极电流 I_D 的急剧增加,其非导通状态下的阻抗不是很高。为了获得良好的驱动条件,必须为负栅压区域内的非导通状态设置电压电平。为此,本文通过选择最佳驱动电压波形,提出了新的驱动条件。把这些驱动条件使用在具有等效电容     

薄膜式长寿命等离子体显示板

本文叙述一种薄膜式长寿命等离子体显示板,它采用一种新工艺,即在薄膜介质上涂覆 MgO 保护层,其特点是不采用国外流行的单周工艺(Single-Cycle Process)。采用这种新工艺作成128×128线矩阵板和数字板,其寿命均由原来的500小时增长到2×10~4小时,着火电压由原来的150伏降到100伏。矩阵板参数良好,可实现存储动态显示。数字板已批量生产,正在国内大量使用。     

MIC薄膜多晶硅材料的动态镍吸除技术基本机理及其应用

首先阐述了MIC薄膜多晶硅材料动态镍吸杂技术的基本机理和主要工艺过程,然后以多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)为例研究了动态吸杂技术的应用.在研究金属诱导晶化多晶硅材料(MIC poly-Si)和以之为有源层的poly-Si TFT的过程中,发现在MIC多晶硅薄膜中含有部分残余的镍成份.而大部分存在于对撞晶界的残余镍成份会造成大量的缺陷,这将导致TFT器件性能乃至整个系统的稳定性和可靠性的降低.为了改善MIC薄膜及器件质量,我们采用磷硅玻璃(PSG)动态镍吸杂技术,有效地吸除镍,降低多晶硅中镍的残留量,改善对撞晶界的缺陷密度,降低用之制备TFT的漏电流.该技术工艺过程简单,处理成本低,适合于大批量的工业化生产,有望成为制备高稳定性微电子器件与电路系统的必需工艺技术.     

MIC薄膜多晶硅材料的动态镍吸除技术基本机理及其应用

首先阐述了MIC薄膜多晶硅材料动态镍吸杂技术的基本机理和主要工艺过程,然后以多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)为例研究了动态吸杂技术的应用.在研究金属诱导晶化多晶硅材料(MIC poly-Si)和以之为有源层的poly-Si TFT的过程中,发现在MIC多晶硅薄膜中含有部分残余的镍成份.而大部分存在于对撞晶界的残余镍成份会造成大量的缺陷,这将导致TFT器件性能乃至整个系统的稳定性和可靠性的降低.为了改善MIC薄膜及器件质量,我们采用磷硅玻璃(PSG)动态镍吸杂技术,有效地吸除镍,降低多晶硅中镍的残留量,改善对撞晶界的缺陷密度,降低用之制备TFT的漏电流.该技术工艺过程简单,处理成本低,适合于大批量的工业化生产,有望成为制备高稳定性微电子器件与电路系统的必需工艺技术.     

1670万种色彩的15英寸TFT液晶显示

松下电气工业公司研制的能显示1670万种色彩的非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)有源矩阵液晶显示是采用1152×900象素结构,显示面积为15英寸对角线。该公司将于1992年夏季将该显示板装入计算机工作站。这是首批获得3百万象素分辨率全色具有1670万种色彩的显示产品之一。它采用1152×900×3红、绿、蓝垂直条形彩色滤色器,显示板含     

单栅和双栅多晶硅薄膜晶体管的二维器件仿真

二维器件仿真是揭示半导体器件物理机理的有效途径.首先利用二维器件仿真工具构建单栅和双栅多晶硅薄膜晶体管(TFT),并完整地考虑晶界陷阱态的分布规律,即指数分布的带尾态和禁带中央高斯分布的深能态.同时,改变晶界陷阱密度、多晶硅薄膜厚度、温度等条件,以及考虑翘曲(kink)效应,仿真单栅和双栅器件的电流-电压(I-V)特性,分析物理规律,建立对多晶硅TFT器件物理特性的进一步理解.     

溅射功率变更对In-Sn-Zn-O TFT器件电气性能的影响研究

本论文以硅作为衬底,以采用不同直流（DC）磁控溅射功率制备的ITZO薄膜作为有源层制备了薄膜晶体管（TFTs）器件。在溅射功率从80W变化到160W的过程中,我们对ITZO TFTs的电气性能和稳定性进行了研究。当溅射功率为80W时,器件具有最低的有源层载流子浓度(Nd)2.58×1017cm-3以及有源层与栅极绝缘层接触面最小的缺陷阱密度(Nt)5.677×1011cm-2,使得器件显示出优秀的电气性能。例如：0.156V/dec的亚阈值摆幅（SS）、-3.596V的开启电压（VON）、-1.872V的阈值电压（VTH）和高达7.773×108的电流开关比（ION/IOFF)。与此同时,在负向偏置压力下,该器件也显示出最强的电气稳定性。由测试结果看出,较低的溅射功率有助于ITZO TFTs器件性能的提升。     

最优化多晶硅薄膜制成的高性能薄膜晶体管

多晶硅材料制备薄膜逻辑电路和开关阵列器件具有较高的电子迁移率的优点。然而,目前大多数研究工作注重于制备温度在1000℃左右的多晶硅材料,这就难免薄膜的再结晶。最近,英国GEC研究有限公司的Meakin等人报导了采用低得多的温度制备多晶硅材料的方法,并等一次详细探讨了淀积条件,薄的形貌和薄膜晶体管(TFT)特性之间的相互关系。     

基于聚合物绝缘栅的低电压有机薄膜晶体管

利用甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸环氧丙脂为栅绝缘层制备了酞箐铜有机薄膜晶体管,在电压为10V时器件具有较好的性能,栅绝缘层的漏电流密度低至2×10-8A/cm2 。测量其电容特性,该绝缘薄膜的介电常数介于3.9-5.0 。通过对绝缘层的减薄,阈值电压由 -3.5V 升至-2.0V,该酞箐铜有机薄膜晶体管可以在低电压下工作,其场效应迁移率为1.2×10-3 cm2/Vs 。     

微波退火法低温制备多晶硅薄膜晶体管

多晶硅薄膜晶体管以其独特的优点在液晶显示领域中有着重要位置。为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器,低温制备（小于600℃）高质量多晶硅薄膜已成为研究热点,文章利用微波加热技术,采用非晶硅薄膜微波退火固相晶化法低温制备出多晶硅薄膜晶体管,研究了微波退火工艺对多晶硅薄膜晶体管电学性能的影响。     

具有改进的场氧结构和双场板的680V薄膜SOI LDMOS

本文通过仿真和实验研究了一种具有改进的场氧结构和双场板的680V薄膜SOI LDMOS器件。新场氧结构通过“氧化-刻蚀-再氧化”过程形成,该结构所需的总氧化时间较短,且场氧表面与顶层硅几乎平齐。通过在场氧上扩展多晶硅,以及在介质层上形成长的金属场板来达到改善开态电阻的目的。通过设计最优化的漂移区注入掩膜板来实现漂移区线性掺杂分布从而获得均一的横向电场。采用与CMOS工艺兼容的工艺,在具有1.5微米的顶层硅和3微米的埋氧层的注氧键合SOI上成功制备LDMOS器件。测试结果显示,该器件反向击穿电压达680V,开态电阻为8.2ohm.mm2.     

450℃下制备的多晶硅薄膜晶体管寻址全色液晶显示器

采用激光诱导硅结晶的方法,在最大生长温度为450℃的条件下制备了多晶硅薄膜晶体管,这种方法制备的器件具有较高的迁移率(50cm~2/Vs),低的阈值电压(2V),低断路电流(10~(-12)A)和高的可靠性。采用这种多晶硅薄膜晶体管寻址制备了3.5英寸对角线的全     

NTT公司开发液晶用TFT技术

日本电信电话公司开发有源矩阵液晶显示用大面积、高分辨率、低成本的TFT制造技术.该技术是在玻璃衬底上集成TFT,用作液晶器件的驱动电路.采用有利于提高性能的多晶硅材料,研究廉价玻璃衬底上的低温制造技术是开发重点,此外还采用了新的高速驱动     

微波退火法制备多晶硅薄膜的电学特性研究

为实现多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器的实用化与产业化 ,低温 (<6 0 0°C)、快速制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文中将微波加热技术应用于金属诱导 a- Si薄膜横向晶化工艺中 ,成功实现了低温快速制备多晶硅薄膜。通过薄膜电阻率的测试 ,分析了多晶硅薄膜的电学特性。