多模干涉导波Si_(1-x)Ge_x/Si波分复用器

利用多模干涉自成象原理分析设计了具有较小循环周期比的１．３μｍ与１．５５μｍ波长的Ｓｉ０．９６Ｇｅ０．０４／Ｓｉ波分复用器．通过模的传播分析法对其传输特性进行分析发现，在８μｍ的耦合区宽度和１１５０μｍ的最佳耦合长度，这种器件对１．３μｍ和１．５５μｍ波长光的对比度均在４０ｄＢ以上，且插入损耗小于４e－３ｄＢ．     

基于光纤光栅和光学环形器的密集波分复用解复用器的实验研究

提出了一种实用的基于光纤光栅和光学环形器的密集波分复用解复用器，并对其进行了系统的实验研究。实验结果表明，该器件在０．３ｎｍ的通道间隔下，串话小于－１５ｄＢ，适合于密集波分复用。该器件还具有结构简单、通道扩展方便等特点。     

掺饵光纤放大器用1480／1550nm波分复用器的优化设计

以组合波导理论为基础，分析了１４８０／１５５０ｎｍ波分复用器的耦合区横截面形状和尺寸与偏振灵敏度的关系。着重比较了矩形截面和椭圆形截面二种波分复用器的偏振性能，并发现当椭圆截面的短轴与长轴之比为１：１．８８时，器件性能几乎与偏振无关。研制成功的１４８０／１５５０ｎｍ波分复用器的波长隔离度大于２０ｄＢ．偏振灵敏度小于０．１ｄＢ．附加损耗小于０．５ｄＢ。     

环形腔Yb光纤激光器获得1.053μm激光输出

我们用国产Ｙｂ硅光纤研制的激光器获得了１．０５３μｍ激光输出。激光器使用环形腔,用波分复用器把光纤连接而成。波分复用器的隔离比９８０ｎｍ／１０５３ｎｍ＝１８ｄＢ。光纤的芯径为６μｍ,在９２０ｎｍ处的吸收为６６００ｄＢ／ｋｍ,截止波长８６０ｎｍ,光纤长...     

新颖的掺铒光纤放大器无源复合组件的研究

报道了一种将光波分复用器与光隔离器集于一体的适用于掺铒光纤放大器的新颖复合组件。根据复合组件的性能指标对组件的结构参数进行了优化设计。实际制作的复合组件，得到泵浦光插入损耗＜０．６ｄＢ，信号光的插入损耗＜１．５ｄＢ，反向隔离度＞４２ｄＢ，体积为９×４５ｍｍ３。将复合组件用于掺铒光纤放大器中（前向泵浦方式）得到约３０ｄＢ的小信号增益，１０ｄＢｍ的饱和输出功率。     

4×622Mb／sWDM40km光通信系统实验

本文完成了我国第一个４×６２２Ｍｂ／ｓ波分复用（ＷＤＭ）光通信系统实验，使单根光纤线路通信容量达２．４Ｇｂ／ｓ。该系统以ＤＦＢ－ＬＤ为光源，工作波长在１．５５μｍ附近，ＬＤ的工作频率稳定度优于±１５０ＭＨｚ，信道间隔２ｎｍ左右，无中继传输距离为４３．６ｋｍ，采用Ｆ－Ｐ调谐光滤波器作为解复用器，接收机灵敏度达－３０ｄＢｍ。     

（YbTbBi）3Fe5O12块状单晶生长及其磁学性能

用且熔剂法生长出（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２块状单晶，测量了该单晶在１．０～１．７μｍ范围的Ｆａｒａｄａｙ旋转谱及透射谱，当温度为１０～８０℃，λ＝１．５５μｍ时，测得该单晶的Ｆａｒａｄｙ旋转温度系数为２．０×１０＾－２（°）．ｍｍ＾－１．Ｋ＾－１，所得结果表明：（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２单晶既有较大的Ｆａｒａｄａｙ旋转角，又有很小的温度系数。     

1.31／1.55μm高性能单模光纤波分复用器

本文报道一种采用融锥耦合器和滤光器混联技术制作的１．３１／１．５５μｍ高性能单模交纤分复用器。文中介绍了该器件的光学特性和环境稳定性的测试结果。最后分析了在实际系统应用时对波分复用器件性能指标的要求。     

（YbTbBi）_3Fe_5O_（12）块状单晶生长及其磁光性能

用助熔剂法生长出（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２块状单晶，测量了该单晶在１．０～１．７μｍ范围的Ｆａｒａｄａｙ旋转谱及透射谱．当温度为１０～８０℃，λ＝１．５５μｍ时，测得该单晶的Ｆａｒａｄａｙ旋转温度系数为２．０×１０－２．（°）·ｍｍ－１·Ｋ－１．所得结果表明：（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２单晶既有较大的Ｆａｒａｄａｙ旋转角，又有很小的温度系数     

新型掺Bi的YIG磁光薄膜

对用于磁光法拉第旋转器件的掺Ｂｉ的ＹＩＧ薄膜进行了介绍与分析，这种新型磁光薄膜（ＹｂＴｂＢｉ）３（ＦｅＧａ）５Ｏ１２是采用液相外延技术在ＣａＭｇＺｒ：ＧＧＧ晶片的（１１１）方向生长的，通过合理的配方及工艺生长出了成份均匀，光吸收小，在波长λ＝１．３１μｍ和λ＝１．５５μｍ时，插损分别为０．３ｄＢ和０．２ｄＢ，法拉第旋转角分别为２４００°／ｃｍ和１６００°／ｃｍ的薄膜，经抛光至２９０μｍ的厚度，法拉     

脉冲激光淀积高电流密度的YBCO超导带材

采用脉冲激光加辅助离子源的方法在长为６．０ｃｍ的ＮｉＣｒ合金基带上制备０．１３μｍ厚的Ｙ－ＺｒＯ２（ＹＳＺ）隔离层，再用脉冲激光在ＹＳＺ／ＮｉＣｒ带上制备１．５μｍ厚的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ超导厚膜形成ＹＢＣＯ／ＹＳＺ／ＮｉＣｒ超导带材。实验测得在７７Ｋ，０Ｔｅｓｌａ下其临界电流密度为８．７５×１０４Ａ／ｃｍ２，超导转变温度为８８．６Ｋ。     

融熔型窄复用信道间隔波分复用器的研制

对如何实现偏振不敏感的窄复用信道间隔波分复用器进行了分析,采用熔融拉锥技术,实现了复用信道间隔为２５ｎｍ,波长隔离度为１８ｄＢ的波分复用器,并预计可以实现具有更窄复用信道间隔的波分复用器。     

处理32通道的高速光波长选择器

在１９９９年２月加州圣地亚哥举行的光纤通信会议上,日本电报电话公司光电子实验室的研究人员计划报导一种高速３２通道光波长选择器（ＯＷＳ）。这种器件对高速波分复用（ＷＤＭ）系统具有重要意义。该公司的器件用平面光波电路和高速半导体光放大器驱动电路混合集成的办法制作在印刷电路接线板上。这种光波长选择器在２．３ｄＢ插入损耗（在１ｄＢｍ光输入时）、－４５ｄＢ串扰和小于１ｎｓ高速开关运转下达到了１０Ｇｂｉｔ／ｓ无差错运转。混合集成用于把８个４通道列阵、１．５５μｍ光点尺寸转换集成的半导体光学放大器组合到选通平…     

低功耗的频率合成集成块

低功耗的频率合成集成块日电公司推出的μＰＣ３．４０ＧＳ型双锁相环路（ＰＬＬ）频率合成器ＩＣ，工作电压为１．８Ｖ，应用于无绳电话、功耗特低的收音机和小型无线电装置可延长工作时间。此电路应用特殊的ＤＣ－１ＢｉＣＭＯＳ处理器电路技术，发射极宽仅０．８μｍ，...     

光泵NH3分子远红外激光的一条新谱线

利用反射光栅调谐的脉冲ＴＥＡＣＯ２激光１０Ｒ（６）泵浦０．２ｍ长的小型ＮＨ３分子远红外激光器，当泵浦能量为１．１Ｊ，ＮＨ３分子气压为０．９ｋＰａ时，产生２９８μｍ的新谱线，对应Ｖ２：ａＲ（０，０），受激喇曼跃迁。     

温度调谐LBO晶体光参量振荡器

本文详细研究０．５３２μｍ激光泵浦、温度调谐Ⅱ型非临界相位匹配ＬＢＯ光参量振荡器。当温度从２０℃升高到２００℃时，其信号波和闲置波的调谐范围分别为１．００２～０．８９８μｍ和１．１３４～１．３０６μｍ。本装置最吸引人之处是本征输出线宽比Ⅰ型情形小一个量级。     

PrBa2Cu3O6.3和YBa2Cu3O6.3材料的红外声子谱的比较

报道了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３和ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３多晶陶瓷ｃ抽取向薄膜中的红外光谱，在ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３中以９个声子模，对应于５Ｅｕ＋４Ａ２ｕ振动。在ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３材料中观察到１０个声子模，对应于６Ｅｕ＋４Ａ２ｕ振动，其中Ｐｒ的Ｅｕ和Ａ２ｕ模分别为位于１７０ｃｍ＾－１和１９８ｃｍ＾－１，Ｙ和Ｅｕ和Ａ２ｕ模分别位于１９１ｃｍ＾－１和２１７ｃｍ＾－１ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３和ＹＢａ２     

LP－MOCVD制作InGaAs／InPPIN光电二极管

采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ制作了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ平面型ＰＩＮ光电二极管。器件光敏面直径为７５μｍ，采用Ｚｎ扩散形成ＰＮ结，－６Ｖ偏置下其暗电流低达８～１３ｎＡ；反向击穿电压为６０Ｖ（１μＡ）。在没有增透膜时，对１．３μｍ注入光响应度为０．５６Ａ／Ｗ，光谱响应范围为０．９０～１．７０μｍ。     

40km光纤微波副载波12路调频电视传输系统

使用国产光器件实现了１．３μｍ４０ｋｍ单模光纤微波副载波复用１２路卫星调频电视宽带传输系统的实验。传输带宽为５００ＭＨｚ（０．９７～１．４７ＧＨｚ），光纤线路总损耗为１７ｄＢ。测量并分析了系统的载噪比特性，两者相符得很好。该系统经受了长期运转实验，工作稳定。     

0．05μmCMOS晶体管

０．０５μｍＣＭＯＳ晶体管据《ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ》１９９５年第２期报道，日本松下电器的半导体研究中心已研究出制造０．０５μｍＣＭＯＳ晶体管的一套技术。该技术可制作０．１μｍ以下的ＰＭＯＳ，实现０．０５μｍＣＭＯＳ。门延迟时间达到１３...