基于或-符合运算Reed-Muller展开系数的对称变量检测算法

针对或-符合代数系统中缺失对称变量检测的有效方法等问题,提出了该代数系统基于或-符合运算Reed-Muller展开系数的十二类变量对称性检测算法。该算法通过分析逻辑函数关于变量xi、xj展开的子函数系数矩阵和或-符合运算Reed-Muller展开系数按变量xi、xj组合分解系数矩阵的对应关系,揭示了任意两变量间各类对称性所满足的分解系数矩阵的约束条件,提出了各类逻辑变量的对称性检测步骤。应用结果表明,与传统方法相比,免去了从逻辑函数的CRM展开式变换为最小项展开式或RM展开式的变换域转换过程,也解决了在该域中图形方法检测的完备性问题,具有简单、直观、完备及适合计算机编程等优点。     

计算布尔E-导数的新算法

为了简化与-或-非代数系统布尔E-导数的计算过程,提出了一种基于表格的新算法.该算法通过用表格列出逻辑函数的1值最小项,并对1值最小项中相应位取反变换产生重复项来计算一阶布尔E-导数.二阶布尔E-导数通过相应两位的取反变换产生重复项来得到.含任意项布尔函数的1值最小项和任意项中相应位取反变换产生重复的1值最小项和新的任意项来计算一阶布尔E-导数.二阶含任意项布尔E-导数通过相应两位取反变换产生重复的1值最小项和新的任意项来计算.该方法用表格模拟了计算布尔E-导数的过程.应用结果表明,与图形方法相比较,该方法不需要画图,操作简便,可适用求解多变量逻辑函数以及计算机编程.     

基于阈值逻辑的逻辑函数综合算法研究

阈值逻辑门由于具有强大的逻辑功能且独自构成完备集而备受关注。为了设计以阈值逻辑门为单元结构的电路,该文首先分析了谱技术与阈值函数的关系,并通过零次、一次谱系数计算阈值函数的权值和阈值。对于非阈值函数,该文提出了新的逻辑函数综合算法,可以将任意非阈值函数转化为几个阈值函数和的形式。因此,使用一个或多个阈值逻辑门组成的网络可以实现任意布尔逻辑函数。该算法为共振隧穿二极管的电路设计提供一种新方法。     

4个多模泛函相干态叠加态的等幂偶次Y压缩

构造了由多模泛函相干态|{fj(xj,yj,zj)}〉q、多模泛函相干态的相反态|{-fj(xj,yj,zj)}〉q、多模复共轭泛函相干态|{f j(xj,yj,zj)}〉q四态线性叠j(xj,yj,zj)}〉q和多模复共轭泛函相干态的相反态|{-f 加组成的四态叠加多模泛函叠加态光场|Ψ(4)(fj)〉q。利用多模压缩态理论,研究了态|Ψ(4)(fj)〉q的广义非线性等幂偶次Y压缩特性。结果表明:在一定条件下,态|Ψ(4)(fj)〉q可呈现出任意偶数次的广义非线性等幂次2p(p=1,2,…)次方Y压缩效应;光场经典强度的空间分布函数|fj(xj,yj,zj)|2(j=1,2,…,q),对态|Ψ(4)(fj)〉q的等幂偶次Y压缩效应的压缩程度、压缩深度和压缩幅度等产生直接影响。     

归一化的Haar变换谱系数的图形表示及其与K图的转换

该文提出了归一化Haar变换谱系数的图形表示ha系数图,给出了布尔函数卡诺图与ha系数图之间的图形转换方法,并举例说明转换过程。该方法具有简单、直观和准确的特点。     

利用偏差函数的周期性和对称性的并行Bresenham直线算法

通过对Bresenham直线算法中偏差函数(决策变量)周期性和对称性研究,提出一种基于多段扫描转换的直线扫描转换算法。该算法利用偏差函数的以上特点,通过并行填充各段像素来替代逐点计算,是一种直线扫描转换的新思路。     

基于遗传算法的动态Bayesian网结构学习的研究

动态Bayesian网是复杂随机过程的图形表示形式,从数据中学习建造动态Bayesian网是目前的研究热点问题.本文针对该问题提出了一种遗传算法.文中设计了结合数学期望的适应度函数,该函数利用进化过程中的最好动态Bayesian网把不完备数据转换成完备数据,使动态Bayesian网的学习分解为两个Bayesian网(初始网和转换网)的学习,简化了学习的复杂度.此外,文中给出了网络结构的编码方案,设计了相应的遗传算子.模拟实验结果表明,该算法能有效地从不完备数据序列中学习动态Bayesian网,并且实验结果说明了隐藏变量的作用和遗传控制参数对结果模型的影响.     

基于新型量子逻辑门库的最优NCV三量子电路快速综合算法

许多量子电路综合算法由于指数级时间与空间复杂度,只能用可逆逻辑门综合3量子逻辑电路,仅有少数算法实现用量子非门,控制非门,控制V门与控制V⁺门(NCV)综合3量子逻辑电路,主要方法是将电路综合问题简化为四值逻辑综合问题.本文提出用NCV门构造新型量子逻辑门库,该库与NCV门库在综合最优3量子逻辑电路上等价,因此又可将四值逻辑综合问题进一步简化为更易求解的二值逻辑综合问题,使用基于完备Hash函数的3量子电路快速综合算法,快速生成全部最优的3量子逻辑电路,以最小代价综合电路的平均速度是目前最好结果Maslov 2007的近127倍.     

复合调制雷达信号时差估计算法

现代雷达信号环境中, 复合调制信号正在逐步得到广泛应用。该文提出了一种针对频移键控与二相编码(FSK-BPSK)复合调制信号的时差估计算法。该算法紧密结合该信号子脉冲频率分布具有对称性, 时域长度具有一致性等特点, 通过子脉冲相关函数的理论推导得出FSK-BPSK复合调制脉冲信号的相关函数。最后利用相关函数拟合算法, 可根据观测数据进一步精确估计时间延迟(TDOA)。通过仿真实验, 证明该算法相比于其他时差估计算法, 其算法估计的准确性、抗噪性都有明显提升, 且适用于带宽较小的复合调制信号的时差估计情况。      

多地开关电路的异或逻辑函数设计法

在日常生活中,人们常遇到从两处用开关控制一盎灯的问题,一般从思维推理判断就能设计这样的开关电路。但是,当需要从多处用开关控制灯电路,用这种凑合方法来设计是很困难的。本文提出一种逻辑电路设计法,简明方便,且不受控制地点过多的限制。一、基本原理多地控制灯电路实质上是一个异或逻辑电路,所以先简要介绍异或逻辑函数及其主要特性,和包含异或(同或)因子的逻辑函数最小化方法。 (一)异或(同或)逻辑函数设变量A和B逻辑值不相同时,逻辑函数输出值为1,否则为0,则该逻辑函数称为异或逻辑。其逻辑     

Vanadium-based ohmic contacts to n-type Al<Subscript>0.6</Subscript>Ga<Subscript>0.4</Subscript>N

Four vanadium-based contacts to n-type Al_0.6Ga_0.4N were compared in this work. Both V/Al/Pd/Au and V/Al/V/Au contacts with optimized layer thicknesses provided lower specific-contact resistances than did the previously reported V/Al/Pt/Au ohmic contact. Specific contact resistances of the V/Al/Pd/Au (15 nm/85 nm/20 nm/95 nm) and V/Al/V/Au (15 nm/85 nm/20 nm/95 nm) contacts were 3×10⁻⁶ Ω·cm² and 4×10⁻⁶ Ω·cm², respectively. On the other hand, an analogous V/Al/Mo/Au contact never became ohmic, even after it was annealed at 900°C for 30 sec. Compared to the V/Al/Pd/Au contact, the V/Al/V/Au contact required a less severe annealing condition (30 sec at 700°C instead of 850°C). The V/Al/V/Au contact also provided a smoother surface, with a root-mean-square (RMS) roughness of 39 nm.     

1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件及SPDT开关MMIC

利用MBE外延材料和接触式光学光刻方式,成功制备出1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件,分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au作为栅电极金属.获得了优越的DC和RF性能,Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au MHEMT器件的gm为502(503)mS/mm,JDss为382(530)mA/mm,VT为0.1(-0.5)V,fT和fmax分别为13.4(14.8),17.0(17.5)GHz.利用单片集成增强/耗尽型GaAs基MHEMT器件制备出九阶环型振荡器,直流电压为1.2V时,振荡频率达到777.6MHz,门延迟时间为71.4ps.利用Ti/Pt/Au MHEMT器件设计并制备出了DC-100Hz单刀双掷(SPDT)关MMIC,其插入损耗、隔离度、输入输出回波损耗分别优于2.93,23.34和20dB.     

Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)存储器

利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT／PZT／BIT，PZT／BIT和BIT层状铁电薄膜，获得了电流密度－电压（I－V）回线和极化强度P－V电滞回线。在这三种结构中，Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100）结构的界面电位降、内建电压及频率效应是最小的。在电压转变电VT、饱和极化强度Ps及矫顽场Vc之间有三种关系，他们与I－V回线及P－V回线的关系相匹配，这种匹配关系使得以I－V回线操作的存储器将能够非挥发和非破坏读出及具有保持力。     

多媒体通信中基于ABR业务的融入凭证方式的速率控制机制

提出了一种融入基于凭证方式的基于速率的流量控制模型，该模型继承了基于凭证方法的记数机制，通过设定高低缓存门限和调节速率升降因数来控制源端速率。仿真结果表明，这种控制机制不仅能够保证缓存的充分利用，而且能够提高其在减少信元丢失、降低传输时延等方面的性能。     

WLAN工程设计

本文就WLAN工程设计提出了带有普遍意义的概念,包含室内覆盖、室外覆盖、室外(视距内)无线桥接。并就无线侧的规划、优化进行了浅析。     

难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性

用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W/Ti/Au多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触,在溅射金属层之前分别用HCl溶液和(NH4)2S溶液对n-GaAs材料的表面进行处理．用传输线法对比接触电阻进行了测试,并利用俄歇电子能谱（AES）、X射线衍射图谱（XRD）对接触的微观结构进行了分析．结果表明,用(NH4)2S溶液对n-GaAs材料表面进行处理后,比接触电阻最小;在700℃快速合金化后获得最低的比接触电阻,约为4.5×10－6Ω·cm2．这是由于(NH4)2S溶液钝化处理后降低了GaAs的表面态密度,消除了费米能级钉扎效应,从而改善了难熔金属与GaAs的接触特性．     

TiO2/n-Si/p-Si及n-PS/p-PS/Si的光伏特性

在抛光的p型单晶硅上通过扩散工艺制备pn结,采用此种硅片利用阳极腐蚀法制备多孔硅(PS).用磁控溅射镀膜机在有pn结的单晶硅表面镀上一层TiO2纳米结构薄膜,并用表面光电压谱(SPS)研究了n-PS/p-PS/Si和TiO2/n-Si/p-Si的表面光伏特性.结果表明TiO2/n-Si/p-Si和n-PS/p-PS/Si的光伏效应比n-Si/p-Si在不同程度上有所提高.在300～600 ℃热处理温度范围内TiO2/n-Si/p-Si的光伏效应随温度的升高而增强,600～800 ℃范围内随温度的升高而降低.     

一种适用于科研单位的混合组网方式

本文基于网络逻辑隔离概念,利用业务随行、VxLAN和SDN等网络新技术进行网络架构规划,在减少基础建设投资的前提下,通过精准逻辑隔离的方式对科研单位的办公网、科研网和数据中心网络进行整体架构设计.该方式在不能单独组网(传统物理隔离)的条件下实现了网络终端、服务器、试验装置的访问可控和权限可控,可保障科研单位的整体网络运...     

1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件及SPDT开关MMIC

利用MBE外延材料和接触式光学光刻方式,成功制备出1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件,分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au作为栅电极金属.获得了优越的DC和RF性能,Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au MHEMT器件的gm为502(503)mS/mm,JDss为382(530)mA/mm,VT为0.1(-0.5)V,fT和fmax分别为13.4(14.8),17.0(17.5)GHz.利用单片集成增强/耗尽型GaAs基MHEMT器件制备出九阶环型振荡器,直流电压为1.2V时,振荡频率达到777.6MHz,门延迟时间为71.4ps.利用Ti/Pt/Au MHEMT器件设计并制备出了DC-100Hz单刀双掷(SPDT)关MMIC,其插入损耗、隔离度、输入输出回波损耗分别优于2.93,23.34和20dB.     

面向全业务运营的城域传送网的建设

本文首先展望了全业务的发展,然后主要阐述为了满足全业务接入需求,城域传送网的建设方案。