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本文主要介绍了用微波等离子体化学气相沉积法(以下简称MP CVD法)以甲醇-氢气混合气和丙酮-氢气混合气为源气体,分别以单晶硅的(111)面和人造金刚石的(100)面为衬底材料,制备出了面积为20mm×20mm厚为10μm的多晶金刚石膜和面积为1.0mm×1.0mm厚为5μm的单晶金刚石膜。通过试验发现,源气体配比和衬底温度对薄膜质量起决定性作用。另外,衬底在反应腔中的位置对薄膜的生成也有很大影响。单晶金刚石膜制备过程中衬底金刚石的晶体取向与金刚石薄膜的生长及质量有密切的关系。在金刚石的(100),(110)和(111)面上分别获得了单晶金刚石膜和金刚石多晶粒子。选用扫描电镜、显微激光拉曼、反射电子衍射对多晶金刚石膜及单晶金刚石膜的性能进行了测试。 相似文献
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类金刚石膜结构的红外分析 总被引:4,自引:0,他引:4
采用直流-射频等离子化学气相沉积方法制备出类金刚石薄膜,用Fourier秀昨吸收谱对类金刚石膜的结构进行了研究,类金刚石膜中大部分碳原子以sp^3组态存在,结合在膜中的氮原子与碳原子之间可形成sp^3C-CH2,sp^3C-CH3和sp^2C-CH2基,其含量以sp^3C-CH2,增加Ar气分压与提高极板负偏压对类金刚石膜结构产生的影响,是相似的,增大极板负偏压或Ar气的含量将减小类金刚石膜中sp 相似文献
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采用射频等离子增强化学气相沉积法制备出a-C:H(N)类金刚石薄膜,用X射线光电子能普、红外吸收光谱和慢正电子湮灭谱研究了薄膜的结构,用弯曲法测定了薄膜的内应力。随着混合气体中N2的含量从0增加到75%,薄膜中N量可增加到9.09%(摩尔分数),N原子与C原子以C-N,C=N和C≡N键的形式结合,薄膜中的缺陷密度随含N量而增加,而薄膜的内应力则随着薄膜中N含量的增加而单调降低。 相似文献
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探讨了液相沉积法制备类金刚石的新工艺,并采用XPS,Raman光谱和SEM等对所得膜的结构进行表征,证实所得的是类金刚石膜。液相沉积得到的类金刚石膜与钛合金基材之间具有较强的结合强度,并具有较低的摩擦系数和一定的耐磨损能力。 相似文献
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热丝CVD法高速生长金刚石膜研究 总被引:2,自引:0,他引:2
使用热丝CVD研究了碳源种类,氧气含量,灯丝温度,基底与灯丝间距离及异常辉光放电等对金刚石膜生长速度的影响,在此研究的基础上,优化工艺参数,使热丝CVD法生长金刚石膜的速度提高到20μm/h。 相似文献
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以等离子体化学气相沉积技术在硬质合金刀具表面制备了类金刚石(DLC)涂层.研究了DLC涂层刀具和无涂层刀具的硬度,不同载荷、不同转速下两种刀具的摩擦磨损性能,以及在水润滑和油润滑条件下DLC涂层刀具的滑动摩擦行为.结果表明,DLC涂层刀具的平均硬度为2 099.9 HV,比无涂层刀具提高了48.3%;DLC涂层刀具的摩擦因数明显低于无涂层刀具,其磨损率随着载荷的增加而增大,随转速的增大而减小;油润滑比水润滑能更有效减缓摩擦作用. 相似文献
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DC—PCVD法快速制备Si3N4薄膜 总被引:2,自引:1,他引:2
采用DC-PCVD方法,控制工艺参数,在GCr15钢试样上获得40μm厚的,以Si3N4为主要成分的非晶态绝缘薄膜,沉积速率约为37A/s,讨论了沉积速率高的原因。 相似文献
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碳纤维直径对结构和性能的影响 总被引:5,自引:1,他引:5
借助于光学显微镜、扫描电镜和单丝的机械、电性能测试,探讨了PAN原丝直径对预氧丝和碳纤维模截面结构、碳纤维抗张强度、电阻率的影响。结果表明:预氧丝的芯直径随丝的直径增大而增大;粗碳纤维的结构不均匀性比细纤维严重,且在较粗的碳纤维横截面上会出现中空。在一束碳纤维中,随着纤维直径增大,单丝抗张强度下降,电阻率上升。 相似文献