同位素铁靶制备技术

介绍了同位素铁靶的制备技术，包括氧化铁的还原、铁粉的熔化和铁靶的制备。采用聚焦束溅射和滚轧制备技术能获得自支撑^56Fe靶的最小厚度分别为50和360μm/cm^2。     

无衬底铁靶的制备

本文介绍用真空蒸发制备厚度为1μm左右的无衬底铁靶的方法。 一、引言 无衬底铁靶是为核物理实验~(56)Fe(p,n)~(56)Co反应而制备的。在这个靶的制备过程中,我们采用了氯化钠作脱膜剂、不锈钢片作衬底和氧化铝坩埚作蒸发器的真空镀膜技术,成功地制备了厚度为1μm左右的无衬底铁靶。     

电沉积法制备铁靶

对加速器生产同位素＾５６Ｃｏ所用铁靶的制备工艺进行了研究。通过研究电沉积过程中影响Ｆｅ靶层质量,电流效率的各种因素,确定了最佳工艺条件,制备出了质量厚度大于５０ｍｇ／ｃｍ＾２表面光亮,致密的Ｆｅ靶。     

埋点靶制备工艺研究

研究了激光惯性约束聚变(ICF)实验中一种基础基准靶埋点靶的制备工艺过程.埋点靶的制备过程主要包括CH膜的制备、埋点的定位和埋点材料的制备.其中,CH薄膜的制备及其性质是制备埋点靶的关键工艺环节.最后给出了埋点靶的制备工艺流程.     

硼靶制备技术的研究

介绍Ｂ靶制备技术及其质量厚度测量方法,静电振动,高压电喷和离心沉淀主极用于制备有衬Ｂ靶,而聚焦重离子束溅射和电子轰击可用来制备自支撑Ｂ靶和有衬Ｂ靶,Ｂ靶的质量厚度用分光光度法和称重法测量。     

同位素~(106)Cd金属自支撑靶的制备及废靶的再生利用

用滚压技术制备出同位素１０６Ｃｄ自支撑靶,并成功地利用破靶膜的再生方法。制备出可供使用的靶膜。     

等熵稀疏靶的制备及靶参数精密测量

本工作研究等熵稀疏靶的制备工艺和靶参数的测量方法.采用精密激光加工工艺将Al、Au、Ag、Cu、Zn等高纯金属薄膜切割成百微米量级宽度的窄条,再结合精密微装配技术获得应用于状态方程实验所需的等熵稀疏靶.运用白光干涉仪对等熵稀疏靶进行参数精密测量.将等熵稀疏靶运用到"神光Ⅱ"上进行实验打靶,并获得优质的实验图像.     

同位素208Pb靶的制备

介绍了一种弧形靶框夹芯^208pb靶的制备工艺,包括核靶的制备装置和制备方法、核靶厚度和均匀性的控制和测量方法,并对结果进行了讨论.制备采用旋转蒸镀法,该法可以大大提高材料的利用率.所制靶的结构为30μg/cm^2 C＋361 μg/cm^2 ^208pb＋15 μg/cm^2 C,同一次所制的靶平均厚度为361μg/cm^2,不均匀性小于9.8%.其性能能够很好地满足超重核实验研究的要求.     

同位素208Pb靶的制备

介绍了一种弧形靶框夹芯208pb靶的制备工艺,包括核靶的制备装置和制备方法、核靶厚度和均匀性的控制和测量方法,并对结果进行了讨论.制备采用旋转蒸镀法,该法可以大大提高材料的利用率.所制靶的结构为30μg/cm2 C+361 μg/cm2 208pb+15 μg/cm2 C,同一次所制的靶平均厚度为361μg/cm2,不均匀性小于9.8%.其性能能够很好地满足超重核实验研究的要求.     

同位素l06Cd金属自支撑靶的制备及废靶的再生利用

用滚压技术制备出同位素＾１０６Ｃｄ自支撑靶,并成功地利用破靶膜的再生方法,制备出可供使用的靶膜。     

单点金刚石切削技术在EOS靶制备中的应用

针对激光状态方程(Equation of state,EOS)实验对靶的高精度、表面高质量、材料密度达到或接近理论密度的需求以及金刚石切削技术不改变原材料密度、加工精度高、粗糙度小的特点,阐述了单点金刚石切削技术(SPDT)在EOS靶制备中的应用情况,包括铝、铜等金属薄膜零件制备、多种结构整体式台阶靶制备、整体式楔形靶...     

用背散射技术分析核靶的污染

在使用真空蒸发和电镀两种方法制备核靶的过程中,基衬、脱膜剂和坩埚等都会给核靶带来污染。用合适的方法分析核靶的污染,从而改进制备工艺,是制靶技术迫切需要解决的问题。我们用背散射技术分析了核靶中的杂质,使用2MeV的~4He~ 离子束,散射角为160°和135°,探测系统的能量分辨率为16keV。     

同位素靶制备技术的研究

系统地介绍了同位素靶的制备技术，包括核靶的制备手段（真空蒸发、聚焦重离子束溅射、滚轧、电镀、离心沉淀），同位素化合物还原工艺（还原蒸馏、电解还原）和核靶的贮存方法（干燥法、抽真空法、低温干燥法）。     

自支撑Mg靶膜的制备

用真空蒸发法成功制备了１７０．０～１９６．１μｇ／ｃｍ＾２的薄自支撑Ｍｇ靶膜和９０～９５μｍ的厚自支撑Ｍｇ靶膜。甜菜碱是制备Ｍｇ靶膜有解离剂，讨论了真空蒸发制靶过程中的主要技术难点。     

单点金刚石切削技术在ICF靶制备中的应用

单点金刚石切削(SPDT)技术是上世纪80年代以来国际上推广应用的一项新技术,是实现超精密加工的有效技术途径。本文阐述了SPDT技术的原理、特点以及在ICF靶制备中的应用,包括腔体的制备、异形靶零件的制备以及泡沫车削加工等。     

高效X光背光源靶材料的研究进展

靶材料的成分、微结构和密度是决定激光驱动X光背光源光子能量和强度的关键参数。基于此,介绍了背光源靶的分类、靶材料的制备及其与强激光的作用机制。背光源靶有着由稠密靶向欠稠密靶发展的趋势,其中,泡沫疏松靶以其操作安全和可选成分广泛等优点成为高效欠稠密靶。泡沫疏松靶材料又包含纳米纤维和气凝胶：纳米纤维是由静电纺丝结合热处理工艺制备的,具有成型性好、发光原子含量高等特点;而气凝胶靶则通过溶胶-凝胶技术结合超临界流体干燥工艺制备,其微结构均匀、理论转换效率高,但目前合成条件复杂、发光原子含量较低。结合多种溶胶-凝胶技术合成密度低、发光原子含量高的块体气凝胶将成为背光源制靶重要的研究方向。     

现代微加工技术与核靶制备

现代微加工技术是制备具有微米、亚微米甚至纳米结构器件的重要手段。文章介绍了现代微加工工艺中的薄膜技术、图形技术以及刻蚀技术，根据核靶技术的发展，阐明了现代微加工技术在核靶制备领域的广阔应用前景。     

同位素靶的备制技术

本文系统地介绍了同位素靶的制备技术,主要内容包括核靶的制备手段(真空蒸发、聚焦重离子束溅射、滚轧、电镀、离心沉淀),同位素化合物还原工艺(还原蒸馏、电解还原)和核靶的贮存方法(干燥法、抽真空法、低温干燥法)。     

同位素靶的备制技术

本文系统地介绍了同位素靶的制备技术,主要内容包括核靶的制备手段(真空蒸发、聚焦重离子束溅射、滚轧、电镀、离心沉淀),同位素化合物还原工艺(还原蒸馏、电解还原)和核靶的贮存方法(干燥法、抽真空法、低温干燥法)。     

惯性约束聚变用合金薄膜靶制备方法

阐述了与制备惯性约束聚变(ICF)用合金薄膜靶有关的理论和方法,讨论了ICF合金薄膜靶制备中存在的问题与解决方案.对制备方法的选择、组成合金薄膜的性质与结构和成分分布的关系进行了分析及讨论.