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本文讨论了影响彩管电子枪分辨率的主要因素,分析了高分辨率电子枪设计思路,并对历年来各大CRT公司及相关研究机构开发的主要类型的电子枪作了介绍。 相似文献
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本文在介绍高速A/D转换集成电路CA3318结构组成的基础上,设计成一种以检验其静态特性的简易可行的测试电路,并指出其应用注意事项。 相似文献
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46cm(19″)彩色显示管(CDT)的研制是为计算机(PC)和工作站(WS)而研制开发的。这种新尺寸的CDT管,其荧光粉节距是0.26mm的点状结构,电子枪为A-EA-MDF结构,并配有鞍鞍型偏转线圈,它能显示2M的象素点。为了达到高对比度,低反射率和低泄漏电场,使用了瓣研制的屏表面涂层。 相似文献
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大屏幕彩色显像管电子枪通常采用非轴对称四极透镜,其目的是形成一定正像散的着屏光点以抵消偏转磁场产生的负像散。理想情况是差屏光点在任何工作电流下都具有一定正像散。对几种典型大屏幕彩色显像管电子枪聚集性能进行模拟表明:理想情况只出现在一定电流范围内,电汉变化时,着屏光点的像散量会有较大的变化。 相似文献
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一种节距为0.24mm的条状荧光粉结构的全平面彩色显示研制出来了,在此管中,使用职向异性的槽孔结构的张力荫罩,玻屏表面具有A/R防反射导电层,以便于进行TCO调整;其电子枪为一种新型的DQ-DAF电子枪,偏转线圈国一种新型的DY,它满足彩色显示管的多扫描系统,并具有自会聚调整功能,作为首次应用,本系统包含未来彩色显示管发展的三个方面,就是全平面,条状荧光粉结构和多扫描功能。 相似文献
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一种具有新的非对称的束形成区和主透镜系统的新型电子枪已经开发出来,这种电子枪已用于40cm0.28mm CDT显示管中。在阴极电流Ik=0.2mA时,屏中心10%处垂直电子束光点直径为0.65mm;在Ik=0.2 ̄0.5mA时,电子枪的聚焦电压差小于300伏,而且其它性能均能满足显示管各方面的显示要求。 相似文献
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采用动态聚焦电子枪能够提高CRT的边缘分辩率,本文对一种动态聚焦电子枪进行了计算与分析,并讨论了其静态聚焦特性,动态聚焦特性及四极场的作用。 相似文献
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日立公司的EA—UB电子枪是比较成熟的产品,形成了EA—UB枪、SDF枪、AF枪等系列产品,用于大屏幕彩管。为了进一步改进电子枪的聚焦性能,保证大屏幕纯平面彩管的品位,日立公司最近开发出新一代XEA电子枪,本文对XEA电子枪电子束形成区、主透镜等进行了计算机模拟,对该优异性能的内在原因进行了分析和研究。 相似文献
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具有MALS功能的新型电子枪 总被引:1,自引:1,他引:0
一个新型具有多像散透镜系统的电子枪已开发成功,它有效地改进了全屏分辨率的均匀性。该电子枪的特点是有三个像散射镜(G1、G2、主透镜)和两个动态像散透镜(G3和G5)。在屏的四角,静态像散透镜消除了偏转散焦。在屏中央,动态像散透镜消除了静态像散射镜的影响。结果使电子束尺寸的垂直和水平之比由原来的1:2,改进成1:1.3,使四角电子束尺寸在水平方向的改进达25%。 相似文献
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VHDL是一种超高速VLSI硬件描述语言,能对集成电路的功能和结构进行描述,用CAD软件将其编译和转换,并自动形成线路,概要地介绍了VHDL的设计组织和数据类型,并对VHDL的特点及其在VLSI设计中的应用要点做了一些探讨。 相似文献
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一种视频8位CMOS折叠—插值A/D转换器的设计 总被引:3,自引:0,他引:3
CMOS折叠式A/D转换器结构是一种能兼顾面积,功耗与转换速度的新型结构,分析了折叠-插值A/D转换器的原理,着重介绍一种8位CMOS折叠-插值电路的设计考虑和版图设计,最后给出了模拟结果。 相似文献
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本文设计实现了一个高精度的双通道过采样A/D电路,它采用由两个二阶调制器极联实现的四阶增量-总和调制器结构,并通过优化调制器内部各级增益,在改善过采样A/D的人信号过载特性的同时提高其最大输出信噪比。为降低数字开关噪声对过采样A/D性能的影响,本文采用了一种低噪声电流控制逻辑设计数字电路。实验芯片的测试结果表明,在64倍的过采样率下,电流控制逻辑通道和静态CMOS逻辑通道分别获得了91dB和84. 相似文献
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讨论了已有的几种A/D转换器结构原理及其特点,介绍了一种新研制的CMOS折叠-插值A/D芯片结构的设计原理和性能特点。 相似文献
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讨论了已有的几种A/D转换器结构原理及其特点,介绍了一种新研制的CMOS折叠-插值A/D芯片结构的设计原理和性能特点。 相似文献
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采用AK材荫罩的彩色显像管(缩写CPT),在大电流工作状态下,荫罩会产生较大的热拱形变,从而导致电子束发生较大的漂移、极易造成着屏不良,严重地影响着彩管的亮度和均匀性,是困扰彩管制造厂家的一大难题。本篇论文以54cm(21”)东芝型CPT为例,着重讨论在强弱电流下彩管的色纯漂移(缩写PD)特性和预着屏透镜的设计。 相似文献