多功能程控闪光Bi—CMOS集成电路

引言 随着人们生活水平和审美观念的提高,美化城市,美化家庭乃至个人的装饰已日益受到人们的重视。同时随着市场和商品经济的发达,不夜城的兴起,广告业的发展,这些都需要提供一种专门用于灯光控制和装饰的专用集成电路.根据市场这一预测,我们设计和     

八路闪光集成电路

<正> 现在用于闪光的集成电路有许多品种,但是大多数集中在三路、五路的闪光品种上,而在许多场合下觉得闪光路数太少,而且闪光形式单调,八路闪光集成电路可以弥补以上的不足。     

VH5162电脑程控闪光集成电路

ＶＨ５１６２电脑程控闪光集成电路具有四路驱动输出和八种工作模式。可广泛用于节日彩灯、家庭装饰、舞台灯台、电子玩具和音响闪光彩灯等场合。ＶＨ５１６２的电源电压为２～５Ｖ ,典型值为３Ｖ ,最大静态电流为１０μＡ ,最大工作电流为３００μＡ。１引脚功能ＶＨ５１６２采用ＤＩＰ-１４脚封装 ,图１所示是其引脚排列 ,各引脚功能如下 :１脚（ＮＣ） :空脚 ;２脚（ＲＥＳＺ） :复位输入端 ;３脚（ＯＳＣＩ） :ＲＣ振荡输入端 ;４脚（ＯＳＣＣ） :ＲＣ振荡反馈输出端 ;５脚（ＯＳＣＲ） :ＲＣ振荡反馈输出端 ;６脚（ＧＮＤ） :电源负极 …     

霹雳灯闪光集成电路Y977A/B

<正> 现在许多家用电器都设有电子闪光,以增加娱乐性,如录音机有闪光显示,电风扇也有闪光显示,摩托车加上闪光显示后除增加美观外还可以作为夜间安全行车的显示。本文介绍专用霹雳灯闪光集成电路Y977A/B及其应用。     

一种BiCMOS过温保护电路

在分析现有过温保护电路的基础上,针对它们电路结构复杂、功耗较高、工作电压高等缺点提出了一种用于集成电路内部的采用BiCMOS工艺的过温保护电路,电路结构简单、功耗较低、工作电压低、抗干扰能力强,对温度的迟滞特性避免了热振荡对芯片带来的危害。采用0．6μm BiCMOS工艺的HSPICE仿真结果表明,该电路对因电源电压、和工艺参数变化而引起的温度迟滞特性的漂移具有很强的抑制能力。     

一种低压低功耗Flash BiCMOS SRAM的设计

设计了一种静态随机读写存储器(SRAM)的BiCMOS存储单元及其外围电路。HSpice仿真结果表明，所设计的SRAM电路的电源电压可低于3V以下，它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成度的特征，又获得了双极型电路快速、大电流驱动能力的长处，因而特别适用于高速缓冲静态存储器和便携式数字电子设备的存储系统中。     

合并互补BiCMOS集成电路的研究

分析了几种常规ＢｉＣＭＯＳ门电路的特性，对合并互补（ＭＣ）ＢｉＣＭＯＳ集成电路的二输入与非门和１１级环形振荡器进行了实验研究，并与常规ＢｉＣＭＯＳ进行了比较。实验结果说明，ＭＣＢｉＣＭＯＳ具有电路结构简单，芯片面积小，工作速度高，负载能力强和低压工作特性好等优点。     

一种BiCMOS过热保护电路

提出了一种集成于电源管理芯片内部的过热保护电路。采用0．6μm BiCMOS工艺参数，对电路进行模拟仿真，并与先前提出的过热保护电路进行比较。结果表明，该电路具有关断和开启阈值点的准确性强、对温度灵敏度高、超低静态电流和低功耗等特点。     

1.5V高速全摆幅BiCMOS逻辑电路的研究

分析了影响ＢｉＣＭＯＳ全摆幅输出和高速度的因素,探索了一种新的抑制ＢＪＴ过饱和和反馈网络,提出了具有高速全摆幅输出的ＢｉＣＭＯＳ逻辑单元。该单元可以工作于１．５Ｖ,并且易于多输入扩展,它特别适于ＶＬＳＩ设计。模拟结果表明,该单元实现了优于ＣＭＯＳ的全摆幅输出,且其速度高于同类ＣＭＯＳ电路１０倍以上。     

一种高速BiCMOS采样/保持电路的设计

给出了一种基于BiCMOS OTA的高速采样/保持电路。设计采用0.35μm BiCMOS工艺,利用Cadence Spectre进行仿真。当输入信号为242.1875 MHz正弦波,采样速率为500 MSPS时,该采样/保持电路的SFDR达到59 dB,各项指标均能达到8位精度。在3.3 V电源电压下的功耗为26 mW。该采样/保持电路已应用到高速8位A/D转换器的研制中,取得了很好的效果。     

一种BiCMOS欠压保护电路的设计

基于0.6μm BiCMOS工艺,设计实现了一种欠压保护电路.该电路结构简单,避免使用电压基准和比较器等辅助模块,工艺实现容易,可用于功率集成电路或单片集成电源.仿真结果表明,该电路能在欠压时输出逻辑信号,且有迟滞功能.     

全差分BiCMOS采样/保持电路仿真设计

在全差分折叠式共栅-共源运放的基础上,设计了一款BiCMOS采样/保持电路。该款电路采用输入自举开关来提高线性度,同时设计的高速、高精度运放,其建立时间tS只有1.37 ns,提升了电路的速度和精度。所设计的运放中的双通道共模反馈电路使共模电压稳定输出时间tW约达1.5 ns。采用SMIC公司的0.25μmBiCMOS工艺参数,在Cadence Spectre环境下进行了仿真实验,结果表明,当输入正弦电压频率fI为10 MHz、峰-峰值UP-P为1 V,且电源电压VDD为3 V、采样频率fS为250 MHz时,所设计的采样/保持电路的无杂散动态范围SFDR约为-61 dB,信噪比SNR约为62 dB,整个电路的功耗PD约为10.85 mW,适用于10位低压、高速A/D转换器的设计。     

一种基于SiGe BiCMOS的高速采样/保持电路

设计了一种基于BiCMOS工艺的高速采样/保持电路,该工艺提供了180 nm的CMOS和75 GHz fT的SiGe HBT.差分交换式射极跟随器和低下垂输出缓冲器的结合,使电路具有更好的性能.在Cadence Spectre环境下进行仿真,当输入信号为968.75 MHz、Vpp为1 V的正弦波,采样速率为2 GSPS时,该采样/保持电路的SFDR达到62.2 dB,THD达到-59.5 dB,分辨率达到9位;在3.3 V电源电压下,电路功耗为20 mW.     

一个集成电路计算机辅助制造系统XHCAM

文章介绍了一个适应工业化大生产，功能齐全，使用方便，低成本的集成电路计算机辅助制造系统ＸＨＣＡＭ。