无机填料对环氧模塑料导热和阻燃性能的影响

采用两种无机填料Si₃N₄和Al(OH)₃ 复合填充环氧树脂制备了环氧模塑料(EMCs), 研究了两种填料用量及单独添加和复合添加对环氧模塑料导热性能和阻燃性能的影响。研究结果表明, 单独添加Si₃N₄或Al(OH)₃对环氧模塑料导热性能和阻燃性能的影响规律基本一致, 即随着填料含量的增加, 环氧模塑料的导热性能和阻燃性能均有不同程度的提高; 复合添加Si₃N₄和Al(OH)₃对环氧模塑料的导热性能和阻燃性能均起到积极作用, 但是随着填料中Si₃N₄与Al(OH)₃体积比的变化, 材料导热性能与阻燃性能会产生交叉耦合作用。当 填料中Si₃N₄与Al(OH)₃体积比为3∶2, 总体积分数为60%时, 环氧模塑料的导热率可以达到2.15 W/(m·K), 氧指数为53.5%, 垂直燃烧达到UL-94 V-0级。      

新型阻燃片状模塑料的制备及其性能研究

合成了一种5·1·8结晶相(5Mg(OH)2·MgCl2·8H2O)含量高的氯氧镁结晶复盐.该结晶复盐具其独特的镁质碱式结晶水结构,有较好的阻燃功效,而且制作简单、价格低廉.研究了其对片状模塑料阻燃性能及热性能的影响.结果表明,氯氧镁结晶复盐添加量为树脂的40%时,模塑料的综合性能最好,氧指数可达到35.6,UL-94燃烧等级为V-0.     

大规模集成电路封装用环氧树脂复合材料流动性影响分析

对不同环氧树脂的熔融黏度(150℃)进行了分析,结果表明,联苯型环氧树脂(TMBP)熔融黏度极低(0.02 Pa.s),用TMBP与邻甲酚醛环氧树脂(ECN)共混,可大大降低ECN的黏度。硅微粉含量和粒径对环氧树脂复合材料流动行为有较大的影响。随着硅微粉含量的增加,体系的熔融黏度大大增加。高硅微粉含量的体系,其熔融黏度在低剪切速率下,呈现剪切变稀,在较高剪切速率下呈现剪切变稠,而在高剪切速率下又表现为剪切变稀;小粒径硅微粉填充体系在低剪切速率下黏度小,而在高剪切速率下黏度大,大粒径硅微粉填充体系正好与此相反。     

集成电路封装的三维热模拟与分析

以有限元方法为基础的计算机模拟技术在集成电路封装热设计中是一种重要的热模拟和分析工具。本文运用有限元方法对多热源条件下集成电路封装的热场进行了模拟和分析。模拟结果与测量值非常接近，证实了模拟方法的有效性。模拟结果表明：在本模拟条件下，由芯片到封装外壳底面的热通路为散热的主要通道，其它表面的对流条件对热场分布影响不大。     

大规模集成电路封装用环氧树脂复合材料流动性影响分析EI北大核心

对不同环氧树脂的熔融黏度(150℃)进行了分析,结果表明,联苯型环氧树脂(TMBP)熔融黏度极低(0.02 Pa.s),用TMBP与邻甲酚醛环氧树脂(ECN)共混,可大大降低ECN的黏度。硅微粉含量和粒径对环氧树脂复合材料流动行为有较大的影响。随着硅微粉含量的增加,体系的熔融黏度大大增加。高硅微粉含量的体系,其熔融黏度在低剪切速率下,呈现剪切变稀,在较高剪切速率下呈现剪切变稠,而在高剪切速率下又表现为剪切变稀;小粒径硅微粉填充体系在低剪切速率下黏度小,而在高剪切速率下黏度大,大粒径硅微粉填充体系正好与此相反。     

集成电路用金属铜基引线框架和电子封装材料研究进展

针对集成电路向高密度、小型化、多功能化发展，介绍了国内外传统的和以铜为基复合新型的引线框架和电子封装材料的性能、研究、生产现状以及存在的问题，同时展望了铜合金及其复合的引线框架和电子封装材料的发展趋势。     

半导体设备封装用阻燃环氧树脂配方

本发明配方包含环氧树脂、酚醛树脂、交链催化剂、无机填料和粒径0．01—141xm的水合氧化铝。一例：由YX4000（联苯环氧树脂）7．6份、XLC—LL（苯酚芳烷基树脂）6．9份、DBU 0．2份、熔凝硅石粉77．0份、Al2O3（H2O）25（平均粒径51μm，BET比表面积27m^2／g）7．0份和其它添加剂组成的配料，转移模塑制得试样，测试表明UL-94阻燃率V-0，并具很好的耐热性和抗焊裂性。     

兆位级DRAM封装用环氧模塑料

1970年美国莫顿化学公司(MortonChemical Co.)推出新一代环氧模塑料,商品名称为 Polyset 410B,它是由苯酚与线性酚醛树脂固化交联的邻甲酚环氧树脂体系,促进剂是叔胺化合物,B 表示上述体系是部份反应的 B阶段产品。1971～72年,首先由美国的国家半导体公司(National Semiconductor)用它封装集成电路,以代替原先的硅酮模塑料,此后不久,其他半导体公司都采用 Polyset410B,从而推动了70年代初期集成电路(IC)的环氧塑封时代的到来。     

无卤阻燃环氧树脂在电子封装领域的研究进展

目的 综述无卤阻燃环氧树脂的最新研究进展,为开发高效阻燃封装材料提供研究思路和技术指导。方法 采用文献调研法介绍无卤阻燃环氧树脂的种类、阻燃机理,总结当前无卤阻燃环氧树脂在电子封装领域的应用现状和技术进展,并对其未来发展趋势进行展望。结果 与本征型无卤阻燃环氧树脂和反应型无卤阻燃环氧树脂相比,填充型无卤阻燃环氧树脂具有工艺简单、种类齐全、性能高效等优点,成为无卤阻燃环氧树脂中应用最广的种类。结论 无卤阻燃环氧树脂能够有效提升电子封装材料的火灾安全性,延长电子器件的使用寿命,促进5G电子器件的高速发展。     

微电子封装技术及其聚合物封装材料

近年来,我国集成电路产业发展迅猛,已成为国家经济发展的主要驱动力量之一。在构成集成电路产业的3大支柱(集成电路设计、集成电路制造和集成电路封装)之中,集成电路封装在推进我国集成电路产业快速发展     

含磷腈环氧树脂阻燃和热解动力学

采用热重(TG)和微商热重(DTG)实验分析技术,分别对自制的六-对氨基苯氧基环三磷腈(PNH)和4,4’-二氨基二苯甲烷(DMA)为E51型环氧树脂的固化剂,研究了在氮气和空气氛围中2种环氧树脂的阻燃特性和热解动力学;运用Achar法和Coats-Redfern法建立了二者的热裂解动力学模型,得到了2种体系的动力学表观活化能和指前因子。研究表明,与不含磷环氧树脂相比,磷腈固化的环氧树脂更易发生热裂解,而在高温阶段却明显具有阻燃特性;磷腈固化的环氧树脂裂解后期残炭量较高,其活化能与其阻燃机理有关:即表观活化能越大阻燃性越强。     

碳纳米球基氮-磷-硫复合阻燃剂的合成及其对环氧树脂的阻燃性能

以碳纳米球(CNSs)为核、六氯环三磷腈(HCCP)和氨基二苯砜(DDS)为桥梁和接枝剂制备一种碳纳米球基氮-磷-硫复合阻燃剂(CNSs-H-D)并表征其形貌结构和热稳定性,研究了这种复合阻燃剂对环氧树脂(EP)的阻燃性能和机理.结果 表明:合成的CNSs-H-D是直径为80 nm的球状颗粒,热稳定性优异;CNSs-H...     

聚合物/层状硅酸盐纳米复合材料阻燃性研究进展

根据层状硅酸盐(黏土)可增强聚合物纳米复合材料阻燃性能的研究进展,本文综述了聚合物/层状硅酸盐纳米复合材料的制备方法,指出熔融插层是一种高效可行、环境友好的制备方法;从硅酸盐在纳米复合材料中产生的阻碍效应、自由基诱导效应,网状结构三个方面详细讨论了层状硅酸盐在纳米复合材料中的阻燃机理;最后,指出目前聚合物/层状硅酸盐纳米复合材料在阻燃研究中尚存在的问题,并对其开发应用前景进行了展望。     

基于RTM工艺的纤维增强环氧树脂复合材料阻燃改性研究

制备了全新的阻燃定型剂DHQEP/ET3228,利用传统RTM工艺,实现了对纤维增强环氧树脂复合材料的阻燃改性。该定型剂的加入为预成型体提供出色的定型效果,回弹角测试中仅发生了1.24°的回弹,同时还可以有效提升复合材料的阻燃性能（LOI可达36.8%）。另外,阻燃定型剂可以参与环氧树脂的固化反应,使得阻燃定型剂的添加对复合材料的界面性能影响较小,保持了复合材料良好的层间剪切性能。     

硼-氮阻燃剂与氢氧化镁协同阻燃环氧树脂

将硼-氮阻燃剂2,4,6-三(4-硼酸-2-噻吩)-1,3,5-三嗪(3TT-3BA)与Mg(OH)_2进行复配,然后将其添加到环氧树脂(EP)中,通过热重分析、锥形量热、极限氧指数、垂直燃烧等测试方法,研究了3TT-BA/Mg(OH)_2复配体系对EP的阻燃性能。研究发现,3TT-3BA与Mg(OH)_2具有协同阻燃作用,添加10%3TT-3BA/10%Mg(OH)_2到EP中,其极限氧指数达到了32.5%,垂直燃烧达到了UL94 V-0等级。同时,3TT-BA/Mg(OH)_2复配体系还能有效减小EP热释放速率、热释放总量和生烟总量。通过扫描电镜等手段探讨了3TT-BA/Mg(OH)_2复配体系的阻燃机理。     

从3R原则分析绿色包装设计

在当今世界环保大潮的冲击下,进行绿色包装设计已经成为包装业发展的必然趋势.通过对减量化原则、重复利用原则和再循环原则3个方面对绿色包装设计的原则和内容进行分析与探讨,为设计师提供了一个新的思考点和设计方法.     

填料在环氧树脂基封装材料中的研究近况

简述了国内外环氧树脂封装料中所用TiO2、MgO、Al(OH)3、CaCO3、BN、BeO等填料的特点,包括填料的形状、颗粒大小、密度以及特殊性能.根据封装材料不同发展阶段的要求,重点叙述了SiO2、Al2O3、AlN等3种粉体作为填料及其所制备的封装材料各自的优势.结合国内外研究现状,指出了环氧树脂电子封装材料用填料应朝着纳米化、功能化、低膨胀系数、绿色化、低成本化的方向发展.     

阻燃技术在纸包装中的应用

通过介绍和分析有关纸质包装阻燃技术的研究现状,论述了从纸浆处理和阻燃剂选用两方面赋予纸质包装阻燃性能的途径,提出了今后我国纸包装及其阻燃技术的发展方向.