深亚微米光学光刻设备制造技术

相对于其它“后光学”光刻技术 ,在 0 1 3μm甚至 0 1 3μm以下集成电路制造水平上 ,光学光刻仍然具有强大的吸引力。随着光学光刻极限分辨率的不断提高 ,当代光学光刻设备正面临着越来越严重的挑战。论述了深亚微米光学光刻设备的技术指标和面临的技术困难 ,对其中一些关键的技术解决方案进行了分析。     

高速发展的光学光刻技术

光学光刻设备日益精进,相关技术不断革新,使光学曝光技术继续主宰九十年代的光刻设备市场。新颖的光学光刻设备仍将在进入本世纪末0.15微米1GDRAM极大规模时代扮演主要角色。本文将对光学微细技术不同发展阶段的主要技术进步和设备概况作以介绍,并对光学光刻设备的市场和今后的发展趋势作了分析。     

国外光学分步曝光技术的新进展

本文从光源波长、照明系统和工艺控制方面介绍了国外光学分步曝光技术的最新进展。着重叙述了世界几大著名光刻设备公司在其研究领域的设计更新和实施效果，展望了光学分步曝光技术在甚大规模集成电路（ＵＬＳＩ）制造中的潜力。     

深亚微米光学光刻工艺技术

光学光刻的生命力仍然在不断延续 ,即使在 0 13 μm及 0 13 μm以下集成电路制造水平上 ,光学光刻仍然是一个非常重要的候选者。深亚微米光学光刻工艺技术目前面临着越来越严重的挑战。对深亚微米光学光刻中的一些关键工艺技术如移相光刻、光学邻近效应校正、远紫外光刻胶、套刻对准误差等进行了论述。     

ASML的创新之路

ASML公司是一家重点制造集成电路关键专用制造设备--光刻设备(或称图形曝光设备)的公司.总部位于欧洲荷兰的Veldhoven,成立于1984年,进入新世纪以后,逐步走向世界的前沿.尤其是当它坚持自主创新,推出浸没式光刻系统后,率先将传统的光学光刻系统推进到45纳米节点,在近期内改写了集成电路的规划发展路线,受到产业界广泛的欢迎.公司的经济效益也十分明显.……     

光学光刻的极限

讨论了光学光刻技术的各种分辨力增强技术(RETs),根据各类光刻设备的开发进展,探讨了光学光刻技术的加工极限。     

下一代光学掩模制造技术

尽管其它光刻技术在不断快速发展,然而在0．13μm及0．13μm以下集成电路制造水平上,光学光刻仍然具有强大的生命力。随着光学光刻极限分辨率的不断提高,当代光学掩模制造技术面临着越来越严重的挑战。本文对下一代光学掩模工艺技术的技术指标和面临的技术困难进行了论述,并对其中一些关键的技术解决方案进行了简要分析。     

光学光刻技术向纳米制造挺进

概述了光学光刻技术向纳米制造挺进过程中光源、光学系统、照明技术、掩模设计、抗蚀剂、光学邻近效应校正、工作台等方面的进展以及光学光刻技术在大批量生产应用中的优势,并介绍了国外开发极紫外光刻技术的技术指标,预测了光学光刻技术的前景。     

康宁将提高氟化钙的生产量

康宁公司将扩大其在北布鲁克斐尔德的设施，增加其氟化钙产量。新增的设备在2000年底安装，2001年初开始生产。该部分现在生产供给准分子激光器制造商的CaF2光学件与元件。扩展部分主要是生产光刻级的CaF2，用于深紫外光谱区。氟准分子激光157 nm波长的光刻越来越多地被看作制造前沿集成芯片的下一步技术，它需要CaF2光学件。康宁在光刻领域已有丰富的经验，长期以来，它已为各厂商提供极纯和极均匀的熔凝石英，用于248 nm和193 nm波长的光刻系统。     

光学曝光设备

半导体集成电路的大容量化,高密度化的发展是惊人的。若以存贮器为例,其容量每3～4年增长4倍,采用的图形尺寸每4～5年缩小一倍。随着这一发展,光刻技术也在从光学曝光向x射线、电子束曝光等新的光刻技术的研制方面发展。但是除光学光刻技术之外,其它光刻技术还没有达到大生产的水平。这可能是由设备价格和生产率决定的经济性所致,并且,也由于光学光刻技术本身不断地在改良、发展。在此主要将光学曝光设备的目前情况作一介绍,并展望未来。     

光刻技术在微电子设备上的应用及展望

一、光刻技术在微电子设备上的应用光刻技术实际上就是利用光学复制的方式将微小图样印到半导体上,用以制作电路并应用到微电子设备中。光刻技术对于微电子设备发展具有重要的作用。光刻技术在是生产集成电路的主要技术,在微点子设备上主要应用于微电子设备上的集成电路、晶体管、半导体等。如今的微电子设备不可缺少的技术条件就是光刻技术。光刻技术不断发展这,精度也逐渐接近光学波长限制。在微     

ULSI相移光刻技术＊

相移掩模光刻技术,是近几年来为了开发超大规模集成电路(ULSI)而发展起来的一种新颖光刻技术。它应用了光学相移掩模方法,大大提高了现有光学光刻设备的分辨率水平。本文综述了相移光刻技术的发展及其在ULSI中的应用。     

磁流精加工技术—精密光学元件制造自动化

在光刻技术中,由于对部件面形需求达到均方根0.005λ,其部件技术要求通常已超越了商业高速光学制造设备的能力。即使在研磨抛光设备采用了计算机数字控制前后处理及象通过离子束这样的先进技术进行最后成形和计算机控制抛光,光学元件仍须有精良技艺的技师的有效工作,因此而带来可靠性,可预见性、生产率、造价以及专业劳动力的获得等方面的问题。     

高折射率浸没式光刻不一定是最后赢家

ASML和Nikon最新一代的浸没式光刻设备其数值孔径(NA)已经接近了使用水作为浸没液体所能达到的光学理论极限了。在SEMICON West大会上,Nikon发布了它的最新一代浸没式光刻设备NSR-S610C,其数值孔径达到了1．3;而     

采用梯形棱镜波前分割的激光干涉光刻技术

光学光刻技术在微细加工和集成电路(IC)制造中一直是主流技术。随着IC集成度的提高,要求越来越高的光刻分辨力,但光学光刻的分辨极限受光刻物镜数值孔径(NA)和曝光波长(λ)的限制。激光干涉光刻技术具有高分辨、大视场、无畸变、长焦深等特点,其分辨极限为λ/4,在微细加工、大屏幕显示器、微电子和光电子器件、亚波长光栅、光子晶体和纳米图形制造等领域有广阔的应用前景。阐述了激光干涉光刻技术的基本原理。提出了一种采用梯形棱镜作为波前分割元件的激光干涉光刻方法。建立了相应的曝光系统,该系统可用于双光束、三光束、四光束和五光束等多光束和多曝光干涉光刻。给出了具有点尺寸约220nm的周期图形阵列的实验结果。     

用光刻法集成光学元件

平面光刻术为制造光纤通信用的各种光学元件提供了一种能大幅度降低生产费用的先进方法。与半导体工业技术相同,采用平面光刻集成法可在给定劳动量、资本和材料的条件下增加组件的数量,也可通过增加元件的整体功能减少元件数量（见图1）。 用光刻法制造光学元件所用材料与电子器件不同,但加工过程相同,生产半导体器件40年来积累的经验仍然适用。尤为重要的是,光刻设备目前已得到广泛应用,这些设备的操作人员和设计人员都具有一定的经验。     

IMEC将在2010年上半年预投产EUV光刻机

欧洲研发机构IMEC首席运营官Luc Van den Hove表示，IMEC将在2010年上半年制预投产EUV（极紫外）光刻设备。按照目前的进程，该设备将于2012年在IMEC的300mm生产线上投产。尽管对于EUV在商业制造中的合理性尚存疑问，然而IMEC认为光学光刻无法满足22nm制程。因此，EUV是唯一的选择。2006年8月IMEC从ASML处获得一台原型设备，并在这台原型设备上开发EUV设备。     

有助于集成光学的光刻技术

在使用相同的人力、财力和原料的情况下可以制造出更多的产品,在提高性能的同时减少单个组件的个数,使利用平板光刻技术制造的、用于光纤通信领域的光学组件更加经济有效。尽管光刻技术生产光学器件所需要的材料与     

IBM宣布22nm半导体光刻制造工艺

正IBM日前宣布了能够支持22 nm制程的全套半导体光刻制造工艺解决方案,能够在继续使用当前光刻技术的前提下,满足今起直至2012年前后半导体工业对制程进化的工艺需求。IBM的新技术为"运算微缩"(Computation Scaling,CS)技术,能够在不提升光刻激光波长的前提下提升制程。IBM半导体研发中心副总裁Gary Patton认为,传统的微缩投影技术过于依赖设备的光学分辨率,而"运算微缩"技术则     

光学光刻技术现状及发展趋势

综述了光学光刻目前的主流技术— 2 48nm曝光技术现状 ,介绍了折射式透镜和反射折射式透镜结构及性能。结合 1 93nm技术的开发 ,比较了 2种结构的优势。最后给出了光刻设备的市场概况并讨论了光学光刻技术的发展趋势。