硫酸钙晶须的气浮式表面改性

采用改性剂DZY-6和气浮式改性工艺对硫酸钙晶须进行表面改性,以改性泡沫产品产率、活化指数、接触角、显微图像等评定改性效果,并对气浮式改性工艺进行可行性分析。结果表明:新型改性剂能够在室温下对硫酸钙晶须表面改性,最佳工艺条件下改性产品产率为98.36%、接触角为115.00°、活化指数为99.5%;气浮式改性过程具有自发进行趋势,合适的搅拌速度,晶须能保持较好形貌,长径比较好;改性工艺实现在普通自来水中对硫酸钙晶须的表面改性,过程便于改性产品的及时分离,简化过滤和干燥作业,节约药剂和改性时间,降低成本。     

硫酸钙晶须的表面改性研究现状

论述了偶联剂、表面活性剂和复合改性剂对硫酸钙晶须表面改性方法及改性机理的研究现状。硫酸钙晶须改性主要是利用改性剂与晶须表面存在的羟基、硫酸钙等发生反应,改变晶须在基体中的分散性、相容性和粘合强度等,从而使晶须达到较好的改性和应用效果。     

烷基磷酸单酯表面改性无水硫酸钙晶须及其对PP力学性能的影响

采用烷基磷酸单酯改性剂对无水硫酸钙晶须进行了有机表面改性的研究,通过接触角(CA)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱(FT-IR)和X射线光电子能谱(XPS)等多种测试手段对样品进行表征分析。结果表明,烷基磷酸单酯对无水硫酸钙晶须具有较好的表面改性效果,改性产品的接触角可达97°,改性后晶须表面包覆层厚度为20~50nm。由FT-IR和XPS分析结果可知,烷基磷酸单酯中的磷酸基团与晶须表面的Ca化学成键达到表面改性的目的,改性后晶须表面存在—Ca—SO_4和—Ca—O—PO_2K—O—R。最后,通过制备无水硫酸钙/PP复合材料,考察了无水硫酸钙晶须改性前后对PP力学性能的影响。结果表明无水硫酸钙晶须的加入对PP复合材料的力学性能有明显的提高,改性无水硫酸钙晶须与PP有较好的界面相容性,改性无水硫酸钙晶须对PP力学性能的提高优于未改性无水硫酸钙晶须。     

无水硫酸钙晶须的无机–有机表面改性机理研究

以硅酸钠为无机改性剂,硬脂酸为有机改性剂对无水硫酸钙晶须进行双重表面改性。通过接触角测试(WCA)、X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、傅里叶红外光谱(FT-IR)和X射线光电子能谱(XPS)等多种分析手段对样品进行表征分析。实验结果表明:无机–有机改性后晶须表面性质由亲水性转变为疏水性,晶体结构未发生改变。在双重改性过程中,晶须表面首先生成–Ca–SiO_3结构,–Ca–SiO_3结构部分水解后,晶须表面与硬脂酸发生键合反应,生成–Ca–HSiO_3和–Ca–COOR结构包覆层,晶须表面不存在物理吸附作用。     

复合改性剂对硫酸钙晶须的表面改性及溶解抑制研究

设计了一种LZ复合表面改性剂,旨在抑制硫酸钙晶须的溶解,提高其留着率。考察了不同因素对硫酸钙晶须留着率的影响,得出了最佳改性条件,使晶须留着率由60.50%提高为93.67%。对改性前后硫酸钙晶须的表面性质进行IR表征及SEM观察,结果表明晶须表面发生了多层包覆与吸附,在此基础上建立了改性模型。     

水热法制备硫酸钙晶须及其结晶形态的研究

以天然生石膏为原料,氯化镁为晶型助长剂,研究了用水热合成法制备硫酸钙晶须的工艺影响因素．详细考察了料浆浓度、反应温度、反应时间、晶型助长剂种类及用量等对硫酸钙晶须形态的影响,用扫描电镜（SEM）及X射线衍射分析了硫酸钙晶须的形貌和相组成,并对晶须生长机理做了分析讨论．     

油酸钠控制硫酸钙晶须晶面生长的机理研究

结合油酸钠溶液化学计算、硫酸钙晶须晶面衍射和分子动力学模拟, 研究了硫酸钙晶须不同晶面的结构、油酸钠在不同晶面的吸附和硫酸钙晶须的晶面生长。结果表明: 硫酸钙晶须晶面中, 钙原子与氧原子、氢原子规律分布在(200)晶面和(400)晶面表面; 与其它晶面相比, 油酸钠与(200)晶面和(400)晶面的作用能较小, 吸附构型稳定; (200)晶面和(400)晶面上油酸根与钙离子之间的距离分别为0.239 nm和0.237 nm, 小于作用后的油酸根与钠离子之间的距离, 得出钙原子是油酸根在晶须晶面作用的活性位点。油酸钠的选择性吸附阻止了(200)晶面和(400)晶面的生长, 晶面生长速率的差异使得晶须沿c轴择优生长。     

双马来酰亚胺树脂及硫酸钙晶须改性复合材料的摩擦学性能

对双马来酰亚胺树脂及硫酸钙晶须改性体系的摩擦学性能进行了表征,应用硅烷对硫酸钙晶须进行表面改性,考察了不同偶联剂及不同的晶须添加量对硫酸钙晶须改性双马来酰亚胺树脂的摩擦磨损性能的影响,并利用SEM对材料的磨损机理进行了分析.研究发现,硅烷KH-550对硫酸钙晶须的表面处理效果良好,应用KH-550处理的硫酸钙晶须对双马来酰亚胺树脂的耐磨性能具有明显的改善作用.     

无铅镀层锡晶须问题的研究进展

全球电子封装行业的无铅化趋势,使得镀层锡晶须自发生长的问题变得十分突出。由于晶须的导电性可以引起高密度封装引脚之间短路,从而使电子产品失效甚至引发灾难性的事故,因此研究并阐明锡晶须生长机理、探索有效抑制锡晶须生长的手段、寻找合适的锡晶须生长加速实验方法评估电子产品的可靠性,成为当前亟需解决的问题。本文从锡晶须问题的由来,锡晶须的危害、锡晶须生长的机理、影响锡晶须生长的因素、抑制锡晶须生长的方法和锡晶须生长加速实验方法等几个方面,对锡晶须问题尤其是近年来这方面的研究进展作一简要评述,并提出一些需要研究的课题。     

管脚无铅覆层的Sn晶须问题

Sn镀层表面在某些情况下会长出长达数百微米的晶须,在电子器件服役过程中会导致电路短路等严重的可靠性问题。目前普遍认为内部压应力是导致Sn晶须生长的主要动力之一;晶须生长所需的Sn原子主要以扩散方式或位错运动方式提供,而温度因素既影响原子扩散速度,又影响镀层的应力松弛。预镀Ni或者预先热处理以形成扩散阻挡层来抑制晶须生长的方法较为常用。温度循环是加速晶须生长的一种有效手段。