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CuInSe_2作为一种高效光伏转换材料受到极大的重视。CuInSe_2的禁带宽度为1.04eV,与地面太阳光谱匹配较好,是一种直接跃迁材料,具有高吸收系数,只要几微米的厚度就可以制成高效电池,从而降低了对材料扩散长度的要求。CuInSe_2与CdS有良好的晶格匹配,可以得到效率高于10%的全薄膜p-GuInSe_2/n-CdS电池。研究表明,6—8微米厚的CuInSe_2/ 相似文献
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n-CdS/p-CdTe异质结薄膜太阳电池 总被引:1,自引:0,他引:1
n-CdS/p-CdTe异质结薄膜太阳电池王万录美国能源部曾在1987—1991年期间关于光伏研究的五年计划中提出,平板型太阳电池要求达到的主要指标是:转换效率高于15%,价格每平方米低于1美元,寿命长达20年。薄膜技术是达到这个目标唯一可行的方法,... 相似文献
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采用物理气相沉积工艺制备了免掺杂的CdS/p-Si异质结太阳电池,通过数值模拟对影响电池效率的主要因素如前电极、背电极功函数材料及前、后表面复合速率进行模拟分析和优化。实验结果表明,CdS薄膜呈现[111]晶向择优生长,具有良好的结晶性。60 nm厚的CdS薄膜在500~1100 nm波长范围内具有较高的光学透过率,与Si的接触电阻ρc=3.1Ω?cm~2。In_2O_3薄膜的平均透过率和方阻分别为90.88%和74.54Ω/,能有效收集载流子。经过工艺优化,在25℃,AM 1.5测试条件下,得到CdS/p-Si异质结太阳电池(面积1 cm~2)效率为10.63%。数值模拟优化后,CdS/p-Si太阳电池的理论最高效率(power conversion efficiency,PCE)可达到25.36%。 相似文献
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根据半导体材料的性能参数,考虑光电压V和耗尽区宽度W的变化对光电流JL的影响,较严格地计算了CdS/CdTe和CdS/Cu2S两种异质结单晶薄膜太阳电池的光优特性曲线。然后在J^ⅠSC=J^ⅡSC的条件下,以由上述两种异质结构成的二重结太阳电池的CdTe,Cu2S厚度进行匹配,计算各种组合下二重结太阳电光伏特性曲线。理论证明最佳匹配厚度Hmax约为9.06μm,最大短路电流、开路电压、转移效率分别 相似文献
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采用恒电位电沉积法制备了CuInSe_2薄膜材料,通过循环伏安分析探讨了Cu~(2+)、In~(3+)和H_2SeO_3单独沉积和共沉积的电化学行为,并研究了沉积电位对薄膜化学计量组成、形貌和物相组成的影响规律。研究表明:柠檬酸根离子对Cu~(2+)和H_2SeO_3具有络合作用,而对In~(3+)的络合不明显。共沉积时,Cu最先还原,然后诱导Se的沉积,两者反应形成的铜硒化合物Cu_xSe又诱导In的欠电位沉积,并与之反应生成CuInSe_2。在阴极电位为-0.58~-0.90Vvs.SCE时出现了不随电位变化的极限还原电流,在该电位范围内进行电沉积获得了化学计量组成稳定可控且相对致密平整的CuInSe_2薄膜。 相似文献
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通过 I— V曲线的测量 ,着重研究了衬底对 Cu In Se2 (CIS)薄膜太阳电池性能的影响。结果表明 ,衬底中钠离子向薄膜的渗透对提高效率具有重要作用 ,此外必须考虑热膨胀系数的匹配问题。对 Mo背接触溅射的最佳工作条件进行了讨论。 相似文献
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笔者认为郭江等关于“CdTe/CdS异质结特性”一文,对CdTe/CdS太阳电池的CdS/CdTe异质结特性的讨论时存在理论上的错误和设计思想不妥。例如,求解CdTe/CdS异质结空间电荷区电势满足的泊松方程时,所给的边界条件有错,因而所得的电势分布亦有错;关系式△Er=(Eg2-Eg1)-△Ec=0有错;CdTe/CdS异质结能带结构不妥等。据此,我们针对上述CdS/CdTe异质结太阳电池存在的问题进行了理论研究和讨论,所得到的相应研究结果,与郭江等商榷。 相似文献
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多晶CdS/Cu2S异质结太阳电池光电流及转换效率的计算 总被引:1,自引:0,他引:1
根据半导体材料的性能参数,对多晶CdS/Cu2S薄膜太阳电池在各种浓度下的光伏特性作了较深入的分析和计算。计算中考虑到耗尽区宽度的变化以及内表面复合损失对光电流JL的影响,同时还用Rotwarf晶界复合损失模型计算了晶粒度对光电流及光伏特性的影响。存在一个最佳Cu2S受主浓度Na=10^15cm^-3,单晶和晶粒度R=3μm的多晶电池,其转换效率分别为13.6%和13.3%。 相似文献