LaNiO_3薄膜材料氧敏性能的研究

采用硝酸盐为原料、柠檬酸为螯合剂的无机盐溶胶 -凝胶 (ISG)法合成LaNiO3系稀土复合氧化物陶瓷薄膜 ,并且对LaNiO3薄膜在高温还原气氛下的结构稳定性及氧敏机理进行了探讨 .为了进一步提高薄膜的氧敏性能 ,对LaNiO3薄膜进行了贵金属Pt掺杂和Ce掺杂改性 ,制备的Pt/Ce/LaNiO3掺杂改性薄膜在较宽的温度范围内 (3 0 0～ 80 0℃ ) ,对氢气和氧气都具有较好的响应速度 ,并且对气氛循环变化的响应具有重复性和一定的抗老化能力     

LaNiO3薄膜材料氧敏性能的研究

采用硝酸盐为原料,柠檬酸螯合剂的无机盐溶胶－凝胶（ISG）法合成LaNiO3系烯土复合氧化物陶瓷薄膜,并且对LaNiO3薄膜在高温还原气氛下的结构稳定性及氧敏进行了探讨,为了进一步提高薄膜的氧敏性能,对LaNiO3薄膜进行了贵金属Pt掺杂和Ce掺杂改性,制备的Pt/Ce/LaNiO3掺杂改性薄膜在较宽的温度范围内（300－800℃）,对氢气和氧气都具有较好的响应速度,并且对气氛循环变化的响应具有重复性和一定的抗老化能力。     

LaNiO_3薄膜的制备及其氧敏特性的研究

本文以Ｌａ（ＮＯ_３）_３·６Ｈ_２Ｏ和Ｎｉ（ＮＯ_３）_２·６Ｈ_２Ｏ为配位前驱体,采用柠檬酸为螯合剂,利用溶胶－凝胶法合成了钙钛矿型稀土复合氧化物ＬａＮｉＯ_３薄膜,研究了薄膜的氧敏特性及烧结温度对薄膜氧敏特性的影响。     

WO3薄膜材料的气敏性能

研究了WO3薄膜材料的制备工艺、气敏性能和贵金属表面改性。以钨酸为原料、加入有机络合剂的无机盐溶胶-凝胶(inorganic solgel method,ISG)法合成了WO3薄膜。确定了最佳ISG工艺制度,即以柠檬酸为络合剂,10次成膜,预处理温度为600℃,烧成温度为650℃。实验结果表明：WO3是一种n型半导体,其最佳工作温度为550℃。通过掺杂贵金属制备了Pt/WO3薄膜材料,有效地改善了薄膜的气敏性能,可以在600℃下获得高达4100的灵敏度。WO3的气敏机理为表面控制型。     

类钙钛矿型陶瓷结构和性能的研究

一系列类钙钛矿 (A2 BO4 )型结构的陶瓷材料被发现 .这类材料在化学催化活性、导电性、超导性、抗铁磁性和气敏性等方面都有新特点 .本工作对类钙钛矿型材料之一La2 NiO4 陶瓷薄膜的无机盐 -溶胶 -凝胶 (ISG)法制备 ,结构和性能关系作了研究 .发现用ISG法制备的La2 NiO4 薄膜仍具有K2 NiF4 型四方结构 ,其化学计量比、晶粒和气孔大小等对气敏性有明显影响 .优选出的此种薄膜 ,在 40 0～ 80 0℃氧化气氛 ,其电阻温度系数≤ 7.2× 10 - 4/℃ ,对氧 -氢气灵敏度≥ 1.0× 10     

La2-xSrxNiO4薄膜的制备及氧敏特性的研究

本实验采用无机盐为原料的溶胶－凝胶法制备了复合氧化物La2-xSrxNiO4薄膜，研究了它的阻温特性和氧敏特性，并采用XRD，SEM，AFM（原子力显微镜）等对该薄膜的结构进行了表征。     

铁电薄膜材料的研究进展

近年来，随着铁电薄膜制备技术的发展，其应用领域不断扩大。综述了近年铁电薄膜材料研究进展情况，并指出存在的问题及其发展方向。     

Fe2O3-A12O3-SiO2-TiO2抗菌、纳米湿敏陶瓷薄膜的Sol-Gel制备

利用溶胶凝胶法制成了Fe2O3-Al2O3-SiO2-TiO2抗菌、纳米湿敏陶瓷薄膜。用扫描电镜和原子力显微镜对膜的表面形貌和显微结构进行表征，分析了处理方式对膜的表面形貌和微观结构的影响。制成的Fe2O3-Al2O3-SiO2-TiO2抗菌、纳米湿敏陶瓷薄膜具有广谱抗菌、高效、无毒、持久和耐热等特点。湿敏特性测试结果表明：Fe2O3-Al2O3-SiO2-TiO2抗菌、纳米陶瓷薄膜制品的感湿灵敏度高，具有较好的响应特性和稳定性。     

DMF对二氧化硅薄膜性能的影响

以正硅酸乙酯、乙醇、盐酸和水为原料,引入N,N-二甲基甲酰胺(DMF),采用溶胶凝胶法和浸渍提拉技术在玻璃载片上进行涂膜,并研究了DMF的加入量对薄膜结构及性能的影响。结果表明,添加30%DMF的溶胶粘度有所降低,凝胶时间相应延长,但在干燥过程中能有效防止凝胶的开裂;添加体积分数30%DMF的二氧化硅膜具有良好的热稳定性,400℃以后没有明显的质量损失;薄膜平均孔半径约为7.08 nm,比表面积为53.168 m2.g-1,孔容积为0.188 320 cm3.g-1。     

KTa0.55Nb0.45O3薄膜的介电和铁电及热释电性能研究

在ＢＴ／Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上用溶胶－凝胶法制备了ＫＴａ０．５５Ｎｂ０．４５Ｏ３（ＫＴＮ）薄膜,０．５μｍＫＴＮ－０．０８μｍＢＴ薄膜在２５℃,１．０ｋＨｚ时,其εｒ＝１１１４,ｔａｎδ＝２．５％;１２℃时,其中Ｐｒ＝２．１μＣ／ｃｍ＾２,Ｐｓ＝４．２μｃ／ｃｍ＾２,Ｅｃ＝５．８ｋＶ／ｃｍ,０．５μｍ厚ＫＴＮ膜的Ｃｕｒｉｅ温度为３５℃;１．０ＫＨｚ时,ＫＴＮ膜的εｒ＝１４１２,估算ＫＴＮ     

KTa1-xNbxO3三组分复合热释电薄膜的制备与性能研究

利用多组分复合宽化铁电相变温区, 使薄膜以高的热释电系数出现在较宽的温度范围.在BaTiO3/Pt/Ti/SiO2/Si衬底上用溶胶-凝胶法制备了0.5 μm KTa1-x Nb xO3(x=0.45, 0.50, 0.55)三组分等厚度的复合薄膜.0.5 μmKTN-0.08 μmB T薄膜在28～72 ℃温度范围内, 1.0 kHz时, 其εr=1100, tanδ=1.2% .在室温及120 kV/cm下极化30 min后, 0.5 μm复合薄膜在28～72 ℃温度范围内热释电系数出现峰值, 平均热释电系数p=2.7×10-6C/cm2*K, 电压响应优值Fv =8.99×10-10 C*cm/J,探测度优值Fd=27.0×10-8 C *cm/J, 该薄膜工作温度范围很宽, 是一种优异的热释电材料.     

陶瓷薄膜的Sol—Gel法制备

本文从凝胶制备途径,即无机途径和有机途径角度,阐述了各途径溶胶－凝胶化过程的特点以及凝胶膜向陶瓷薄膜转化的过程。     

导电纳米颗粒对Sb:SnO2薄膜性能影响研究

采用水热晶化法,通过控制水热反应条件、溶液的浓度以及矿化剂的种类等因素,制备出分散性及导电性良好的SnO2纳米颗粒.采用溶胶-凝胶浸渍镀膜的方法制备Sb掺杂SnO2薄膜,在镀膜溶液的配制过程中引入SnO2纳米颗粒悬浮液,经陈化后最终得到镀膜溶液.采用van der Pauw法、UV/VIS分光光度计以及Fourier变换红外光谱仪研究和分析了添加纳米颗粒对膜层导电性能、光学性能以及膜层结构的影响;采用场发射扫描电镜研究了膜层的表面形貌.结果表明导电纳米颗粒的加入可有效提高膜层的导电性能,当SnO2纳米颗粒添加质量分数为10%时,膜层的电阻率为6.5×10…3Ω·cm;添加和未添加纳米颗粒的膜层的可见光透过率均为85%.纳米颗粒参与了溶胶-凝胶制备薄膜网络的形成,提高了膜层结构的连续性,从而使膜层具有较好的导电性能和光学性能.     

热处理温度对MoO_3薄膜的结构及光致变色性能的影响

采用溶胶-凝胶浸渍提拉法制备MoO3光致变色薄膜。用色差计表征了材料的光致变色性能,并结合X射线衍射、扫描电镜、紫外-可见吸收光谱研究了热处理温度对其微观结构及性能的影响。结果表明:制备的产物为斜方相MoO3;随热处理温度的升高,MoO3薄膜光致变色性能先增后减。当温度为500℃时,薄膜的结晶度最大,颗粒粒径最小,比表面积较大;色差值最大为1.2330。在该温度下激发波长向长波长移动,薄膜的吸收光波区域变宽,从而使MoO3薄膜的光致变色性能提高。     

热处理工艺对TiO2纳米薄膜光催化性能的影响

通过ｓｏｌ－ｇｅｌ工艺在玻璃表面制备了均匀透明的锐钛矿型ＴｉＯ２钠米光催化薄膜,ＴｉＯ２薄膜由３０￣１００ｎｍ的球形颗粒组成,每镀一次薄膜的厚度增加约０．０８μｍ,薄膜中出现的锐钛矿在（１０１）面具有一定的择优取向,薄膜中除含有Ｔｉ,Ｏ,Ｃ等元素外,还存在少量从玻璃表面扩散到薄膜中的Ｎａ和Ｃａ元素,甲基 橙水溶液的光催化降解实验表明：当薄膜经５００℃,ｌｈ在空气中热处理后,薄膜表观反应速度常数ｋ为     

氧化钒薄膜的成分及相转变的研究

采用溶胶-凝胶浸渍法制备了V_2O_3凝胶薄膜,利用XPS及AES分析了不同条件下热处理得到的薄膜的表面成分。实验证明在真空6.67Pa下400℃至500℃热处理2h,得到了具有热诱导可逆相转变效应的VO_2薄膜,相转变后近红外区域内薄膜的透过率明显降低,分析了热处理制度与相转变之间的关系。     

溶胶-凝胶法制备LiNbO3薄膜的研究

对近年来有关溶液－凝胶法制备LiNbO3薄膜的研究进行了较详细的论述，分析讨论了在溶胶－凝胶法制备了LiNbO3薄膜过程中，各主要因素对LiNbO3薄膜制备的影响，简要地介绍了LiNbO3薄膜的一些性能。研究结果表明，目前可以用溶胶－凝胶法在蓝宝石及LiTaO3等基板（基板的晶格参数与LiNbO3的晶格参数失配较小）上制备出有光学应用的LiNbO3薄膜，制膜的热处理温度通常在500℃左右，讨论了溶胶－凝胶法制备LiNbO3薄膜过程中存在的主要问题、发展前景有今后的研究方向。