我国光刻胶的市场现状及发展趋势

现代微电子技术按照摩尔定律在不断发展．光刻技术也经历了从G线（436nm）,I线（365nm）,到深紫外248nm．及目前的193nm光刻的发展历程．相对应于各曝光波长的光刻胶也应运而生．光刻胶中的关键组分,如成膜树脂、感光剂、添加剂也随之发生变化．使光刻胶的综合性能能更好地满足集成工艺制程要求。目前集成电路制作中使用的主要光刻胶见表1。     

产品开发

电子化学品的种类繁多,为IC产业配套的主要是光刻胶、高纯试剂、电子特种气体、封装材料等。光刻胶是光刻过程中的惟一介质,光刻技术是IC产业发展的推动力。随着目前集成电路线宽的不断缩小,与之对应的各类光刻胶的研制开发也在不断进行。我国目前除已具备普通436 nm光刻胶和紫外负型光刻胶约100吨的产能外,无锡市化工研究院已能提供少量电子束光刻胶和其他一些特种光刻胶。“十五”期间,国内科研单位在193nm光刻胶和电子束化学增幅光刻胶的研究上取得进展,两种样品的分辨率已分别达到 0．1μm和0．15μm。     

先进制程用光刻胶及TMAH显影液的改进

光刻是一种利用曝光、显影和刻蚀等工艺将光掩模上的图形转移到衬底材料上的工艺,是半导体器件制造工艺中的重要步骤.其中,在光刻胶层刻画图形时,主要涉及材料为光刻胶、显影液.在G线(436 nm)、I线(365 nm)光刻工艺中,光刻胶主要是酚醛树脂-重氮萘醌体系,显影液一般采用2.38 wt％的四甲基氢氧化铵(TMAH)水...     

金属基极紫外光刻胶

由于具有光源波长短（13.5 nm）、图案化分辨率高等优点,极紫外（extreme ultraviolet, EUV）光刻技术被认为是突破5 nm甚至是3 nm半导体芯片制程节点的关键技术,与之相对应的EUV光刻胶研发广受关注。但传统的基于聚合物体系的化学放大光刻胶（chemical amplified resist, CAR）因尺寸过大、对EUV吸收低,限制了其在EUV光刻技术的应用进程。部分含有d轨道电子的金属元素具有高的EUV吸收截面,在光刻胶分子中引入这些金属元素可以有效提高对EUV的灵敏度。通过分子设计制备尺寸小、EUV吸收高的金属基光刻胶材料是解决EUV光刻胶服役性能问题的有效途径,已得到了广泛的研究。本文按金属氧簇（MOCs）、金属氧化物纳米粒子（NP）、金属-有机小分子（MORE）进行分类,对目前国内外的EUV光刻胶研究进展进行总结,并对EUV光刻胶未来所面临的机遇和挑战进行了展望。     

金属基极紫外光刻胶

由于具有光源波长短（13.5 nm）、图案化分辨率高等优点,极紫外（extreme ultraviolet, EUV）光刻技术被认为是突破5 nm甚至是3 nm半导体芯片制程节点的关键技术,与之相对应的EUV光刻胶研发广受关注。但传统的基于聚合物体系的化学放大光刻胶（chemical amplified resist, CAR）因尺寸过大、对EUV吸收低,限制了其在EUV光刻技术的应用进程。部分含有d轨道电子的金属元素具有高的EUV吸收截面,在光刻胶分子中引入这些金属元素可以有效提高对EUV的灵敏度。通过分子设计制备尺寸小、EUV吸收高的金属基光刻胶材料是解决EUV光刻胶服役性能问题的有效途径,已得到了广泛的研究。本文按金属氧簇（MOCs）、金属氧化物纳米粒子（NP）、金属-有机小分子（MORE）进行分类,对目前国内外的EUV光刻胶研究进展进行总结,并对EUV光刻胶未来所面临的机遇和挑战进行了展望。     

光刻材料的发展及应用

简述了光刻技术及光刻材料的发展过程及发展趋势,对光刻技术在集成电路和半导体分立器件的微细加工以及印刷电路板、平板显示器、触摸屏等制作过程中的应用进行了概述.并重点围绕光刻胶在集成电路制造中的应用,对其反应机理、应用性能等进行了阐述.同时还对光刻材料的市场特别是中国市场的现状及前景做了一定分析.     

环化聚丁二烯的合成及其在光刻胶中的应用

本文扼要地阐述了国内外环化橡胶的研究发展状况,介绍了环化天然橡胶、环化聚异戊二烯橡胶和环化聚丁二烯橡胶的合成新方法及其结构表征技术。其中,重点介绍了环化聚丁二烯橡胶的合成新技术。由于环化橡胶负性光刻胶对金属及硅片的粘接性和耐酸性方面的优异性能以及其良好的热稳定性能,因此被广泛应用于硅、二氧化硅及铬不锈钢等材料的光刻,因而在高密度集成电路的生产与研制上得到了广泛应用。同时,本文还介绍了市场上常见的几种环化橡胶光刻胶产品。     

先进光刻胶材料的研究进展

本文简述了光刻技术及光刻胶的发展过程,并对应用于193纳米光刻和下一代EUV光刻的光刻胶材料的研究进展进行了综述,特别对文献中EUV光刻胶材料的研发进行了较为详细的介绍,以期对我国先进光刻胶的研发工作有所帮助.     

集成电路制造用光刻胶发展现状及挑战

简要介绍了光刻技术的发展和得到更小线宽的途径.详细介绍了不同光刻技术下光刻胶的发展.基于中国光刻胶的发展现状,提出了加快光刻胶开发与应用的建议.     

半导体涂胶显影设备热板温度均匀性检测的研究

在半导体芯片加工工艺中，最重要的组成部分是光刻工艺，而在光刻工艺中涂胶和烘烤是不可缺少的。光刻胶涂覆在硅片表面后，可将硅片高速旋转，通过离心力作用使多余的光刻胶流出，可得到一层黏附在紧靠硅片表面上均匀分布的胶层，采用热板加热方式对硅片表面上的光刻胶进行烘干，既能使硅片表面黏附能力得到提高，又可提高曝光中光刻胶的耐磨性能，同时胶层的感光灵敏度和稳定性也得到提高，热板的性能决定了光刻胶能否达到烘干均匀。本文主要针对半导体涂胶显影设备热板的温控测试过程及要求进行了研究，给热板相关领域从业者提供思路、借鉴。     

国外光刻胶及助剂的发展趋势

光刻是半导体产业常用的工艺．借助光刻胶可将印在光掩膜上的图形结构转移到硅片表面上。光掩膜制备也是一个光刻过程，不过其所用化学品不同。     

用于浸没式工艺的光刻胶研究进展

浸没式光刻技术是在原干法光刻的基础上采用高折射率浸没液体取代原来空气的空间,从而提高光刻分辨率的一种先进技术.此项技术的实际应用,为当前IC产业的飞速发展起到了关键的作用.本文概述了浸没式光刻技术的发展历程和浸没式光刻胶遇到的挑战及要求;对浸没式光刻胶主体树脂、光致产酸剂及添加剂的研究进展进行了综述;最后对浸没式光刻胶的研究发展方向作了进一步的探讨及初步预测.     

环化光刻胶用的新型胶

环化橡胶系光致抗蚀剂(光刻胶)是由迭氮化合物和高分子化合物混合制得的迭氮型感光树脂。它主要用于光刻半导体器件和集成电路的图形。吉林化学工业公司化工研究院试制环化光刻胶用的聚异戊二烯胶,是以异戊二烯为原料,以脂肪烃为溶剂,采用稀土催化体系,在0～50℃温度下,在精     

光刻技术的挑战和解决思路

简介了光刻技术及其国内外发展现状,分析了我国光刻技术面临的挑战,从光刻胶、光刻机、政策和人才等4个方面提出了解决思路.     

一种新型紫外正型光刻胶成膜树脂的制备及光刻性能研究

本文合成了N-(p-羧基苯基)甲基丙烯酰胺单体,并将其与N-苯基马来酰亚胺共聚得到共聚物聚N-(p-羧基苯基)甲基丙烯酰胺共N-苯基马来酰亚胺(poly(NCMA-co-NPMI)).将此共聚物作为成膜树脂,与感光剂、溶剂等复配得到一种新型耐高温紫外正型光刻胶.本文探讨了该光刻胶的最佳配方组成和最佳光刻工艺.最佳配方组成为:15%—20%成膜树脂,4.5%—6%感光剂和70%—80%溶剂;最佳光刻工艺为:匀胶30 s(4000 rpm),前烘4 min(90℃),感度为30—35mJ/cm~2,在0.2%TMAH溶液显影10 s和后烘2 min(90℃).     

微加工厚光刻胶掩膜电镀工艺研究

介绍了溢出电镀二次涂覆薄层光刻胶再光刻的工艺流程：磁控溅射法电镀种子层一涂覆光刻胶一溢出电镀一光刻胶二次涂覆一再光刻一电镀。电镜照片表明,通过此方法可以消除微加工过程中在光刻胶掩膜与电镀结构间产生的深沟壑,从而获得了平整性和连贯性良好的镀层。     

吉化研制成功稀土异戊光刻原胶

为了配合我国研制大规模集成电路的需要,吉化公司研究院通过科技攻关,在“八五”期间建成了400t/a的半工业化装置,进行了光刻原胶的试生产。该院研制的中紫外负型光刻胶用原胶——液体锂胶通过了电子部和化工部组织的专家鉴定及验收。批量生产1t多液     

邻重氮醌化合物与正型光刻胶

光刻胶是微电子工业中半导体器件和集成电路制作的关键材料,它作为抗蚀涂层在微细加工技术中获得广泛的应用。光刻胶按其感光机理和成像作用的不同可分为正型和负型两大类。所谓正型光刻胶即指在曝光过     

光敏聚酰亚胺光刻胶成膜技术探讨

确定了光刻胶的光刻工艺条件,研制了了适宜的显影液,介绍了感光树脂的应用价值。     

光刻胶成膜树脂的研究进展

光刻胶是集成电路和分立器件的基础工艺材料,主体成膜树脂是光刻胶的重要组分之一,不同的成膜树脂对光刻胶的性能有不同影响。主要综述了光刻胶的分类,影响光刻胶成膜树脂性能的因素,成膜树脂的发展,及光刻胶的主要技术参数。