ABS制品实用电镀着色工艺

介绍(丙烯腈/丁二烯/苯乙烯)共聚物(ABS)制品的表面预处理、化学镀铜、电镀光亮铜和镀铜层着色等工艺,提供了一整套ABS电镀着色的实用配方和工艺参数,包括去应力、除油、粗化、敏化、活化、还原处理及镀铜层五色系实用着色等。用该工艺处理后ABS镀层外观平整、光亮,能极大地延长ABS制品的使用寿命。     

陶瓷仿古铜色电镀工艺

对大量陶瓷金属化和化学镀的工艺流程及工艺规范进行实验,其中主要研究了化学粗化液、敏化液,活化液,化学镀铜注及着色液,分析了各种溶液的特点。结果表明经氟硼酸敏化,银氨液活化,双络合体系化学镀铜、Ｋ２Ｓ２Ｏ８溶液着色等工序得到的陶瓷镀件,其镀层与基体的结合力强,古铜色均匀,操作方便,是陶瓷镀铜生产的较完善工艺。     

化学镀在印制电路板生产中的应用和发展

前言化学镀在印制板生产中应用非常广泛。有化学镀铜、化学镀银、化学镀金、化学镀锡等,其中最重要的是化学镀铜。它是印制板孔金属工艺的关键,是目前制造双面孔化印制板、多层印制板中必不可少的。其它镀种由于种种原因,应用不是很多。现在主要谈谈化学镀铜在印制板生产中的应用和发展。目前国内厂家所使用的化学镀铜液,按照用途和性能分两大类。一是低温(20～30℃的常温)下使用的化学镀铜液,如以酒石酸钾钠为络合剂的     

化学镀铜研究进展

随着化学镀铜技术的不断发展,其在表面处理行业中的地位不断的上升,并在电子工业、航空航天和机械工业等各行各业中得到了广泛的应用。伴随着化学镀铜技术应用范围的不断扩大,化学领域中对化学镀铜的研究成为了一个热点。基于此,文章从化学镀铜的应用范围出发,对化学镀铜的研究进展以及未来研究的方向进行了一定的分析和总结。     

碳纳米管化学镀铜的研究进展

基于碳纳米管的优异性能,被视为理想的金属基复合材料增强体。但由于碳纳米管与金属基体的润湿性较差,需对其进行表面处理。鉴于化学镀方法工艺简单,可获得较为均匀的镀层。综述了碳纳米管化学镀铜的机理以及五种典型工艺流程的镀覆方法。     

现代镀覆技术第三部分──化学镀铜(续2)

介绍了化学镀铜在工业上的典型应用工艺,包括用作化学着色的底层,陶瓷和印制线路板的金属化,零部件防护等.     

超临界二氧化碳辅助硅烷前处理用于涤纶织物化学镀铜

采用超临界二氧化碳辅助法对涤纶织物进行硅烷前处理后再化学镀铜。对比研究了传统硅烷前处理和超临界二氧化碳辅助硅烷前处理对涤纶织物的表面形貌,化学镀铜的沉积速率,铜镀层的表面形貌、组织结构、表面电阻和热重性能的影响。超临界二氧化碳辅助前处理所得硅烷层较传统硅烷层更为均匀致密,与织物之间的附着力更强。采用超临界二氧化碳辅助硅烷前处理后,化学镀铜的沉积速率提高,铜镀层的均匀性和导电性得到改善。     

化学镀铜的应用与发展概况

近年来,化学镀铜技术在表面处理行业中所占的地位在不断地上升,在电子工业、机械工业、航空航天等各行各业都有着越来越广泛的应用。有关化学镀铜的机理研究和工艺路线改进等课题已成为当今材料表面处理研究领域的热点之一。本文介绍了化学镀铜技术的发展概况和研究进展,综述了国内外近年来在化学镀铜领域所取得的一系列新的研究成果,指出了化学镀铜技术所面临的问题和未来的主要研究方向。     

化学镀铜的研究进展

近年来,化学镀铜技术在电子工业、机械工业、航空航天等各行各业有着越来越广泛的应用。关于化学镀铜的机理研究和工艺路线改进等课题已成为当今材料表面处理研究领域的热点。文章介绍了化学镀铜技术的发展概况,综述了国内外近年来在化学镀铜领域所取得的一系列新的研究成果,指出了化学镀铜今后研究的重点。     

材料表面化学镀铜及其应用

化学镀铜作为优良的表面处理技术,在电子、机械、航空航天等工业中得到广泛应用.有关化学镀铜的机理及化学镀铜新工艺的研究是电子产品表面金属化研究的热点.介绍了化学镀铜的原理及其应用,指出了其所面临的主要问题和未来的主要研究方向.     

新型功能性木质电磁屏蔽材料

研究了薄木化学镀铜的生产工艺及所得镀层的电磁屏蔽、装饰性、成本等方面的性能.给出了镀铜液配方及工艺参数.结果表明,单位面积上,化学镀铜的成本远小于铜箔贴面的成本,可节约成本达70%左右.镀铜层均匀连续,具有一定的装饰性.施镀时间在10～15 min之间时,镀铜层的电磁屏蔽效能可达25～40 dB,方块电阻达到0.07Ω/square左右.     

化学镀铜在微电子领域中的应用及展望

简述了化学镀铜技术的原理和化学镀铜在印刷电路板(PCB)中通孔金属化、内层铜箔处理、电子封装技术和电磁波屏蔽中的应用现状和生产过程，并展望化学镀铜在微电子领域中的发展。     

TiB2表面镀铜工艺

利用化学镀覆技术成功在TiB2颗粒表面均匀化学镀覆铜。透射电子显微镜观察表明：通过严格的镀前预处理工艺的优化设计以增加活化点,对传统镀液配方的调整以降低镀速,能够成功地在TiB2颗粒表面镀覆一层铜,从而培强了其和铜基体之间的界面结合力,为TiB2在复合材料领域之中的应用打下了坚实基础。     

日本表面处理技术近期动向第一部分贵金属电镀

分别介绍了日本的镀金种类和用途,酸性金电镀和高速还原型化学镀金、化学镀硬质金的工艺配方,中性金电镀和置换型镀金的工艺特点,pH对酸性金合金电镀的影响以及影响化学镀硬质金镀层硬度的因素。对无氰光亮镀银和无氰冲击镀银、化学镀钯、酸性白金电镀和碱性白金电镀的工艺配方以及化学镀白金的工艺特点也进行了相应地介绍。     

溶剂萃取法从化学镀铜废液中回收铜

采用溶剂萃取法研究了从含强络合剂的化学镀铜废液中回收铜的可行性，结果表明：从含酒石酸钾钠的化学镀铜废液萃取铜时，采用LIX54萃取剂，在pH值为6－10之间，铜的萃取率大于99％，然后通过反萃，可以得到能回用于化学镀铜生产线的硫酸铜溶液。     

ABS塑料三价黑铬电镀工艺与故障处理

介绍了ABS塑料电镀三价黑铬的工艺流程,主要包括除油,亲水,粗化,中和,预浸,催化,加速,化学镀镍,活化,镀铜,微蚀,镀光亮镍,镀三价黑铬,钝化和烘干.给出了三价黑铬镀液的配方,阐述了各组分的作用及工艺奈件对镀层的影响,介绍了常见故障的处理方法.     

2-巯基苯并噻唑对化学镀铜的影响

以甲醛为还原剂,研究了2-巯基苯并噻唑(2-MBT)对ABS塑料化学镀铜沉积速率、铜镀层表面形貌、纯度、平整度及晶型的影响.化学镀铜的工艺条件为:CuSO4·5H2O 10g/L,EDTA-2Na30g/L,HCHO3mL/L,PEG-10002mg/L,2-MBT0～2mg/L,温度70℃或40℃,pH 12.5,时...     

两种Cu包裹SiC颗粒复合粉体工艺的研究

为改善SiC与金属的结合性，分别采用化学镀法和非均相沉淀法制备Cu包裹SiC颗粒复合粉体。通过XRD衍射分析得出以上两种包裹方法都可以得到大部分包裹着Cu相的SiC颗粒，同一组分比例下非均相沉淀法得到的Cu相对于化学镀法得到的Cu多，且非均相沉淀法同样得到相对较多的Cu2O。SEM形貌观察分析得出：化学镀法容易制备Cu包裹粒径较大碳化硅颗粒，非均相沉淀法容易制备Cu包裹粒径较大碳化硅颗粒，其大小、形状均对包覆效果有影响，小颗粒的碳化硅颗粒比大颗粒的包覆效果好，球形颗粒比其他形貌的颗粒包覆效果好。     

Characterization of Cu Nanoparticles on TiO2 Photocatalysts Fabricated by Electroless Plating Method

Cu-modified TiO₂ photocatalysts (Cu/TiO₂) were fabricated by electroless plating and wet impregnation methods. Photocatalytic activity for H₂ production over Cu/TiO₂ by electroless plating method was higher than that over Cu/TiO₂ by impregnation method. Characterization of Cu nanoparticles by HRTEM, STEM-EDX, XRD and XAFS was studied. As compared to the wet impregnation method, the electroless plating method resulted in the formation of Cu nanoparticles with small size and uniform distribution on the TiO₂ surface, which caused the enhancement of H₂ production. XAFS measurement provided the evidences for the chemical state change of Cu species during the photocatalytic reaction. The process that Cu species varied from Cu²⁺ into Cu⁰ via Cu¹⁺ as the intermediate under photoirradiation is very important for the H₂ production, which indicates that the metallic Cu nanoparticles acted as the active sites and restrained the photogenerated charges recombination.