红外摄像机系统

本发明提供一种红外摄像机系统,该红外摄像机系统所用的敏感器件是一个具有许多个探测元件的红外焦平面列阵。工作时,光学系统将目标聚焦在红外焦平面列阵上,该红外焦平面列阵产生输出信号,然后与该红外焦平面列阵相连的信号处理系统再对该输出信号进行处理。该摄像机外壳还连接了一个吸收/发射屏蔽装置,摄像机的光学聚焦系统就固定在该屏蔽装置上。     

10元Hg_0.80Cd_0.20Te光导探测器

在研究航天用光导探测器过程中,发展了一种适合于目前器件工艺条件下的特殊的拼接工艺技术,利用这一技术可以获得目前单片材料很难得到的小列阵多元光导探测器,以及多元多色器件和等平面组合多色器件。本文报道了10元线列阵HgCdTe光导探测器制备中关于材料选择,研磨和抛光,表面处理,器件筛选几个问题,以及10元线列阵探测器     

光伏HgCdTe混合焦平面列阵的性能

第二代红外成象系统要求高密度的焦平面列阵便于凝视成象应用。为满足此需要,研制了光电二极管HgCdTe探测器和信号处理Si—CCD器件相组合的焦平面结构。通常用的离子注入混合列阵与CCD多路传输器虽然已成功地实现互连,但是用液相外延(LPE)层制备的混合列阵在性能、信号处理和输出效率方面具有独特的优点。采用富汞LPE技术制备的异质结二极管,其性能优于一般的离子注入器件。这种器件的面电阻高,组分均匀性好。本文就8—12μm和3—5μm波段范围所用器件的制备情况作简要介绍。     

关于Ⅱ型超晶格红外探测器列阵的发展

本文报导在Ⅱ型应变层InAs/GaSb超晶格材料上研制长波红外焦平面列阵工作的进展.美国雷神视觉系统公司和喷气推进实验室已研制成功截止波长为10至12μm的此类器件.这种器件的像元是通过湿蚀刻以及用等离子体淀积二氧化硅来进行表面钝化而形成的.列阵则是通过铟柱焊接与硅读出集成电路混成起来的.本文介绍对列阵的测试结果以及对分立二极管进行的电流-电压特性分析.雷神视觉系统公司和喷气推进实验室的研究人员发现,当温度低于70K时,漏泄电流在零偏压下受控于产生-复合效应,而在反向偏压下则受控于陷阱辅助隧穿效应.虽然其他作者已验证了Ⅱ型超晶格器件的短波红外和中波红外成像性能,但在2006年之前,还没有一个人能验证这种器件在长波红外波段内的成像性能.雷神公司和喷气推进实验室利用像元尺寸为30μm的256×256元列阵以78K的操作温度同时获得了静物图像和视频图像,在此温度下,这种列阵具有高操作性和10.5μm的截止波长.     

用分子束外延方法在4″硅衬底上生长HgCdTe并制造高性能大规格中波红外焦平面列阵

美国Raytheon公司已能用分子束外延方法在4"硅晶片上生长HgCdTe中波红外双层异质结(MWIRDLHJ),并能用这些晶片制造高性能器件。测试数据表明,用分子束外延晶片制造的截止波长范围为4μm～7μm的探测器的性能堪与用液相外延方法生长的材料的趋势线性能匹敌。两者的光谱特性相似,但前者的量子效率略低,这归因于所使用的硅衬底。在R_0A参数方面,HgCdTe/Si器件比用液相外延方法生长的探测器更接近理论辐射限。通过一个简单的模型,已知材料中的缺陷密度关系到器件的性能。同液相处延材料相比,分子束外延材料的1/f噪声略有增加,但测得的噪声电平还不足以明显降低焦平面列阵的性能。Raytheon公司除了用分子束外延材料制造分立的探测器之外,还用这种材料制造了两种规格的焦平面列阵。制造出来的128×128元焦平面列阵的中波红外灵敏度与用成熟的InSb工艺制造的焦平面列阵相似,而像元的可操作率已超过99％。用分子束外延材料制造的640×480元焦平面列阵则显示出更高的灵敏度和可操作率。     

8—12μm超晶格量子阱红外探测材料与器件的新进展

本文叙述天文用红外列阵器件发展的背景和研制过程中遇到的主要困难以及可能的解决途径。在此基础上介绍了使用各种读出电路的列阵器件的基本原理和发展现状,最后介绍几种有代表性的高水平红外列阵器件及其天文应用情况。     

用分子束外延方法在4"硅衬底上生长HgCdTe并制造高性能大规格中波红外焦平面列阵

美国Raytheon公司已能用分子束外延方法在4"硅晶片上生长HgCdTe中波红外双层异质结(MWIRDLHJ),并能用这些晶片制造高性能器件.测试数据表明,用分子束外延晶片制造的截止波长范围为4μm～7μm的探测器的性能堪与用液相外延方法生长的材料的趋势线性能匹敌.两者的光谱特性相似,但前者的量子效率略低,这归因于所使用的硅衬底.在R0A参数方面,HgCdTe/Si器件比用液相外延方法生长的探测器更接近理论辐射限.通过一个简单的模型,已知材料中的缺陷密度关系到器件的性能.同液相处延材料相比,分子束外延材料的1/f噪声略有增加,但测得的噪声电平还不足以明显降低焦平面列阵的性能.Raytheon公司除了用分子束外延材料制造分立的探测器之外,还用这种材料制造了两种规格的焦平面列阵.制造出来的128×128元焦平面列阵的中波红外灵敏度与用成熟的InSb工艺制造的焦平面列阵相似,而像元的可操作率已超过99%.用分子束外延材料制造的640×480元焦平面列阵则显示出更高的灵敏度和可操作率.     

苏联的热成象技术

目前,苏联的热成象能力包括高达50个InSb探测器的红外探测器列阵。InSb探测器与致冷器一起作为红外前视夜视系统中的基本传感装置。工作波长在2—6μm范围,该系统能分辨0.2℃的温度。该系统是特别为医疗诊断和非破坏性试验研制的。由器件的探测度性能表明,苏联的InSb红外探测器水平与美国目前用在前视红外,扫描器以及其它夜视装置中的器件水平差不多。0.2×0.3mm的极小尺寸探测器就     

高性能128×128元PtSi肖特基势垒红外焦平面列阵

设计并研制成功128×128元 PtSi 肖特基势垒红外 CCD(PtSi-SBIRCCD)焦平面列阵。介绍了该器件的工作原理。阐述了器件结构和设计思想,并就器件的性能参数进行了研究。     

分立器件时间测量单元的研制

分立器件的时间参数测量是分立器件参数测量的重要组成部分,随着分立器件设计技术的不断提高,如何高效准确地测试分立器件的时间参数是分立器件交流参数测试研究的重点。本文介绍了时间参数测量电路,从频率可调的方波产生电路,到时间测量电路做了一个系统的描述,此时间测量单元的测试结果在JC90分立器件测试仪器上得到了正确的验证。     

分立器件时间测量单元的研制

分立器件的时间参数测量是分立器件参数测量的重要组成部分,随着分立器件设计技术的不断提高,如何高效准确地测试分立器件的时间参数是分立器件交流参数测试研究的重点。本文介绍了时间参数测量电路,从频率可调的方波产生电路,到时间测量电路做了一个系统的描述,此时间测量单元的测试结果在JC90分立器件测试仪器上得到了正确的验证。     

日本制造列阵红外探测器件的工艺现状

由于日本具有雄厚的半导体工业基础,所以,近年来日本列阵红外探测器件的制造技术发展相当迅速,例如,达200元之多的碲镉汞列阵器件已经制成,并应用到许多科研和生产中。日本生产红外探测器列阵器件的公司主要有东京芝浦电气股分公司和富士通股分公司。下面介绍这两家公司制造红外探测器列阵器件的工艺。     

表面组装技术

一、前言 最近,表面组装技术普遍引起人们的注目。据今年三月日本印刷电路工业协会的调查报告,分立器件的表面组装率已达37％,估计在以后的三年中,将达到50％以上;有关集成电路器件也将和分立器件一样达到同等程度的表面组装化水平(表Ⅰ)。另外,这些表面组装器件的使用范围,以往是以民用     

半导体分立器件标准概述

半导体分立器件是半导体器件两大产业之一，对电子电气产业发展有重要的影响；半导体分立器件的标准化对分立器件的发展有着重要的指导和规范作用。文章主要介绍了半导体分立器件的发展历程、产业现状、国内外相关标准概况以及标准发展动向等。     

非致冷光学成像器件

为了获得一种无需致冷但具有适当特性的光学成像器件特别是在红外波段工作的光学成像器件,本发明提出了一种无需采用低温装置的红外成像器件。该红外成像器件通过用一列MEM微反射镜对入射在传感器列阵上的光束进行调制,使其热噪声的影响减小到了最低限度。它特别适合在摄像机和望远镜中用于红外成像。     

威世发布Super12四大市场欲发力

在电子世界,IC集成电路一片红红火火,相比之下,分立元器件的空间似乎平淡无奇。事实上,就集成电路在实际中应用中存在的局限,如最大电流受到限制、无法集成储能器件、可承受的工作温度远不及分立器件等多个方面来看,分立元器件正如空气与水,在电路系统设计的过程中是不可或缺的。     

医用红外多光谱相机

本发明提供一种医用红外多光谱相机,它包括一个长红外电荷耦合器件、一个中红外探测器列阵和一个能使长红外电荷耦合器件及中红外探测器列阵同步操作的控制装置。中红外探测器列阵可以包括碳纳米管,后者可以是探测器元件,例如,可以是已调节好带隙的碳纳米管。该探测器列阵上的每个分辨像元可以包括一个内含一根上述碳纳米管的平衡惠斯通电桥电路。探测器列阵上的相邻像元可以按正交偏振模式排列。这种医用红外多光谱相机可以用来获取患者某一有关部位的多光谱图像,以进行医学试验。患者既可以是人,也可以是动物,既可以是已知的健康人,也可以     

分立器件并联与大电流模块选用原则

本文采用对比的方法，详细分析了采用分立器件并联与采用大电流模块的原则，还介绍了分立器件并联时的布局，方法和散热器安装方法。     

电子元器件及电路的剂量率效应测试技术研究

介绍了半导体器件与电路的剂量率效应及其测试方法。主要分析了分立器件和集成电路的效应机理和建立的光电流测试系统及瞬时回避测试系统,给出了在晨光号加速器和DPF辐照装置上三极管及瞬时回避开关电路的辐照效应测量结果。     

BF工艺在光伏型锑化铟列阵探测器制备中的应用

本文报道在制备光伏型InSb列阵探测器时采用BF工艺,使器件的串音率和光敏元边缘效应得到改善的结果。多元列阵器件中的串音现象严重地影响着红外探测系统的灵敏度和红外成象的质量。赵文琴等曾用H~ 轰击的方法取得了较好的隔离效果,但实际应用有困难。我们采用BF工艺获得了更为满意的结果。实验证实,BF工艺是解决多元列阵器件串音及单元光敏面