赛斯纯气体有限公司为福顺半导体制造厂提供钯膜氢气净化器

赛斯纯气体有限公司作为半导体和发光二极管芯片制造厂的气体净化设备制造商，已经向福建久策气体集团有限公司供应了一台MegaTorr钯膜氢气净化器。该设备将用于福建福顺半导体制造厂超高纯氢气的供应。     

洁净室污染分析

赛斯公司开发的Ambient Air CollectTo嘏样系统和离线分析服务能够向尖端光刻和检测／量测设备的最终客户提供一种简单、专用和可靠的分析工具，对光学系统的分子污染物的吹扫气体进行验证。基于固态捕获器的CollectTorr取样系统与赛斯纯气体公司的尖端分析设备相结合，     

光子激发检测有害气体研究

应用新兴的光子技术,将气体的气味、毒性等信息转换为力学量,通过建立起的光子能量以被转换成的力学量的关系,识别不同气体的气味和有害气体,检测气体成分、密度、气压等参数,监控和净化气体.尤其对气体的各种参数检测提供一种新的光学传感器,并且对混合气体提供一种光学净化气体技术.     

创造价值 成就完美 与美国国际通用技术公司访谈录

问:俞总,请您谈谈贵公司的发展现状以及未来在中国大陆的发展计划. 答:美国国际通用技术公司从1992年起就开始与中国进行贸易往来,1995年开始向中国的半导体行业提供超高纯气体输送系统所需的管道、阀门和管接件等洁净材料.2000年成立中国办事处以来,公司在中国的业务有了迅猛发展.目前公司中国部员工近60人,向中国的半导体、平面显示、微电子、光纤、太阳能、汽车尾气检测、新材料等高新技术产业提供超高纯气体输送系统的完整解决方案.美国国际通用技术公司对中国的高科技产业,尤其是半导体产业的发展前景充满乐观的期待.公司未来在中国大陆的发展计划是在世界范围内整合技术和产品资源,向中国的半导体芯片制造项目提供设施建设、设备翻新、技术转让、整线调试等全面服务.     

等离子体净化工艺对覆膜阴极性能的影响

覆膜阴极因其优异的性能在很多领域具有广泛的应用。本文介绍了覆锇膜阴极预处理过程中增加气体辉光放电环节,实现等离子体净化阴极表面的工艺。通过二极管形式测试,发现等离子体净化使得覆锇膜阴极电子发射性能有大幅提升,对比了不同气体类型和放电时长的处理对阴极发射改善的差异,结果表明,氙气放电持续20 min可以达到较好的净化效果,继续增加放电时间发射提升不明显。本研究为真空电子器件的洁净制备提供了参考依据。     

爱克赛斯概念车

爱克赛斯概念车是130多家澳洲汽车零部件供应商和服务提供者的现代化技术水准的共同体现。 爱克赛斯概念车由米拉德(Millard)设计室在12个月内独立设计并制作完成。它是所有参与公司的集体能力的体现,也是他们准备为世界汽车制造商和主要供应商提供创新出路的强有力的象征。 爱克赛斯澳大利亚概念车的主要特征是:     

在硅外延工艺中用钯管净化氢气的点滴体会

外延生长时需要高纯氢气,要求露点至少为-70℃,含氧等气体总量<1ppm,含尽可能少的灰尘。为此,需要净化氢。可以通过各种方法达到净化目的。目前国内一般方法还是用分子筛和105型催化剂来净化氢。这个方法是简易的但有不足之处,有些杂质气体不能去除,如氮、一氧化碳和碳氢化合物等。105型催化剂与氢气中杂质氧气作用生成水,水分子附在105型催化剂的表面上逐渐地使催化剂表面钝化,如果不及时再生处理则对氢净化是极不利的。有人以无机化合物进行脱水净化氢,但这些化合物在硅器件生产中是有害的。例如:用NaOH和P_2O_5进行脱水,其中Na~+等杂质对沾污硅半导体材料方面是极其有害的。鉴于这种情况,我们一直采用钯合金扩散法来净化氢。     

钯膜上CVD法制备碳纳米管薄膜的研究

采用化学气相沉积法,以乙炔为碳源,在各种钯膜上制备了碳纳米管薄膜。通过电子显微镜观察了碳管薄膜和钯膜的表面形貌。结果表明,在真空气氛下磁控溅射的钯膜上无法生长碳纳米管。对溅射的钯膜进行大气气氛下的退火处理,则可生长出稀疏的碳纳米管团聚颗粒。采用在氧气气氛下磁控溅射的钯膜作为催化剂,则可显著提高碳管的生长密度和纯度,从而获得致密均匀的碳纳米管薄膜。     

半导体厂供气系统的“超净”技术

介绍了半导体厂高纯气体供气系统的污染源；结构材料选择依据及新型金属材料的开发；兆位集成电路用超高纯气体中粒子控制规范，其中包括ＳＥＭＩ标准和各公司的企业标准；对供气系统中部件和材料和处理要求及安装；粒子过滤与计数技术；粒子测试技术。     

准确检测液相中氢气浓度的倾斜光纤光栅传感器

为了实现液相中氢气体积分数的准确检测,该文利用钯、氧化硅超疏水溶胶和倾斜光纤光栅制备了氢气传感器。首先,在倾斜光纤光栅表面采用磁控溅射法涂覆了一层致密的钯膜,用于响应氢气体积分数变化信息;然后,采用镀膜提拉法在钯膜表面涂覆一层氧化硅超疏水膜,用于阻止水分子进入钯膜内部,导致钯膜从光纤表面脱落,进而增强了传感器在液相环境下运行的稳定性。实验研究了钯膜厚度对传感器氢敏响应特性的影响,并利用传感器对液相中的氢气体积分数进行了检测。研究结果表明,传感器能准确响应液相中氢气体积分数的变化信息,当钯膜厚度为120 nm时,灵敏度达到-15.29 pm/%,最大相对误差为8.67%。     

铜线键合的抗氧化技术研究

在铜线键合的过程中通入惰性保护气体,或在纯铜线表面涂覆金属钯防氧化层都可以改善铜线键合的抗氧化性能。为了评价上述两种方法对铜线键合抗氧化性能的改进情况,使用先进的材料表征方法分析不同保护气体流量情况下键合形成的金属熔球的形貌,金属熔球表面的氧原子数分数和表面氧化层的厚度。研究表明,保护气体流量为0.51 L/min时,可以在保证成本较低的情况下获得最佳的抗氧化效果。通过XPS和TEM分析发现,铜线表面涂覆金属钯可以延长铜线的存储寿命,降低键合界面的氧含量,提高键合的可靠性。     

以钯作扩散阻挡层——一种多功能线路板表面处理方法

电子工业不断的小型化,数种不同互联技术于线路板上电子零件连接及电接点被应用范畴不断增加。基于此用途,线路板组装垫位需被一层最后表面处理保护,如这最后表面处理层可用于不同互联技术,可被称为多功能表面层。钯是一个艮好的镍扩散阻挡层,故此层膜能抵受如焊接及键接之严酷老化测试条件。其两大优点为具有良好热超声波键接性及于无铅焊料之非常优艮焊接性。从预镀导线架过往多年经验已知即使很薄贵金属钯层及金层已可有保证可靠的金线键接性。从这一知识,沉镍浸钯浸金层膜系统（ENIPIG）被研发出来。此崭新表面处理ENIPIG三种金属镀液需互相配合才能于线路板工艺上达成理想多功能层膜。因着其薄贵金属层膜,相对于其他表面处理,可节省颇大的成本。     

载人深潜器舱室微量有害气体净化技术发展状况

目前的载人深潜器大多只注重保证潜航员的正常呼吸(即保证一定的氧分压,以及控制低浓度二氧化碳),对潜航员在海底舱内工作环境的其他微量有害气体考虑很少。而舱内有害气体净化技术是确保舱内空气质量的重要环节。由于航天舱、潜艇舱与载人深潜器舱室的环境有许多相似点,对目前航天舱以及潜艇舱内的微量有害气体净化技术进行简要介绍与总结。重点介绍了吸附技术、催化燃烧净化技术以及光催化净化技术,为以后发展深潜器长期的海底工作站提供部分借鉴。     

用于软接触开关和高密度SMT组装的钯表面涂覆层

1 概述本文论述了采用化学镀工艺形成的纯钯表面涂覆层,预期可用于软接触开关。镀通孔的波峰焊接、表面安装波峰焊接和用于精细节距与甚精细节距的表面安装焊膏再流焊等。这种钯镀层具有明显的成本效应。相同的 PWB 上仅以单一钯层厚度就可满足上述所有应用领域的要求。对于 PWB 组装业务来说,化学镀钯的表面涂覆层还是相当新的技术。但是,实际上钯已     

铝和铝合金膜的等离子体刻蚀

研究了铝和铝合金膜的一种新的等离子体刻蚀技术,在平行板型等离子体装置中使用含氯的气体。在这种系统中,我们使用CCl_4和在CCl_4中混合C_2H_4的气体作为刻蚀气体。研究铝和铝合金膜的刻蚀特性如下:     

雷达刷丝导电环钯镍合金镀膜技术研究

描述了针对雷达刷丝-导电环采用钯镍合金镀膜的技术,对铝青铜材质的导电环刷丝面进行电镀,达到耐磨性钯镍合金膜层结构,以满足产品所需要的耐磨和导电要求。研究了钯镍合金溶液的钯离子浓度参数变化,以及参数变化对刷丝面镀层钯镍百分比含量的影响。结合镀金层对实验结果进行分析,讨论了各种现象出现的原因。     

空气产品公司赢得台湾联电新晶圆厂供气合同

空气产品公司（AirProducts）,一家全球领先的工业气体供应商,宣布其台湾子公司三福气体股份有限公司（三福气体）已经获得台湾联华电子股份有限公司（联电）的一项长期合同,为联电在台南科学工业园区的12英寸晶圆厂最新四期项目提供氦气及其它大宗气体。三福气体将建造一套大型空气分离装置、输气管道和大宗气体系统,为联电300mm晶圆厂的第五至第八期提供超高纯氨气和其它大宗气体,包括氧气、氩气、氦气和氢气。     

提高金—钯厚膜导体老化结合强度的尝试

<正> 金—钯厚膜导体不如银—钯厚膜导体使用那样广泛。但在有些军用的厚膜线路中拒绝用银,因为已有因银迁移而失效的教训。在这种情况下,采用金—钯导体是最经济的解决办法(1)。但是,钯的存在,钯的氧化—还原性质阻碍了金—钯导体在800℃以下烧结过程中的密度增长。与金—钯导体比较,烧成膜的致密性差(2)。热老化过程中,锡较易往导体     

镀钯铜线键合中FAB表面的钯覆盖

铜引线键合由于低廉的成本和优良的材料综合性能而受到越来越多的重视,而镀钯铜线较纯铜线的应用更为广泛。其中,自由空气球(FAB)上钯的覆盖情况是需要进行研究的问题之一。由于烧球工艺为瞬态过程,因此在形成FAB后其表面的钯可能会出现不均匀的分布,后续的塑封环节中低含量的钯区域就会遭受外界的侵蚀,这对焊点的可靠性会有不良的影响。基于此,针对线径20μm镀钯铜线FAB上的钯覆盖区域进行了探究,并采用定制化的化学腐蚀方案来显示FAB上钯膜较厚区域和较薄区域在形貌上的差异。此外还讨论了不同电子火焰熄灭(EFO)工艺参数样品的钯薄弱区形状参数,最后分析了影响FAB表面上钯薄弱区的主要工艺因素,得到了相关工艺参数参考值,对后续工艺的可靠性提升有一定的借鉴意义。     

美国杜邦公司厚膜技术简介

<正> 本文系根据1981年杜邦公司来华技术座谈会记录及其提供的资料,归纳整理而成。杜邦公司厚膜浆料发展简况五十年代后期,杜邦公司首先发展了钯银浆料,用其制作的厚膜电路用于IBM360计算机。六十年代又发展了性能优良而稳定的