全并行A／D转换器中电压比较器的设计

本文介绍了一种用于全并行(闪烁型)A/D转换器的电压比较器的设计,并对闩锁比较级的设计作了具体分析。该电路具有高频、高增益和低功耗等特点。采用氧化物隔离双极工艺,最小特征尺寸为3μm,晶体管的f_T为3.5GHz。该比较器满足S10214位并行A/D转换器的指标要求。     

一种单片高速八位A／D转换器的设计

本文介绍了一种硅双极型单片大规模集成8位逐次近似A/D转换器X1001的电路设计,这种电路采用了自锁式电压比较器和高速低功耗ECL逻辑电路,转换时间为400ns,是单片集成逐次近似A/D转换器中速度最快的器件。     

一种基于闩锁结构的高速电压比较器

文章结合高速A/D转换器的研究设计了一种新型高速、高精度集成闩锁比较器,针对提高集成闩锁型电压比较器的性能,讨论了比较器失效、速度-功耗优化、时钟反馈噪声等设计问题.该比较器有较高的输入电阻,对高频时钟的反馈噪声有较好的抑制性能,采用"电容中和技术"补偿预放大级带宽后更加适用于高速应用的需要.文中给出了详细的性能分析以及采用PSPICE仿真的模拟结果.     

一种带三级预放大的高速高精度CMOS比较器

比较器的设计对于A/D,D/A转换器的精度至关重要。为了满足12位高分辨率的A/D转换器的需要,设计了一种高精度CMOS比较器,采用三级差分比较和一级动态正反馈的Latch结构实现了高比较精度。论文对该比较器的电路结构,增益,带宽,输入失调消除原理和锁存时间常数进行了分析,并利用Hynix 0.5um CMOS工艺提供的器件模型进行了仿真,在20MHZ频率下,比较器的精度达到了400uV。测试结果显示,在16MHZ频率下,比较器的精度达到了600uV。在电源电压为5V时,功耗为78uw。芯片面积是210um *180um 。该比较器已经成功用于一种10MSPS 12位A/D转换器中。该器件还可以用于13位以下的其他A/D转换器电路。     

SAD007 16位A/D转换器

<正> 简要说明SAD007是电子24所前几年研制开发的一种单片集成的高精度16位逐次逼近型 A/D 转换器,它包括内部精密9.85V 基准电压源、16位高精度电流输出型 D/A 转换器、16位逐次逼近寄存器(SAR)、高精度低漂移电压比较器、电流动态分配单元和时钟控制逻辑电路。该器件采用了超大规模模拟数字混合设计技术和标准双极工艺制作技术,具有体积小、功能全、可靠性高等特点。该电路采用40引线陶瓷双列封装(D40L)。引出端排列(俯视图)如图1所示。     

一种单片集成的CMOS数/模接口电路的设计

介绍了一种单片集成的数模接口电路。它主要由两个8位D/A转换器、8个比较器通道和片上带隙基准源组成。设计中,采用了一种规则的全NMOS管构成的M-2M梯形电路,以及本文提出的电流-电压转换电路。电路采用1.2μm双层多晶双层金属N阱CMOS工艺实现,芯片面积3.5mm×2.7mm。系统采用5V双电源,正常工作时功耗约为500mW。D/A转换器的有效工作位为7位,实现了确定的-3V到+3.5V的输出幅度,满摆幅输出建立时间小于1μs。比较器通道的传输延迟小于10ns。     

硬件

0021065一种基于闩锁结构的高速电压比较器[刊]/王萍//电子学报.—2000,28(6).—89～92(K)文章结合高速 A/D 转换器的研究设计了一种新型高速、高精度集成闩锁比较器,针对提高集成闩锁型电压比较器的性能,讨论了比较器失效、速度.功耗优化、时钟反馈噪声等设计问题。该比较器有较高的输入电阻,对高频时钟的反馈噪声有较好的抑制性能,采用“电容中和技术”补偿预放大级带宽后更加适用于高速应用的需要。文中给出了详细的性能分析以及采用PSPICE 仿真的模拟结果。参6     

一种1MS/sCMOS/SIMOX8位A/D转换器

采用CMOS/SIMOX工艺制作1Msam ple/s 8 位A/D转换器。该A/D转换器采用半闪烁型结构,由两个4 位全并行A/D转换器实现8 位转换。电路共有31个比较器,采用斩波稳零型结构,具有结构简单和失调补偿功能。电路由2100 个器件组成,芯片面积为3.53 m m ×3.07 m m     

高性能A/D变换器

数字电视技术不仅已用于电视制式转换器以及录象机和特技信号发生器中的时基校正器,而且已用于帧同步器,以便在多路电视转播时同步电视信号。电视系统中采用的A/D变换器必须性能好、成本低。NHK实验室研制的那些A/D变换器已经达到了这些要求。到目前为止,我们已研制了两种类型的电视用A/D变换器,第一种为8比特A/D变换器,如图1所示,在这种A/D变换器中采用了如下的技术革新: ①采用具有箝位基准电压的电平比较器,用来稳定每一个编码器。②研制了一种具有特别稳定增益的新型简单电路(SRDA),该电路起模拟移位寄存器和减法放     

一种用于半并行A/D转换器的比较器设计

简要介绍了半并行结构的A/D转换器原理。针对该结构的A/D转换器,提出了一种能自动校零、迟滞、全差分输入及多级前置放大的比较器。解决了输入失调电压、噪声环境下单转换、电荷注入、带宽、转换速度等问题。给出了应用该比较器的0.6μm CMOS半并行A/D转换器的性能。结果表明,设计的比较器能使丰并行ADC的DNL和INL小于±0.5 LSB,SNR大于48dB。     

高效结构多步模／数转换器系列

采用一种更为有效的结构设计,出一种8位和10位A/D转换器系列。10位A/D转换器需用两个4位(8位转换器需用两个3位)半并行比较周期和一个自校准电压估值器。由于比较器和电阻器的数目减少,虽然其速度与常规的半并行转换器相当,功耗和芯片尺寸却更小。     

用单片机如何实现交流量的A/D转换

单片机只能处理数字量而不能处理模拟量,而实际上模拟量随处可见,如电压、电流、温度、压力等等。它们都需要通过单片机进行测量和处理,这就需要将这些模拟量先通过A/D转换(模/数转换)后变为数字量后再由单片机进行处理。随着单片机的集成度及功能的增加,目前已有很多的单片机内集成有 A/D转换器,使用上很方便。在模拟量的测量中最常见的莫过于交流电压及交流电流的测量,而单片机内的A/D转换器通常是用来测量直流或脉动直流的,测量交流量并不方便,因输入脚不允许输入负电平。这需要增加一些外围电路方能实现对交流电的测量。下面介绍两种…     

用万用表测量正弦波的相移

本电路使普通的数字式电压表(或万用表)也可以测量两个正弦波电压之间的相位差。如图1所示,本电路由模拟比较器、数字比较器、低通滤波器和电源等四部分组成。 两个被测的正弦波信号分别通过输入插座K1和K2加到模拟比较器IC1a和IC1b的同相输入端。反向并联的两对二极管D1—D2和D3—D4对幅度过大的输入信号起限幅的作用。这两个比较器将正弦波信号转换成方波信号。电阻R1—     

铁氧体驱动与双路功率MOS单片集成电路研究

介绍了一种集成低压铁氧体驱动器和功率MOS管的单片集成电路。其内建驱动器工作电压9 V,功率MOS管极限电压大于80 V,工作电流3 A。该电路内含D/A转换器、双路比较器、触发器和组合逻辑电路,以及过频过压保护等功能,采用键合SOI深槽的CMOS/LDMOS工艺制作。     

3CCD数码摄像系统处理电路概述

0　引言3ＣＣＤ数码摄像系统处理电路用于把来自ＣＣＤ的输出信号 (ＣＤＳ)产生为数字Ｙ(亮度 )和Ｃ(彩色差分Ｒ -Ｙ/Ｂ)信号。处理ＩＣ的总框图如图 1所示。图 1　处理ＩＣ的总框图1　模拟 /数字转换器 (ＩＣ30 9/31 0 /31 1 )模拟 /数字转换器ＩＣ将来自处理电路的模拟(ＣＤＳ)信号转换为 9比特数字信号 ,如图 2所示。( 1)模拟输出端子与各个比较器并行连接 ,比较器的另一个输入端与各个基准电压连接 ,这些基准电压是由分离输入电压为 512级而产生的。这 512级电压的范围从Ｖ .ＲＥＦ(Ｌ)的 0 .8Ｖ到Ｖ .ＲＥＦ(Ｈ)的2 .8Ｖ。( 2 )一个 11…     

驱动高速ADC的差动放大器

图1所示为一种分立元件式的A/D转换器的驱动电路。该电路可将单端输入转换成差动输出。A/D转换器的基准电压决定了差动输出的共模范围。电路包含了两个AD9631放大器,一个放大器接成同相电路,另一个接成反相电路。OP279放大器对A/D转换器的基准电压进行缓冲和按比例调节,以便设定两个输出的共模工作范围。图1所示电路需用许多电阻器。图中两个15Ω的电阻器有助于防     

一种新型移相驱动器的设计

设计了一种新型移相驱动器,它在常规移相驱动器的基础上集成了D/A转换器、积分器、比较器等多种电路.该电路具有功耗低(≤5 mA),驱动能力强(驱动电流≥±30 mA),可靠性高等优点,符合移相驱动器高精度、高集成度、小型化的发展方向.     

四路测量控制仪

本文介绍使用HT46R223单片机制作的四路通用测量显示控制仪。其面板设置示意图如图1所示。电路原理如图2所示。该单片机内含多路10位A／D转换器，在制作多路A／D转换仪器时，相对于采用其它硬件电路可以大幅度节省成本。该装置可用于两路电压测量显示控制和两路电流测量显示控制。     

5V工作电压下输出为5V的D/A转换器电路

图中所示的电路可以在单一的5V电源下输出幅度0到5V间变化。8位的CMOS D/A转换器(IC_1)在电路中所起的作用象一个电压控制的数字电位器。即当对1脚加入1.25V参     

16级灰度320×240像素硅基有机发光驱动电路研究

使用华润上华（CSMC）0.5微米标准CMOS工艺实现了320×240像素硅基有机发光（OLED-on-Silicon）驱动电路。驱动电路集成了4位D/A转换器,实现16级灰度。提出了一种能够实现OLED微显示要求的极小电流驱动的3管电压控制型像素驱动电路。D/A转换器与像素驱动电路均以PMOS晶体管组成。OLED像素驱动中的传输门与电容器能够用来对D/A转换器的输出进行取样。在OLED像素驱动电路中加入一个额外的PMOS管,可以控制D/A转换器只驱动开启的一行,以降低芯片功耗。驱动电路可以正确的工作在50Hz帧频状态下,并给出了最终的电路版图。单个像素面积28.4μm×28.4μm,整个显示区域面积为10.7mm×8.0mm（对角线尺寸为0.52英寸）。测量的像素灰度电压波形表明驱动电路功能正确,测量芯片功耗为350mW左右。