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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
INFORMATION FOR AUTHORS   总被引:1,自引:0,他引:1  
INFORMATIONFORAUTHORS¥//SEMICONDUCTORPHOTONICSANDTECHNOLOGY(SPAT)ispublishedquarterlywiththepurposeofprovidingthepublicationo...  相似文献   

2.
欧洲计划联合开发8inSOI晶片JESSI的"VLSI用的绝缘晶片上Si"计划瞄准了先进的CMOS用的8inSIMOX(注入氧分离)晶片制造这一目标。由SOITEC(Grenoble,France)研制的低量SIMOX工艺将应用于Wacker化学电子...  相似文献   

3.
SGS-THOMSON Microelectron-ics公司全面支持6x86体系结构作为Pentium的替代结构,并深信很多PC机、工作站和服务器制造厂商和其他OEM厂商将发现ST6x86是满足其系统需求的切实可行的解决方案。SGS-THOMSON对MDR实验室完成的独立基准程序测试结果感到非常高兴。这些测试证实,在相同的系统配置中,6x86在每个器件类别中的性能都高于Pentium。为了使客户能方便地对照比较不同x86体系结构的性能,SGS-THOM-SON、Cyrix、IBM和AMD已联合…  相似文献   

4.
Harris半导体公司筹建世界首家8英寸功率MOS厂美国Harris半导体公司计划投资25000万美元建成世界首家8英寸功率MOS晶片制造厂,用于制作MOSFET、IGBT和MOS控制晶闸管(MCT)。新厂全部投产后,将使Harris公司的功率MOS...  相似文献   

5.
OPTICALFIBER-MOBILECOMMUNICATION¥FENGXi-Yu;SUNTie-Cheng(DalianUniversityofTechnologyDalian116023)Abstract:Thetechniqueofmobil...  相似文献   

6.
半导体和IC     
表面贴装功率IC封装SGS THOMSON Microelectronics公司的大功率表面贴装封装系列又增添了一种形状和尺寸与标准14×14×2.8mmQFP封装相同的新型大功率封装。这种新封装叫做HIQUAD-64(JEDECMO-188),是为未来的灵巧功率芯片设计的,具有优于1k/W的连接外壳热阻,厚度为10密耳的铜线框以及金或铝焊线。它可容纳120k密耳2的小片。高速ASIC验证工具ViewlogicSystems公司最近推出Eagle系列新产品EagleV TM,这是一种优化的专用集…  相似文献   

7.
GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用TEM、X rayRockingCurve等测试的方法,对GaAs晶片化学机械抛光后亚表面损伤层引入的深度进行了分析,探讨了碱性SiO2胶体水溶液加入不同浓度的电解质(NaOCl)后所发生胶粒带电程度的变化,从胶体理论的角度解释了SiO2胶体溶液不稳定对GaAs抛光晶片亚表面损伤层的影响。  相似文献   

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简讯(二)     
李明 9月27日,国家无线电监测中心、中国邮电器材总公司与法国THOMSON-CSF(汤姆逊)公司的主要领导和相关技术人员就监测中心购买THOMSON-CSF公司的固定短波监测和大基础干涉仪测向设备及短波、超短波移动测向设备一事举行了签字仪式。此次国家无线  相似文献   

9.
SpatialLightModulatorwithBSOCrystalandItsApplicationinHolography①WANGWensheng(ChangchunColegeofOpticsandFineMechanics,Changch...  相似文献   

10.
适于嵌入应用的一种25MS/s8位CMOSA/D转换器=A25MS/s8-bitCMOS.A/Dconvertcrforembeddedapplication[刊,英]/Pel-grom,MJM…∥IEEEJ.Solid-StateCircuits....  相似文献   

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UseSingle-chipComputertoRealizeAutomaticCompensationforOpticalFiberSensors①WANGShouyu,TIANGuangyun,YINGuiliang(YanshanUnivers...  相似文献   

12.
AmorphousSiliconFilmsPreparedbyCatalyticChemicalVaporDepositionMethod①②ZHONGBoqiang,HUANGCixiang,PANHuiying(ShanghaiInstitute...  相似文献   

13.
HoleMobilityinPoly(N-vinylcarbazole)ThinFilmBasedonSilicium①②CHENBaijun,WANGXiaowei③,LIUShiyong(StateKeyLab.onIntegratedOptoe...  相似文献   

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NewCompensatedMethodtothePhaseforaBulkOpticFaradayCurrentSensor¥HESaixian;ZHONGSidong;YUMozhi;HUYoulin(WuhanTechnologyUnivers...  相似文献   

15.
NH_3-氮化N_2O ̄-生长氧化物的MOS特性=MOScharacteristicsofNH_3nitridedN_2O ̄-grownoxides[刊,英]/Yoon,G,W.…//IEEEElec-tronDeviceLetters.1993,1...  相似文献   

16.
PSpiceModelingofOpto┐electronicdevicesUsingABMComponentsJianpingCHENDieterSTOLL1(NationalLaboratoryonLocalFiber-OpticCommuni...  相似文献   

17.
SpecialPolymersandTheirApplicationsG.Xu(MaterialsSci.&Eng.,McMasterUniversityHamilton,Ontario,L8S4L7,Canada)Recently,signific...  相似文献   

18.
TI通用器件选购指南SN74HC×××:高速CMOS逻辑系列工作电压:+5V工艺:CMOS典型传输速率:25ns驱动电流(-IOH/IOL:-8/8mA型号管脚后缀说明零售价(元)型号管脚后缀说明零售价(元)SN74HC00SN74HC02SN74H...  相似文献   

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薄膜亚微米CMOS/SOS工艺的开发及其器件的研制   总被引:2,自引:0,他引:2  
张兴  石涌泉 《电子学报》1995,23(8):24-28
本文较为详细地介绍了薄膜亚微米CMOS/SOS工艺技术的开发过程,薄膜亚微米CMOS/SOS工艺主要包括双固相外延,双层胶光刻形成亚微米细线条硅栅、H2-O2合成氧化薄栅氧化层以及快速退火等新的工艺技术,利用这套工艺成功地研制出了高性能薄膜来微米CMOS/SOS器件和门延迟时间仅为177ps的19级CMOS/SOS环形振荡器,与厚膜器件相比,薄膜全耗尺器件和电路的性能得到了明显的提高。  相似文献   

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基于MCGS的数据传输通信软件的设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
0 引言随着计算机的发展与普及 ,计算机在工业控制中得到了广泛的应用。随着软件开发的难度越来越大 ,软件的数量越来越多 ,软件开发成为计算机应用的瓶颈 ,自动化的程序开发成为必然。MCGS就是工业控制方面的自动化开发软件 ,在MCGS基础上开发数据传输通信软件具有一定的通用性和必要性 ,这正是本文要讨论的主要问题。1 MCGS简介MCGS(MONTTORCONTROLGENERATEDSYS TEM)是一套基于MicrosoftWindows 95和MicrosoftWindowsNT平台 ,用于快速构造和生成监控系…  相似文献   

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