静电感应场效应晶体管 SIT

无论是双极型晶体管,还是通常的场效应晶体管,其电流电压特性都是随着电压的增加,电流呈现饱和的五极管型的特性,而这次新研究的静电压应场效应晶体管(Static Induction Field Effect Iransistor.称为SIFET或SIF)是电流随电压的增加呈现五极管型的电流电压特性,从工作特性方面来看,可以说电子管已逐渐被固体元件代替完了。     

静电感应功率场效应晶体管

以静电感应晶体管(SIT)而命名的器件,听起来似乎是一种新的东西。可是近1～2年来,在杂志和报纸,特别是和音频有关的杂志中,被广泛称作“三极管特性场效应晶体管”、“不饱和特性场效应晶体管”、“纵形场效应晶体管”、“功率场效应晶体管”等等。至于静电感应晶体管这个名称,则远不如这些称呼时髦了。这样的事是常有的,一种器件出现了,但其名称则是后来才确定下来的。不过这里需要注意的是上述诸称呼与 SIT 指的不一定是同一种东西。SIT 这个名称是东北大学西泽润一教授根据新的晶体管的工作原理而命名的。可以     

双极模式静电感应晶体管(BSIT)

一种具有常关型特性的新型功率器件已经研究成功了,该器件称为双极模式静电感应晶体管,器件阻断电压达600V,漏极电流1.5A,开通时间120ns,关断时间320ns。     

场效应晶体管

所谓场效应晶体管(FET)就是用栅电极来控制源、漏电极之间电流沟道的导电率使电流变化的晶体管,按照栅电极的结构有用pn结形成栅的结型场效应晶体管(JFET),用肖特基势垒形成栅的肖特基势垒场效应晶体管(SB FET)和在绝缘层上形成金属的绝缘栅场效应晶体管(MIS FET)三种。至今为止,FET中进展较快并已实用化的是MISFET,其中主要是绝缘层用SiO_2的MOSFET,这种趋势即使在今后还会继续下去。     

隐栅场效应晶体管(Gridistor)——一种用作超高频功率放大器的场效应晶体管

本文介绍一种具有独特结构的隐埋栅1瓦1千兆赫硅场效应隐栅管的特性和性能,可以在甲类工作状态下,采用共栅电路,在1千兆赫下实现1瓦的功率输出,其增益为7分贝,并且输出功率随输入功率的变化有一良好的线性关系。     

高温超导场效应晶体管的动态导纳模拟

本文基于我们建立的超声场效应器件的统一信号理论,引进了动态导纳参数。对高温超导场效应晶体管的低频电流－电压特性进行了数值模拟。分别对推广的二流体模拟中正常电流和超导电流在一定的条件下随栅电压、漏电压、温度和频率的变化进行了分析。给出了一种高温超导场效应器件低频特性新的研究方法。     

微波场效应晶体管及其电路应用(综述)

一引言 1965年,RCA公司的Becke成功地制造了第一个微波场效应晶体管,使场效应晶体管开始进入微波领域。但是,在其后一段很长的时间进展较为缓慢。随着半导体材料和工艺技术的进步,从1974年开始又有了新的突破。最近几年进展迅速,现在已从实验室阶段走向实用阶段。目前,各国半导体厂家和研究部门纷纷成立微波场效应晶体管的研制机构开展研制工作。有关微波场效应晶体管及其应用的文章亦大量发表,似乎大有微波场效应晶体管热之趋势。     

衬底型离子敏感场效应晶体管(ISFET)

衬底型ISFET是一种化学敏感器件。沉积在衬底背面上的化学敏感膜(Si_3N_4、AgCl等)的活性区与测试溶液相接触。当溶液离子浓度发生变化时,器件的漏源电流会发生相应变化,本文推导出了这两者变化的关系式,并研制出了密封性较好、性能稳定的衬底型ISFET。     

微波砷化镓场效应晶体管的进展(续)

<正> 三、GaAsFET 的应用随着 GaAsFET 的迅速发展,应用范围也日趋扩大。在一定范围内将逐步取代雪崩二极管、耿二极管、参量放大器和中、小功率行波管。在微波中继装置、多路无线电通信、卫星通信、雷达和电子对抗等微波电子设备中都能得到广泛应用。GaAsFET 可用作放大器、振荡器、混频器、限幅器、调制器、微波开关以及数学开关逻辑电路等。但到目前为止,普遍应用的主要是放大器,对其研究较成熟,市场上产品也较多。近几年来,在振荡器和混频器等方面的研究逐渐增多,但基本上还处于研     

内匹配静电感应晶体管

<正> 日本三菱电机的LSI研究所采用内匹配技术研制1GHz下输出功率100W、增益为4dB的微波静电感应晶体管(SIT)获得成功,在1981年11月召开的日本电子通信学会电子器件研究会上发表了这项成果。在进行器件设计时,为了降低影响高频特性的每单位源长的漏-栅电容,首先使图形制作得更微细,电极条宽为2μm,电极间距为1μm,栅间距为6μm。此外,为了避免热集中,整个晶体管被分成几个单胞配置,芯片尺寸约4×1.2mm,设计指标为:在1GHz下能输出50W。     

静电感应晶体管图象传感器

一、前言在这两年间,固态图象传感器得到加速发展。CCD型和MOS型器件作为视频摄象机的器件进入实用阶段,并且实现批量生产。然而,这些现行器件比起摄象管来性能上的问题当然不是已经解决。尤其是考虑到电子写照摄象机、高象质电视,还有天文计测等方面的用途,其灵敏度和信噪比的要求未必都能满足。因此,除了在现行器件的构造上和读出方式上想办     

大功率场效应晶体管

最近,国外介绍了两种金属氧化物半导体场效应晶体三极管,其型号为MTM15N35和MTM15N40,其输出功率可达250瓦.这种双扩散、N沟道硅栅极场效应晶体三极管的额定连续漏极电流为15安,额定峰值漏极电流为70安,额定击穿电压分别为350伏和     

行波场效应晶体管

场效应晶体管与双极晶体管相比,因其输入电阻很高,而且是多数载流子传输器件,所以具有高输入阻抗和低输出阻抗的特点。但是,目前的场效应管,由于其输入、输出电容很大,截止频率较低,显示不出高输入阻抗的优点。一般,它的跨导g_m也比较小。为提高跨导g_m,则不可避免地要造成输入电容的增大。但如果把场效应管装成定K型电路或m型推演式电路,则输入、输出电容大和跨导g_m小的缺点可较容易地得到解决。这样,在场效应管本身的设计上就会自由得多,此外,由于电路比较简单,也有利于实现集成化。本文首先介绍行波场效应管电路的设计理论,并证明它与实验结果符合的较好。接着,应用此种理论,以场效应管的结构参数和材料参数为参量,在设计上,为得到尽可能高的频率上限和必要的电压增益,以偏压为函数,求出所需场效应管的最少个数。最后,简单介绍一下把上述电路集成化时的电路结构。     

圆柱形场效应晶体管

基于平面形场效应晶体管的肖克莱理论,分析推导了圆柱形场效应晶体管的特性。发现圆柱形器件能给出二倍于平面形器件的电压放大系数。它的频率特性和肖克莱的元件是可比拟的。由于少了一个自由度,使圆柱形场效应管的跨导和功率特性明显地受到限制。实验数据证实了分析结果。     

GaAs场效应晶体管

<正> 日本电气公司窄凹栅结构的低噪声 GaAsFET 已在12千兆赫下达到噪声系数1.68分贝,在4千兆赫下为0.7分贝。而三菱电机公司的缓变凹栅结构的封装器件在12千兆赫下最小噪声系数已达1.3分贝,未封装的芯片在16千兆赫下噪声为1.8分贝,在18千兆赫下为2.1分贝。功率 GaAsFET 目前三种不同的主要结构是:日本电气公司的缓变凹栅结构,富士通公司的源、漏下做 n~+层的结构和三菱电机公司的铜热沉上芯片倒装的结构。日本电气公司已达到6千兆赫,23瓦;8千兆赫,17瓦;18千兆赫,1.25瓦。三菱电机公司已达到15千兆赫,1.9瓦。     

微波频段上的砷化镓场效应晶体管(上)

序言微波通信、雷达、电子对抗、卫星地面站等正在实现固体化。就同体化而言,已经有一段漫长的历程了,最先是从接收机的固体化开始,然后又发展到发射机的固体化。在七十年代初,陆续地出现了雪崩二极管和甘氏二极管的放大器,并使之用于微波通信成为一种典型的固体化器件。     

自旋场效应晶体管的电学特性研究(英文)

用非平衡格林函数方法研究一种自旋场效应晶体管的电子输运特性。结果表明,不考虑自旋散射的作用,当漏极电压比较小时该器件能达到很高的磁阻比率。对该器件在考虑自旋散射和不考虑自旋散射下的输出电流进行对比,发现在铁磁平行(反平行)的条件下,考虑自旋散射时的输出电流要比不考虑自旋散射时的输出电流小(大)。研究结果揭示了该器件的物理机制,为该器件的优化设计提供了理论指导。     

微波频段上的砷化镓场效应晶体管(下)

特宽带砷化镓场效应晶体管放大器在双极型晶体三极管中运用负反馈实现宽频带的方法,在场效应晶体管放大器扩展频带的设计中也用。这种负反馈方法改善了驻波比,保证了增益特性曲线的平坦,也扩大了动态范围。另外一种宽带方法是平衡型放大器,它可获得良好的驻波性能。专门运用在频率比较高、带宽从1个倍频程至几个倍频程的情况。     

一种新型电子节能灯用晶体管—双极型静电感应晶体管(BSIT)

本文简要叙述了开发和研制BSIT的市场背景和技术现状；对BSIT（BipolarStaticInductionTransistor）器件模型进行了理论分析；对BSIT器件的设计和制作工艺进行了探讨，并分析了BSIT器件的工作原理和特性；介绍了BSIT器件的应用和上灯试用情况。     

静电感应晶体管的空间电荷效应

研究了静电感应晶体管(SIT)在大注入情况下出现的空间电荷效应,分析了空间电荷效应的物理机制.从理论上推导出了SIT工作在沟道势垒调制下的I-V特性的解析表达式,实验结果表明它们符合得较好.在漏压增长过程中,有两种势垒出现(沟道势垒和空间电荷势垒),它们分别对应于沟道势垒调制和空间电荷势垒调制模式.随漏压增加,SIT逐渐从沟道势垒调制模式转向空间电荷势垒调制模式,对此转变物理过程给出合理解释,直观地给出了SIT在空间电荷效应作用下的变化规律.由于SIT小电流区域的沟道势垒调制使SIT区别于其他器件,其中栅压对SIT空间电荷效应有非常重要的作用.