1986年我国光纤通信技术的新成果

深锌扩散条形1.55μm InGaAsP/InP激光器为满足长距离、大容量光纤通信的迫切需要,邮电部武汉邮电科学研究院武汉电信器件公司研制成功深锌扩散条形1.55 μm InGaAsP/InP激光器。这种激光器属于一种增益波导型结构,与其它结构相比较,具有工艺较简单,输出模式稳定,功率-电流特性曲线无扭折等优点。该器件的主要技术指标为:(1)阈值电流为80～130 mA;(2)输出功率为5～10 mW     

InGaAsP/InP双异质结激光器的制备

本文介绍InGaAsP/InP双异质结激光器的各种制管工艺,重点介绍隐埋条形和扩散条形的结构和工艺。     

1.3μm InGaAsP/InP隐埋异质结条形(BH)激光器连续激射

本文论述了一种作为长波长光纤通信光源的1.3μm InGaAsP/InP隐埋异质结条形(BH)激光器的结构、制作及电光特性。用这种方法可重复制出低阈值、大功率输出、高微分量子效率和高温特性好的器件。     

低阈值单模工作的横向结条形GaAlAs激光器

试制了两种横向结条形(TJS)激光器结构。一种是n—GaAS衬底的TJS激光器,另一种是隐埋P区TJS激光器。两种器件的有源区由夹在两个异质结之间的GaAS扩散同质结P~ -P-N的二维波导构成,并且该种结构的二维波导可以做得很小,在室温连续阈值电流以上的很宽注入电流范围内获得了单纵模和基横模工作,而且横模几乎与注入电流无关。在脉冲工作下,直到三倍阈值电流下仍以单纵模工作。由于隐埋部区TJS激光器采用了双自反偏压结构,更有效地限制了分流效应,使室温连续工作阈值电流低至15mA。     

NEC蓝光激光器达到300mW输出功率

正当半导体制造商准备批量生产下一代DVD用蓝光激光器时,日本日电公司(NEC)的研究人员开发出一种大功率GaN发射源,用这种技术来提高再写入光驱的写入速度。在日电公司系统器件研究所开发的这种405nm波长的激光器连续波发射功率达到创世界记录的300mW。用日电公司的专利技术制造的这种激光二极管为平面结构,有一条AIN隐埋条。研究该器件的研究小组称,这种器件结构的生长采用了“多重外延技术”。日电子公司—日电化合物半导体器件公司用一个激光器样品为客户做了试验,其批量生产放在日本大津的该公司关西工厂。NEC蓝光激光器达到300mW…     

武汉电信器件工司研制出DC—PBH激光器

武汉电信器件工司为了获得低阈值和长寿命的光通信用光源,研制了双沟道平西掩埋异质结激光器,并取得了初步成果。其特性为: 波长:1.31μm;阈值电流:<50mA:     

1.3μm量子阱LD的工艺研究和特性分析

１．３μｍ量子阱ＬＤ的工艺研究和特性分析金锦炎，李同宁，刘涛，李云樵，王任凡，刘自力（武汉电信器件公司）１引言１．３μｍ波长激光器作为光通信光源，正由有致冷向无致冷转化。量子阱激光器阈值电流低、温度特性好，因此是无致冷激光器的最佳选择［１～２］。我们...     

双沟道平面掩埋异质结激光器(DC—PBHLD)的研制工作取得新进展

武汉电信器件公司研制的1.3μm双沟道平面掩埋异质结激光器最近取得新的进展;1.5μmDC—PBHLD也取得初步试验成果。 1.3μmDC—PBHLD,20℃阈值电流最低可达13mA;光功率输出一般为10mW;温度在20～70℃时△I/△T一般可达0.7mA/℃;其中质量较好的LD温度为70℃时线性输出功率     

同轴型光电器件的研究开发

本文简要地介绍了武汉电信器件公司正在研究开发的同轴型光电器件，新的器件的工艺与结构特点以及主要技术指标、使用前景。     

二极管激光器输出114瓦

麦克唐纳·道格拉斯公司研制出一种改进型单片二极管激光器条形列阵，其输出功率与能量转换效率均为同类器件之冠。该器件每厘米产生的峰值功率为114瓦，能量转换效率为42%。     

无吸收模式滤波结构高亮度大功率宽条形半导体激光器

提升宽条形半导体激光器水平方向激射光输出的光束质量,改善宽条形半导体激光器的工作特性,一直是大功率、高亮度宽条形半导体激光器器件工艺研究的难点.基于激射光在无源波导内的衍射原理制备宽条形半导体激光器的模式滤波结构,利用AlxNy绝缘介质薄膜应力使基底半导体材料带隙变化的原理制备无吸收无源波导.将两者结合,设计制备了带有...     

武汉电信器件公司发布10Gbps GEPON ONU光收发模块产品

近日,武汉电信器件公司的10Gbps GEPON ONU光收发模块样品研制成功,并已顺利通过模块开发部的产品测试。目前,作为高带宽、兼容性好、能快速成熟的下一代PON接入技术的10G GEPON技术正得到广泛关注和发展,也是未来几年宽带接入技术的主流发展方向。武汉电信器件公司最新推出的     

多单元半导体激光器的高亮度光纤耦合输出

设计并研制了一种多单元半导体激光器的高亮度光纤耦合输出模块.激光器芯片采用分子束外延(MBE)方法生长的宽波导、双量子阱结构AlGaAs/GaAs激光器外延材料,激光器模块采用4只准直的单条形大功率半导体激光器,器件腔长为2 mm,发光区宽度为100μm,单条形器件的连续输出功率为5.0 W,每两只单条形器件的准直输出光束经过空间合束后再通过偏振合束,实现了多单元器件输出的高光束质量功率合成,采用简单的平凸透镜实现了合束光束与100μm芯径、数值孔径(NA)0.22石英光纤的高效耦合,耦合效率高达79%,输出功率达10.17 W,光纤端面功率密度达1.0×105W/cm2.     

宋健视察武汉邮电科学研究院

国务委员、国家科委主任宋健和国务院副秘书长徐志坚在湖北省省长郭树言等省市领导陪同下,视察了武汉邮电科学研究院并参观了该院的“武汉电信器件公司”。宋健等听取了武汉邮电     

双条形激光器的非线性动力学行为研究

双条形激光器是一类重要的单片集成式激光器。以激光器速率方程为基础,采用数值分析的方法,研究双条形激光器的非线性动力学行为,讨论它在不同偏置、不同导引机制和初始相位差时的瞬态响应的特点,并指出不稳定性或混沌性是双条形激光器的本征工作状态。无论是无失谐的相位锁定还是相位稳定的双波长输出都经过器件结构的特殊设计,并在一定的工作条件下才能得到。     

具有有效电流限制的InGaAsP双沟平面隐埋异质结激光器(De—PBH—LD)

本文叙述了一种新的高性能1.3μm InGaAsP半导体激光器,该器件实现了在有源区内的有效电流限制。它是在双异质晶片上刻出一对沟道来限定有源条形台面,再在台面两侧用LPE制作成一个P—n—P—n电流阻挡结构。因电流阻挡结构的改进,这种双沟平面隐埋异质结激光器(DC—PBH—LD)具有良好的激射性能。例如,外微分量子效率高达78%,电—光功率转换效率为43%,光输出功率在50mw以上。实验发现,增加P—复盖层掺杂浓度可使阈值电流温度敏感性明显降低,特征温度高达100k,直到130℃仍可CW(连续)工作。     

窄沟槽衬底条形GaAlAs/GaAs DH激光器特性的测量和分析

本文着重讨论窄沟槽衬底条形GaAlAs/GaAsDH激光器的观察和测量。显示了单模激光器和多丝激光器特性的基本差别,讨论了引起这些差别的基本原因和这两类器件的应用前景。     

1.3μmInGaAsP-In P隐埋异质结构激光器改进线性的标准

<正> 平面有源区隐埋异质结(BH)激光器光-电流特性的非线性与高阶模变换、光谱展宽有关,在某些情况下还与 TM 偏振受激发射的开始有关。该文介绍了测量和计算的情况并指出,在减小了有源体积的器件中,在较高的功率下出现这些非线性。这些结果对于用在高比特速     

制作隐埋异质结半导体激光器的新途径

本文介绍采用杂质感应混乱(IID)制作隐埋异质结(BH)激光器的新颖技术,该技术对制作高性能隐埋异质结量子阱激光器是一种十分简便可行的方法.     

半导体激光器阵列偏振特性及其与应力关系的实验研究

半导体激光器阵列(LDA)封装过程中引入的应力是影响器件阈值电流、光束特性和寿命的重要因素,需要一种简单有效的测试半导体激光器阵列应力的方法评估检测器件封装的质量.分析了应力改变电荧光偏振度(DOP)的一系列理论机制.并通过对条形激光器阵列在荧光条件下偏振特性的测量,研究了几种不同封装形式的条形激光器阵列的荧光偏振度随外加应力的变化性质.实验表明,半导体激光器阵列的偏振特性随驱动电流的增加变化明显.尤其是在阈值电流附近,偏振特性急剧变化.当有局部外力作用器件时.器件的荧光偏振度分布明显变化.通过对多个不同材料封装器件的荧光偏振度测试比较,发现不同的材料和封装形式对管芯引入的封装应力有明显的差别.