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相似文献
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1.
介绍了把静电封接工艺用于Class41系列扩散硅压力敏感元件的芯片与基座间的封接。与其它封接工艺相比,降低了成本,封接强度、渗漏、电绝缘以及封接后元件性能等指标都有很大提高。图4,表6,参2。  相似文献   

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3.
我厂新生产的SKY双膜片压力变送器是力平衡式压力变送器。该变送器采用了最新IC技术制作的扩散硅力敏元件,在硅膜片上扩散力敏电阻组成惠斯登电桥,将压力转换成与之成正比的电压输出,经电子线路放大,并转换成4~20mA的直流电流输出。这种位移式结构的变送器无可动部分,结构简单,可长期稳定工作。  相似文献   

4.
本文介绍了生产中实用的扩散硅式变送器电路、新的硅杯电阻测试方法、零点的两点式温度补偿以及三点式补偿、变送器误差修正法量程补偿、量程锅底型温漂的补偿以及迁移温漂补偿。  相似文献   

5.
扩散硅压力变送器具有精度高、稳定性好、响应速度快等优点,但容易受温度影响,导致零点漂移和灵敏度漂移。因此需对扩散硅压力变送器进行温度补偿。本文提出了一种软件补偿方法,首先建立扩散硅压力变送器与温度的高阶温度补偿模型,工控机利用最小二乘回归算法(PLSR)求出压力变送器的温度补偿系数,通过HART通讯把温度补偿系数发送到压力变送器中,压力变送器通过高阶温度补偿模型就可实现对扩散硅压力变送器的温度补偿。  相似文献   

6.
扩散硅压力变送器的精密温度补偿   总被引:3,自引:0,他引:3  
文中介绍了扩散硅压力传感器温度补偿的一种新方法,以及采用MAX1457精密补偿全温区(-30~ 80℃)压力变送器(4~20mA输出)的关键事项。  相似文献   

7.
介绍了工业变送器用75系列扩散硅压力传感器。其整体结构为全固态结构;其硅膜片结构分别为C型、E型和EI型三种形式;测量范围为0.6kPa~50MPa;使用温区为-30~+80℃;全量程、全系列地满足了工业变送器的使用需求。  相似文献   

8.
扩散硅压力变速器的关键问题之一是温度补偿。目前,国内外基本上都是采用附加补偿线路的方法来解决这个问题。对此,除要解决测试技术和设备问题外,还会遇到复杂的计算,甚至需要大型计算机辅助计算。而本文则从另一个角度解决了这一问题,方法较简单。这种称为“自动校准法”的方法,在满足同样的要求的前提下,免去了复杂的测试和计算。文中着重从原理方面加以论述,并给出了实现误差消除的实用电路。图5,参4。  相似文献   

9.
DSTJ3000型半导体复合传感式差压,压力变送器。是把三种信号(差压、温度、静压)用半导体复合传感的方式集中在同一个检测片上,同时采用了以微处理机为中心的数字运算回路。精度高,具有良好的温度和静压特性。此外,由于同时使用了数字通讯用的2线传送线路,所以与携带式给定器连接后可进行远距离调整和远距离自我诊断。这种变送器的最大特点是可调量程范围宽,量程比在100:1以上。因此不但用途广泛,而且一机多能,大大地减少了维修和  相似文献   

10.
本文通过对扩散硅差压变送器的检测解剖,重点对其具有100倍基准量程以上的抗过载能力机理进行了分析,为传感器各专业制造厂开发高过载能力传感器、变送器提供了新的途径。  相似文献   

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扩散硅固体压力传感器是七十年代出现的新型仪表组件。本文介绍扩散硅压力传感器的特点及用途,传感器的设计理论和计算方法,压阻器件的设计原理,量程估计的简易公式,以及传感器的性能指标与应用结果等。该传感器经鉴定,精度达到千分之一。  相似文献   

12.
本文介绍了新型扩散硅变送器的性能、基本工作原理及结构特点,并重点探讨了这种变送器线性化和温度补偿的问题,可供参考。  相似文献   

13.
我所现已批量生产的扩散硅传感器变送器有: NT870系列投入式扩散硅液位变送器 NT570、NT370系列扩散硅压力变送器 NT270系列扩散硅差压变送器 其中NT370、NT270系列变送器性能  相似文献   

14.
这是一种新型高灵敏度的电阻温度变送器。在-20℃~ 80℃的温区内,每30℃的测温范围可获得±0.2℃的测量精度;每50℃的测温范围可获得±0.5℃的测量精度。一般的灵敏度为3~4mV/℃,并且可高可低,依需要而定。可配直读式电压表显示温度,适合于批量生产。  相似文献   

15.
一、概述正如所知,压力是现代科学技术中极为重要的基本物理量之一,但目前用于将压力转换成电信号的压力传感器,由于多半采用纯机械位移式的结构,因此存在着体积大、精度低、可靠性差等问题。随着半导体技术的发展,特别是随着集成电路工艺技术的发展及压阻效应理论的不断完善,七十年代初研究出了一种固  相似文献   

16.
本文首先讨论了用特殊函数法对扩散硅差压变送器进行数字补偿的技术,并详细介绍了利用线性插值法进行传感器信号处理的原理和方法。  相似文献   

17.
扩散硅压力传感器具有良好的性能和稳定性。本文说明了扩散硅压力传感器的工作原理,详细分析了对其进行温度综合补偿的电路,然后结合实例,介绍了压力传感器的接口电路和对其进行非线性校正的方法。  相似文献   

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矩形双岛硅膜结构扩散硅压力传感器   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文报道一种已获国家专利的新型扩散硅压力传感器结构。它由带有矩形双岛的方形硅膜和扩散硅力敏电阻全桥组成。用各向异性腐蚀工艺形成其微机械结构。力敏电阻位于小岛形成的沟槽内。由于外应力高度集中于这些沟槽内,故器件的压力灵敏度比C型硅杯结构提高五倍左右。采用该结构还可实现非线性内补偿。本文讨论了最佳补偿条件并由实验得到证实。已制成量程为100kPa,非线性、滞后、重复性均优于5×10~(-4)F·S,满程输出150mV/V和量程为6kPa,非线性、滞后、重复性均优于5×10~(-4)F·S,满程输出80mV/10V的PT14型扩散硅压力传感器。  相似文献   

19.
压力变送器     
西德Althen测量与数据技术公司生产了新的压力变送器系列,其测量范围为0~5至0~700巴,过载安全系数可达500%(即最大可达830巴),抗冲击压力可达  相似文献   

20.
本文简要介绍了NT87系列扩散硅液位变送器的结构、原理及维修中应注意的几个问题。  相似文献   

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