美G-385-1B型离心试验机的结构设计特色

<正> G—385—1B型离心试验机是我厂从美国引进的集成电路离心加速度试验设备。若按其旋转工作台设计不同的试验夹具,也可以用来作其他小型电子元器件的离心加速度试验。它既可作工艺筛选使用,也可作产品成品验收使用。 该机性能可靠,操作维修方便,安全保护措施齐全。本文只对其结构设计特点作一简单论述。 “半导体集成电路机械和气候试验方     

6N沟道金属-氧化物-半导体

一般的金属-氧化物-半导体集成电路(MOSIC),都是由P沟MOS晶体管构成的,但是P沟MOS集成电路有下述缺点: (1)传导载流子是空穴,所以迁移率低,开关速度慢; (2)由于电源电压是负的,所以不易与双极集成电路混用。与此相反,所用的器件都用N沟MOS晶体管构成的N沟MOS集成电路时有下     

录像机、影碟机等进出盒(盘)电机驱动集成电路的代换

<正> 录像机和影碟机大多使用进出盒(盘)电机驱动集成电路,只有少量机型使用了分立元件组成的进出盒(盘)驱动电路。在使用过程中,卡盒(盘)或机械运行阻力等原因常常会造成拖动电机运行电流骤增,导致驱动集成电路过流过热损坏。检修这类故障时,如无原型号驱动集成电路,可以参考本文介绍的     

低成本低损耗微波集成电路新工艺——铁铬铝-铜-铜(电镀)-金系统的制造

<正> 前言随着微波集成电路应用领域的不断扩大,对制造工作者提出了两个迫切的问题:一是降低成本,二是提高性能。由于金具有较低的电阻率和良好的抗腐蚀性,目前制造微波集成电路的单位大多数都采用铬-金-金或镍铬-金-金金属系统。但是,     

随身听集成电路的原理、检修与代换

随身听经常会因集成电路损坏而造成故障,笔者对几款常用随身听集成电路的原理、检修与代换方法介绍如下。普及型随身听使用的集成电路主要有两种:一种由马达稳速集成电路和单片放音集成电路两只集成块构成,其代表为稳速AN6650,放音TDA2822;另一种则将二者合一,采用单片集成电路,其代表为LAG665和LAG668。首先介绍第一     

漫谈可编程逻辑器件

<正> 目前,通用的标准数字集成电路,如74系列、4000系列、14500系列,已广泛用于业余制作和一般产品中。这些集成电路通常都是小规模集成电路(SSI)或中规模集成电路(MSI)。 除此之外,在数字电路家族中有一类专用集成电路(ASIC)。专用集成电路,电子爱好者用得不多,主要是批量生产厂家使用。在复杂的电路系统中,往往用到许多块集成电路,使印刷电路相对复杂,占用印刷电路板面积大,可靠性下降。如果要改进电路,则需要重新设计电路板,生产厂家为了解决这一问题,可以根据自己的需要,向集成电路厂家提出要求,由集成电路厂家设计专用集成电路,然后再试制、批量生产。通常,专用集成电路的设计周期和生产     

俄罗斯微型集成电路命名方法(OCT 11 073.915-2000标准)

介绍了俄罗斯OCT 11 073.915-2000标准规定的微型集成电路命名方法,给出器件命名的规则,使用符号及命名中使用的俄罗斯各生产厂家代码.     

摩托罗拉为GSM基地台推出先进集成放大器

<正> 2001年2月14日摩托罗拉(纽约证券交易所:MOT)半导体为无线基础设施市场推出第四代使用高压LDMOS技术的MHVIC910HR2集成电路,该产品使用摩托罗拉高压LDMOS集成电路技术,是10瓦、26伏、921-960MHz集成功率放大器。     

模拟集成电路

顾名思义模拟集成电路是处理模拟信号的集成电路,它是非线性集成电路,包括乘法器和模拟开关等。模拟电路以使用的频率和使用功能,使用特性等各种分类。从另一个观点看,由     

三洋CLT-X2型无绳电话机原理

<正> 在三洋公司生产的CLT-X2型无绳电话机的主机与手机中,接收电路为常见的MC3361调频中放集成电路,而发射电路均采用通常无绳电话较少使用的MC2833调频发射集成电路。CLT-X2的手机电路图见图1,主机电路见图2。 由于主机的控制电路中,CMOS门电路及模拟开关电路使用较普遍,所以在介绍其他电路原理前先将主机中CMOS集成电路的功能作一说明,以便有利于整机原理的介绍。     

通用红外线遥控集成电路

<正> 本文介绍由SZ9148、SZ9149、SZ9150三种集成电路所构成的通用红外线遥控系统,其用途十分广泛。其中SZ9148是具有矩阵编码的遥控发射集成电路。它与SZ9149集成电路配合可完成10种功能的遥控;与SZ9150集成电路配合可完成18种功能的遥控,可发射的指令多达75个,其中63个是连续指令,可多键组合;12个是单发指令,只能单键使用。如此组合起来可用于多种电器设备的遥控。     

WGS1608-超大规模交叉连接芯片设计

交叉连接能力是ＳＤＨ系统的一致至关重要的功能指标,而交叉能力的强弱又完全依赖于交叉连接超大规模集成电路的能力。因而,武汉邮电科学研究院ＡＳＩＣ中心开发了ＷＧＳ１６０８这一１６＊８的叉连接超大规模集成电路,采用富士通０．３５μｍ工艺,规模为２２万门。本文介绍了ＷＧＳ１６０８的设计思想以及芯片的结构、特点和使用方法。     

超净技术

超大规模集成电路与大规模集成电路在结构及工艺方面没有多大差别,即使在制造技术上超大规模集成电路部分地采用了电子束曝光及干法工艺等新技术,但在制作方式上与大规模集成电路基本上没有什么不同。因此,在超大规模集成电路制作工艺过程中,所使用的净化间方面并不一定会出现特别新的问题,它与目前大规模集成电路制作工艺过程中所使用的净化间     

国外电子束曝光设备的新进展

<正> 一、前言从六十年代末以来,电子束曝光设备在技术上的进展是十分显著的。由于电子束曝光设备具有高分辨率、高精度和使用灵活的特点,在集成电路的制造工艺中,主要用于制版(1×掩模版、10×和5×中间版)和在硅片上直接扫描制作电路图形。目前,电子束曝光设备已经成为大规模集成电路和超大规模集成电路     

集成电路长期可靠性的研究

文章针对集成电路产品的封装长期可靠性,提出了新的方法和标准;对集成电路产品的长期可靠性的考评,按照国际标准的要求进行了分析。对集成电路产品的实际长期老化筛选方面进行了研究和总结,并且针对实际产品进行了案例分析。该标准和方法可以确保集成电路产品在特殊应用条件下长期使用的稳定性,有一定的应用价值。     

三次掩蔽自对准金属-氧化物-半导体工艺

引言近来,出现了一种制造自对准金属—氧化物—半导体(MOS)集成电路的新工艺,该工艺只需要三次掩蔽,应用离子注入工艺来获得自对准栅结构。采用氮化硅膜来消除接触掩蔽以及降低场氧化物顶部至接触区和栅区的高度。这种工艺能制造N沟或P沟MOS集成电路。在N沟MOS集成电路中,应用低阻率P型衬底材料或用离子注入提高场表面浓度能避免场反型的问题。为简单起见,本文叙述制造工艺步骤和P沟MOS集成电路的器件特性。     

银导带-铝丝超声键合系统初探

<正> 一、引言目前混合集成电路的集成度不断提高,工艺也日臻完善。芯片移植的技术国外已在生产中广泛采用,并把它列为工艺能力的重要标志之一。由于采用了芯片移植和微型载片移植技术,使混合集成电路步入了中大规模混合集成的领域。厚膜混合集成比薄膜混合集成价廉,制造方便,独石电容、小型云母电容等也可通     

砷化镓线性集成电路

日本某公司最近研制成功甚高频和特高频信号宽频带放大砷化镓(GaAs)线性集成电路.这种集成电路使用一个调谐器代替全频道电视机里的两个调谐器.这种线性集成电路把放大用的场效应晶体管和反馈电路里的电阻、电容器组合在一块芯片上;场效应晶体管是这种集成电路的最重要组成部份.它的型号     

三端稳压集成电路的正确并联法

三端稳压集成电路具有电路简单、性能优异的特点,被大量地应用于各种电子电路中。当电路需要较大电流而单只三端稳压集成电路又不能胜任时,可考虑并联使用。常见某些电子书刊上介绍两只三端稳压集成电路简单并联,实际使用时会因为单体差异,造成两只稳压集成电路出现负载不平衡的情况。     

第三讲 金属-氧化物-半导体集成电路

一、概述金属—氧化物—半导体场效应晶体管(MOSFET)发展至今似乎在单管的应用方面并不象先前所预料的那样广泛。原因之一,大概是可靠性(如栅击穿)未能得到彻底解决之故。但这一问题,在集成电路中并不突出。因为集成电路中能对输入端栅开路的器件,设计制作有效的保护系统。由于在集成电路中除输入端之器件的栅极悬空外,其余所有的器件之栅极都处于闭合回路之中,不易受外界电场的干扰。所以对MOS集成电