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刘桥初 《激光与光电子学进展》1981,18(1):31
1975年,Ewing和Bran根据Mo Ousker等人的理论予见,用电子束激励了I2。此后对F2、Br2和Cl2也进行了成功的实验。I2激光器的波长为342毫微米,Br2的为292毫微米,Cl2的为258毫微米,F2的为158毫 微米。因此,它们与稀有气体卤化物激光器差不多覆盖同一光谱区。尽管如此,但过去对它们的研究却远远不如后者那样详尽。 相似文献
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氮化铝(AIN)基板由于其优良的热性能和无毒性,成为一种重要的微电子材料。本文从以下三方面研究了氮化铝基板的薄膜金属化问题:(1)金属薄膜同AIN基板的附着力;(2)AIN基板上薄膜电阻的温度系数;(3)AIN基板上NiCr薄膜电阻的功率密度。研究结果表明,氮化铝上薄膜金属化层的附着强度可以大于AIN陶瓷本身。成功地将薄膜金属化氮化铝基板应用于功率混合电路和功率对晶体管模块中。 相似文献
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N/A 《激光与光电子学进展》1972,9(8):41
为了保护飞行员免受不同波长的激光辐射损伤,需要存储、配备和安装不同的飞行护目镜,美国空军正在寻找减小对此类护目镜的要求的途径。在得克萨斯州的布鲁克空军基地的航空空间医学部正在研究在执行某一任务前粘附于透明遮光板上,随后即被废弃的预成型薄膜。感兴趣的波长是300毫微米至10.6微米。 相似文献
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研究了铜薄膜内微孔对其力学性能影响及开裂行为,采用磁控溅射工艺制备聚酰亚胺柔性基板上铜薄膜,通过扫描电镜(SEM)对铜薄膜表面形貌表征、EDS能谱分析及SEM原位拉伸观察实验,得出磁控溅射工艺制备出超薄铜薄膜多为柱状晶结构,且带有微米级孔洞.并测得不同孔隙率铜薄膜载荷与位移增量的变化,由相关公式求出应力-应变关系;分析了不同孔径微孔的上下边缘沿晶开裂,微裂纹萌生、扩展的行为.结果表明:磁控溅射工艺在聚酰亚胺柔性基板上制备的微米级铜薄膜受拉伸时微孔沿晶开裂形成初始微裂纹,孔径≤4μm微孔处局部应力偏低,未能使微裂纹沿晶界改变方向继续扩展,微裂纹受到抑制;在较高的局部应力下,孔径>10μm微孔裂纹继续沿新的晶界方向扩展,与其他微孔裂纹连通;孔隙率越高,多孔微裂纹连通几率越高,薄膜力学性能就越差,且铜薄膜开裂可能性也越高. 相似文献
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波长266毫微米的紫外光的高功率脉冲通过下述方法产生,先把Nd∶YAG激光器产生的1064毫微米波长倍频为532毫微米,再用磷酸二氢铵(ADP)把这种绿光倍频为266毫微米。在266毫微米上得到的单高斯型横模的峰值功率为310瓦,而波长532毫微米的入射光之峰值转换效率为54%。重复率为1千赫时,紫外光的平均功率约为35毫瓦。这种脉冲近似三角形其宽度为250毫微秒。这是一种高功率高重复率相干紫外光的新光源。 相似文献
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LTCC基板上薄膜多层布线工艺是MCM—C/D多芯片组件的关键技术,它可以充分利用LTCC布线层数多、可实现无源元件埋置于基板内层、薄膜细线条精确等优点,从而使芯片等元器件能够在基板上更加有效地实现高密度的组装互连。本文介绍了在LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术,通过对导带形成技术、通孔柱形成技术和聚酰亚胺介质膜技术的研究,解决了在LTCC基板上薄膜多层布线的工艺难题。 相似文献
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金宝成 《激光与光电子学进展》1985,22(10):47
天然金刚石晶体经加工形成H3色心,在室温工作中已发射540毫微米激光辐射。L. De Shazer和S. Band在休斯研究所研制出此种新型激光器。 起初观察到的带通为10毫微米,但是其调谐范围最终可达100毫微米。据De Shazer说,色心不出现漂白效应。采用双YAG泵浦染料激光器高达300毫焦的脉冲泵浦金刚石,最佳泵浦波长为494毫微米。进行了敏化研究加宽其激光带宽。此种激光有用短波长闪光灯光泵的可能,此种稳定的室温可调谐器件的潜在应用在遥感和激光对抗方面。 相似文献
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傅恩生 《激光与光电子学进展》1983,20(12):37
美国衣阿华大学激光室的J. T. Bahns及其同事报导,首次从光致激发的钠分子获得了较宽的宽带激光输出。用氪激光的568毫微米的谱线泵浦,钠在720和830毫微米之间发射。除了由束缚-束缚态跃迁产生通常的谱线成分之外,还有从束缚-自由态跃迁形成的大约有5亳微米宽度的特殊谱线,其峰值位于805和817.5毫微米。 相似文献
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本文报道了多靶直流磁控共溅射系统的设计及性能,三个直流磁控溅射枪呈120°空间角分布于真空罩上,并聚焦于基板中心,靶的有效直径为φ50mm,靶平面的法线与基板的法线成60°夹角,基板可绕中心轴旋转。该系统中生长出φ70mm范围内膜厚均匀的大面积薄膜,特别适合于制备大面积、多组元金属氧化物薄膜及合金薄膜。 相似文献
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薄膜电阻是微波混合集成电路的重要组成部分,可减少外贴元件,从而减轻重量,缩小体积,提高电路的可靠性和稳定性。钽系薄膜电阻性能良好,在微波集成电路、薄膜电路中广泛应用。我们试制的衰减片所采用的薄膜电路工艺:在99%Al_2O_3陶瓷基片上溅射钽膜;用光刻法刻出钽电阻体;蒸发铬金膜;光刻电极(作为连接同轴衰减器的内外导体);电镀加厚电极至5~8微米;在250℃下热老化;以阳极化调整电阻达到要求值。衰减片外型尺寸为19×8.5×0.55毫 相似文献
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LTCC基板上薄膜多层布线工艺是MCM-C/D多芯片组件的关键技术。它可以充分利用LTCC布线层数多、可实现无源元件埋置于基板内层、薄膜细线条等优点,从而使芯片等元器件能够在基板上更加有效地实现高密度的组装互连。文章介绍了LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术,通过对导带形成技术、通孔柱形成技术和聚酰亚胺介质膜技术的研究,解决了在LTCC基板上薄膜多层布线中介质膜"龟裂",通孔接触电阻大、断路,对导带的保护以及电镀前的基片处理等工艺难题。 相似文献
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N/A 《激光与光电子学进展》1977,14(2):45
据海军研究所的科学家们报导,他们已产生波长是53.22毫微米的相干的激光,这是迄今为止报导过的波长最短的相干光。工作于海军研究室的有关研究工作者们在气体压力皆为40乇的氦和氖中通过四光子(共振坛强)、波长266.1毫微米(Nd:YAG激光的四次谐波)锁模激光的五次谐波转换获得53.22毫微米的辐射。已在马里兰州盖瑟斯堡的国家标准局召开的有关X-射线谱的国际物理学会议上报导了这项实验,用焦距为10厘米的氟化钙透镜把泵浦辐射聚焦到直径为500微米的孔径(取代垂直入射真空辐射光谱仪入射狭缝)的中心处,焦斑大小为10微米。 相似文献
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本文对厚、薄膜多层互连基板的发展进行了简单的分析,对基于LTCC基板的薄膜50Ω微带线的设计、制造、测试进行了介绍。结果表明LTCC基板表面实施薄膜工艺与厚膜工艺相比有利于获得更好的微波一致性。 相似文献