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离子注入硅片的CWCO_2激光退火固相外延模型 总被引:1,自引:0,他引:1
本文把部份线性化和隐格式方法运用于数值求解非线性非齐次热传导方程,得到相应的差分方程,从而把数值求解热传导方程从目前所能计算的ns级Q开关脉冲激光退火过程推广到 ms级以上的 CW CO_2激光退火过程.在计算中,提出了近似计算径向热传导散热的准静态模型,井考虑了硅的热传导率和吸收系数随温度的变化.计算获得了各退火参数间的一系列关系.对于再结晶厚度和激光扫描速度间的关系,理论计算和实验结果基本相符. 相似文献
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宇飞 《激光与光电子学进展》1979,16(10):46
对半导体元件的激光退火虽然进行了认真的研究,但还没有使此项技术用到任何生产线上。不过,已导致器件样机的制作,并对它的基础物理学有较多的了解。进一步进展可能导向制作半导体的新途径,使用激光退火消除在掺杂和晶体生长期间产生的缺陷。 相似文献
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王广昌 《大气与环境光学学报》1996,(6)
平板显示器的激光退火从70年代中期以来,半导体工业研究实验室已经研究了许多不同类型的激光器用于无定形硅的退火,以促其向多晶硅转变。这一研究已用于活性基体液晶显示器(AMLCD)的生产过程。80年代早期,验证了在这一过程中准分子激光器比红宝石、*d:Y... 相似文献
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描述了半导体激光退火的基本原理、方法、优异性能及其应用情况;讨论了退火过程中热和光的作用;提出了基础理论方面尚待研究的主要问题。 相似文献
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田晋 《激光与光电子学进展》1980,17(5):48
8月27日至30日,在圣地亚哥举行的摄影光学仪器工程师协会技术年会关于激光加工的两天讨论会上,半导体器件的激光退火使其他材料加工应用黯然失色。该协会说,将近有2000人参加了这次有关光学技术应用的17个技术讨论会和130家公司主办的随会布置在桌面上的展览。会议录将由摄影光学仪器工程师协会出版。 相似文献
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仲振 《激光与光电子学进展》1986,23(2):38
脉冲激光退火是一种用强激光脉冲修复晶态半导体因离子植入而引起的破坏从而改善退火材料结构次序和电气特性的技术。这种技术的机制过去几年是个热烈争论的课题,但是现在从所累积的大量测量证据来看,似乎热模型比非热核型更有利。 相似文献
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俞誉福 《激光与光电子学进展》1982,19(7):37
近年来,激光退火与离子注入技术相结合已在半导体和金属物理领域中获得应用。讨论了激光与固体表面相互作的物理机制。报道了有关激光照射前放射性原子注入到表面的扩散的研究情况。本文报道了激光退火的现状,这种工艺过程对于辐射损伤无定形硅重结晶的重要性以及在半导体物理中的应用前景。 相似文献
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刘玉璞 《激光与光电子学进展》1984,21(3):46
单晶硅几乎是每种近代半导体电子器件的心脏部分。制造这种器件需要经过一系列复杂的工艺步骤,其中包括引进少量杂质以调整所要求的电学特性。目前,这种工艺的中心环节之一涉及在炉子里加热到1000 ℃,时间达30分钟左右。然而,最近几年发展了一种全新的热处理工艺技术。与传统的工艺相比,这种方法是用短脉冲强激光辐射只加热器件的表面层,而不是加热整个硅片。这种新颖的工艺为生产新型层状器件结构开辟了广阔的前景。另外,也为基本材料研制工作的提高提供了更多的机会。 相似文献
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硅激光退火动力学 总被引:3,自引:0,他引:3
史永基 《固体电子学研究与进展》1986,(3)
本文研究了硅激光退火的基本动力学过程和温度梯度对硅喇曼光谱的影响.修正了喇曼测温公式,解决了喇曼散射实验与热熔化模型的矛盾,进一步支持了硅激光退火的热熔化模型. 相似文献
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本文报导了半导体激光退火在国内外的进展概况,作为离子注入半导体生产工艺的“伴星”,激光退火有可能取代常规的高温退火工艺而被采用。 相似文献
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田晋 《激光与光电子学进展》1979,16(12):29
叙述了用高功率激光辐射退火的离子注入硅的物理和电学性能。重点放在用激光退火和用常规热退火可以得到的材料性能的对比上。讨论了这些技术在高效率太阳电池制作上的应用,以及这种新技术在其它材料领域的可能应用。 相似文献