用相干反斯托克斯喇曼散射术测定聚变靶中的氘压

斯坦福大学利用连续波相干反斯托克斯喇曼光谱术测得激光聚变实验所用玻璃微球靶内氘的气压。据该大学研究组负责人R. 拜尔说，这种技术是测定聚变靶内气压的第一种可靠而方便的方法。     

相干喇曼散射光谱技术

引言相干喇曼光谱学(相干反斯托克斯喇曼散射 CARS 和相干斯托克斯喇曼散射 CSRS,统称为相干喇曼散射 CRS)引起了人们极大的兴趣。尤其是相干反斯托克斯喇曼散射光谱技术,以其高效率、高灵敏度、高分辨率、抗荧光干扰性强、信息量大、应用范围广等著称。因此,成为分析、检测、研究分子结构及高阶光学声子激发态的有力工具。CRS光谱学的技术基础是相干激发和可调谐激光技术。CRS 现象的发生是基于介质的三阶     

喇曼散射与超喇曼散射中的压缩效应

本文重点讨论了喇曼散射与超喇曼散射非线性光学过程中的压缩效应(Squeezing Effects)。 首先写出喇曼散射与超喇曼散射非线性相互作用过程的哈密顿量,然后由海森堡方程建立场算符     

受激喇曼散射

在SRS过程中引起散射中心振动能级的跃迁,为一种双光子过程。SRS光的产生伴随着散射中心的强烈振动形成的强相干振动波,一旦第一级Stokes光产生,各级散射光被调制而产生,故又可看作一种参量振荡过程。能量部分转换为物质的激发     

相干反斯托克斯喇曼散射

本文描述了相干反斯托克斯(CARS)喇曼光谱技术实验结果。详细报导了实验装置与实验条件。以苯、甲苯、氯苯等液态样品为例进行了光谱演示实验,并与受激喇曼散射进行了比较。结果表明CARS光谱技术具有高灵敏度、高分辨率等一系列优点。由于CARS谱落在反斯托克斯区,特别适用于强荧光介质的研究。CARS过程是一典型的四波混频过程。 CARS现象是双频激光束在喇曼介质中通过介质的三阶非线性效应相互作用的结     

液态空气的受激喇曼散射

使用染料调Q红宝石激光器激发液态空气的受激喇曼散射(SRS),在0.5247～1.0256微米的范围内获得基本上等频差间隔的十三条辐射线。     

受激喇曼散射的相干性

激光的相干性是由受激辐射和谐振腔选模的结果。由此而得与时间相干性和空间相干性相对应的高度的单色性和方向性。 普通喇曼散射是一种自发辐射,由微扰理论计算得到喇曼跃迁偶极矩[P]_(fi)具有相位因子exp{-i(δ_f-δ_i)},从一个散射分子到另一个散射分子,这个因子是无规则地变化。因此喇曼散射是非相干的。散射光按整个空间分布。     

难熔金属硅化物的喇曼散射

用电子束蒸发方法在10~(-7)托真空中使单晶硅上蒸上一层Ti膜后,于N_2中进行从500-1000℃10秒钟的快速热退火,由激光喇曼光谱结合薄层电阻测量和转靶X射线衍射研究分析了TiSi_2的形成.退火温度高于680℃时,观察到207和244cm~(-1)波数处的两个TiSi_2的特征喇曼峰,当退火温度为580℃时,只有270,297和3ncm~(-1)的三个喇曼峰,这些可能是钛的氧化物和不包括TiSi的钛硅化物.     

钠分子的共振曼喇散射

自从1970年Johnson等人首次用He—Ne激光器的6328.17A和6401.07A谱线泵浦钠蒸汽时观察到了5900A～8500A范围内的荧光之后,已有许多作者发表了利用激光激发的钠蒸汽产生荧光的论文。这种对碱金属二聚物分子的光谱及动力学的研究正是为了寻找和发展新的光泵浦激光器。     

高压氢石英管喇曼池中受激喇曼散射的研究

近来由于染料激光器的出现,人们希望借助于受激喇曼散射技术获得可调谐的紫外光源,将可调谐范围扩展到紫外波段.特别是高压氢中的受激喇曼散射,位移大,效率高,但是使用时必须附加真空及充高压氢系统,因此使用时不很方便.本文报道石英管式喇曼散射管.充一次气可以长久使用.     

原子铊蒸汽中的喇曼散射

美国哥伦比亚大学的温加顿（R. A. Weingarten)和弗勒斯伯格(A. Flusberg)等在美国物理学会年会上报道,他们用一台发射150毫焦耳脉冲的低发散Q开关红宝石激光器研究了原子铊蒸汽的受激喇曼散射。1.5微米处发射的斯托克斯光具有与蒸汽密度成函数关系的明显阈值;在接近阈值密度的两倍时出现饱和。使铊产生的斯托克斯光、红宝石激光器发出的未转换的激光以及在热管炉内的闪光灯泵浦的可调染料激光器输出相结合,还能获得四波参量变换,并了解到染料激光器的反斯托克斯辐射的性质和初始的斯托克斯光相似,均与铊蒸汽密度成函数关系。     

受激喇曼散射及其实验

受激喇曼散射(SRS)和普通喇曼散射(RS)都源于入射光子与散射分子之间的非弹性碰撞。但是,受激喇曼散射具有明显的“阈值”特征,即只有入射激光功率密度超过一定阈值才能产生“SRS”。受激喇曼斯托克斯波放大方程为     

密封式激光喇曼散射样品池

本文研究了密封式激光喇曼散射样品池,为激光喇曼散射光谱工作提供一个高效率样品池。这种样品池的效率比普通形式样品池高约100倍,效率的高低主要取决于反射镜的反射率。实验结果和理论计算相一致。     

MOCVD生长GaV的喇曼散射谱

对在ＧａＡｓ、Ａｌ２Ｏ３和Ｓｉ等衬底上ＭＯＣＶＤ技术生长的ＧａＮ薄膜进行了背散射几何配置下的喇曼散射测试分析和比较，观察到α相ＧａＮｌ模，Ａｌ模Ｅｌ模和Ｅ２模，结合射线衍射谱，分析了因不同生长工艺导致ＧａＮ／ＧａＡｓ样品的不同结构相的喇曼谱的差异，发现ＧａＮ喇曼谱与ＧａＮ外延层的结构相，完整性及工艺条件有关，可利用其作为检测ＧａＮ外延层结构特性的一种有用手段。     

MOCVD生长GaN的喇曼散射谱

对在ＧａＡｓ（００１）、Ａｌ２Ｏ３（０００１）和Ｓｉ（１１１）等衬底上ＭＯＣＶＤ技术生长的ＧａＮ薄膜进行了背散射几何配置下的喇曼散射测试分析和比较，观察到了α相ＧａＮ的Ａ１（ＬＯ）模、Ａ１（ＴＯ）模、Ｅ１（ＬＯ）模和Ｅ２模．结合Ｘ射线衍射谱，分析了因不同生长工艺导致ＧａＮ／ＧａＡｓ样品的不同结构相的喇曼谱的差异，发现ＧａＮ的喇曼谱与ＧａＮ外延层的结构相、完整性及工艺条件有关，可利用其作为检测ＧａＮ外延层结构特性的一种有用手段．对含有少量β相ＧａＮ样品，观测到了包含有β相ＧａＮ贡献的声子模式（７４０ｃｍ－１）．     

喇曼散射的量子碰撞理论方法

本文将粒子物理学中的量子碰撞理论引入喇曼散射,并建立起喇曼散射的形式理论表达式: T=T~0+tQ1/(Z一H_0-QtQ)Qt 其中,t=HP1/(Z一PHP)PH是碰撞算子,代表光和物质的相互作用,Q1/(Z一H_0一QtQ)是物质系统的格林函数,代表中间态的传播子,喇曼算子T描述喇曼散射过程。文中证明了形式理论与量子电     

ZnTe-ZnSe应力超晶格的喇曼散射

喇曼散射对于研究晶体结构,特别是对超晶格中的应力场,是一种有力的方法.通过对声子带的测量,可以确定超晶格层的应力强度.日本大阪大学 Nakashima 等人测试了 ZnTe-ZnSe 超晶格结构的喇曼散射,以分析结构的质量和应力状态.作者的十六个样品中 ZnTe 和 ZnSe 分别具有不同的厚度.ZnTe 层:ds_e=5～50(?),ZnTe 层 dr_e=5～50(?)。样品用热壁外延方法(HWE)生长在(100)GaAs 衬底上。当衬底     

关于CuInSe2膜的喇曼散射

通过对ＣＩＳ膜喇曼谱的研究，找到膜的生长条件，组份比和膜的结构之间的关系。我们在实验中，用不同组份的ＣｕＩｎＳｅ２膜进行喇曼谱的测量，发现了与Ｙａｍａｎａｋａ所得到的不尽一致的结果。     

甲烷受激喇曼散射的研究

本文报导0.532μ激光泵浦甲烷(CH_4)的受激喇曼散射(SRS)的实验结果。实验采用调Q Nd:YAG倍频器件作泵浦源。激光能量30mJ, 脉宽8ns,束发散度1mrad,直径2mm,线偏振光输出。泵浦光经透镜聚焦进入喇曼池,池长42cm,直径1.5cm,内充色谱纯甲烷介质。 实验研究了气压参数对甲烷SRS的影响关系,