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研制出的PHEMT采用一种新的0.1μmT型栅制备方法,将薄膜纵向可控变为横向可控,应用这一原理,对时间等参量进行控制,获得0.1~0.3μm微细金属栅条,此工艺应用于3mm器件研制,器件的直流跨导大于400mS/mm,微波性能在40GHz时,Gmax达5.67dB。特征频率fT可外推至74GHz,最高振荡频率fmax可达130GHz。 相似文献
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报道了8~16GHzGaAs单片宽带分布放大器的设计与制作。单级MMIC电路采用三个栅宽为280μm的GaAsMESFET作为有源器件,芯片尺寸为1.1mm×1.6mm。在8~16GHz频率范围,用管壳封装的两级级联放大器增益G_a,为11.3±1dB,噪声系数F_n<6dB,输出功率P_(1dB)>16dBm。 相似文献
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本文报道了D波段单片振荡-倍频链的设计、MMIC制作及测试。该电路用亚微米(0.1μm)InAlAs/InGaAsHEMT制造,且芯片上有稳定偏压电路,一个集成的E场探针将信号直接辐射入波导。检测到振荡信号的频率范围为130.5GHz至132.8GHz,输入功率为-12dBm,设计的HEMT小栅宽为45μm。这是首次报道的用InP基HEMT制作的D波段单片振荡-倍频链。 相似文献
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孙再吉 《固体电子学研究与进展》1999,(4)
据日本《エレクトロニクス》1999年第3期报道,日本NTT公司开发了SOI结构MOSFET,栅长为0.5μm,栅宽为0.8mm,RF特性为2GHz,19dBm,PAE为68%,工作电压为3.6V。能获得如此高的功率附加效率,主要是有效地降低了输出电容。此外,菲利普公司新开发的双极晶体管,通过改善器件的二次谐波调谐(Harmonictuning)来提高附加效率和降低输出电容。其RF特性为1.8GHz,0.5W(27dBm),PAE为71%和3.5V的工作电压,已接近GaAs高频器件的性能。SOI结… 相似文献
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简要介绍了GaAs超高速电压比较器的国内外发展水平。设计并研制了具有1.0GHz时钟频率的高性能电压比较器。该器件采用亚微米GaAs MESFET工艺技术,其电压分辨率高达11.3mV,功耗仅为274mW。最后给出了利用低温分子束外延生长GaAs作缓冲层的进一步改进设计。 相似文献
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简要介绍了GaAs超高速电压比较器的国内外发展水平。设计并研制了具有1.0GHz时钟频率的高性能电压比较器。该器件采用亚微米GaAsMESFET工艺技术,其电压分辨率高达11.3mV,功耗仅为274mw。最后给出了利用低温分子束外延生长GaAs作缓冲层的进一步改进设计。 相似文献
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借助一新的工艺模拟与异质器件模型用CAD软件──POSES(Poisson-SchroedingerEquationSolver),对以AlGaAs/InGaAs异质结为基础的多种功率PHEMT异质层结构系统(传统、单层与双层平面掺杂)进行了模拟与比较,确定出优化的双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT异质结构参数,并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算,用于指导材料生长与器件制造。采用常规的HEMT工艺进行AlGaAs/InGaAs功率PHEMT的实验研制。对栅长0.8μm、总栅宽1.6mm单胞器件的初步测试结果为:IDss250~450mA/mm;gm0250~320mS/mm;Vp-2.0-2.5V;BVDS5~12V。7GHz下可获得最大1.62W(功率密度1.0W/mm)的功率输出;最大功率附加效率(PAE)达47%。 相似文献
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研究了GaAs功率MESFET的小信号特性,大信号特性和其宽带匹配网络。选用TWT-2型功率器件,设计研制出了单级宽带功率放大器,在6~18GHz的工作频率范围内,小信号增益等于5.0±1.0dB,1dB压缩输出功率等于25.0±0.8dBm,输入输出驻波比小于2.5。 相似文献
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概述了InGaAs/GaAs异质结构材料用于制作微波器件的优越性,叙述了材料的MBE生长、输运特性和掺杂分布,以及用于制作Ku波段低噪声高增益HFET的结果:栅长0.5μm,12GHz下噪声系数0.93dB,相关增益9dB。 相似文献
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Ka波段功率PHEMT的设计与研制 总被引:1,自引:1,他引:0
报道了Ka 波段功率PHEMT的设计和研制结果。利用双平面掺杂的AlGaAs/InGaAsPHEMT材料,采用0.2 μm 的T型栅及槽型通孔接地技术,研制的功率PHEMT的初步测试结果为:Idss:365 m A/m m ;gm 0:320 m S/m m ;Vp:- 1.0~- 2.0 V。总栅宽为750 μm 的功率器件在频率为33 GHz时,输出功率大于280 m W,功率密度达到380 m W/m m ,增益大于6 dB。 相似文献
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介绍了采用栅长为0.15μm的钝化In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As/InPHEMT的高效W波段功率单片微波集成电路(MMIC)。0.15×320μm单级InP功率HEMTMMIC放大器在94GHz时的最大功率附加效率为23%,输出功率为40mW,功率增益为4.9dB。当电源偏置成更高的输出功率时,在94GHz处可得到功率附加效率为20%的54mW的输出功率。这些结果表明,在此频率下,这样的效率和输出功率是迄今为止所有报道中最佳的。 相似文献
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本文报道了用于制造超高速集成电路的0.1μm栅长InP基HEMT器件技术。该技术主要包括非合金欧姆接触和具有高重复性和均匀性的T型栅技术。作为该技术应用于集成电路的例子,本文描述了一个噪声系数为2.6dB的50GHz低噪声放大器和一个增益为9dB,带宽为60GHz的分布基带放大器。本文还讨论了挖槽终止层的使用以进一步提高挖槽的重复性。 相似文献