陶瓷-金属封接中的玻璃迁移

在烧结时把某些金属粘结到陶瓷上,这种粘结对电子器件中的各种陶瓷件是非常重要的。但对粘结机理的了解还是有限的。本文是一篇有关粘结机理的研究,并且解释了高氧化铝瓷和金属涂层的粘结机理。     

玻璃金属封接工艺的金相研究

影响密封继电器使用的可靠性在于其气密性,而玻璃金属封接工艺是气密性的核心工艺。文章进行了一系列硅硼硬玻璃与4J29合金的封接试验,对各个关键封接工艺阶段的样品进行金相分析,得出一些获得气密封接的条件。在本试验条件下,4J29合金零件在1020℃真空条件下,保温10min～30min,再经过在650℃可控气氛中保温2．5min～5min后,与玻璃坯封接得到的底座,泄漏率95％以上能达到≤1×10^-4pa·cm^3．s^-1。此外,采用金相技术分析了玻璃合金封接界面的结合情况,并提出了提高玻璃金属封接气密性的途径。     

温度对玻璃-金属封接性能的影响研究

温度是影响玻璃-金属封接性能的主要工艺参数。通过对DM305玻璃和可伐合金的封接件(尺寸分别为?5,?10,?20 mm×8 mm)在封接温度960℃与980℃下的封接状况进行模拟和实验,分析了两种温度条件下封接所需的有效时间。考察了相同封接时间下不同温度对封接的影响规律。结果表明980℃封接温度可以有效缩短封接时间,并使玻璃与金属之间结合效果良好,取得较好的封接效果。     

用氮化硅界面层形成玻璃-金属封接的新技术

已研制出一种制作玻璃-金属封接的新技术。这种技术是在封接中采用氮化硅层作衬底,或者又作封接中的金属/金属-氧化物层。这种方法比一般的玻璃-金属封接技术的优点要多。     

玻璃陶瓷与金属封接的应力分析

本文主要介绍玻璃陶瓷与金属气密封接的应力分析。以高热膨胀硅酸锂玻璃陶瓷与耐热、耐蚀合金的封接为例,使其在封接过程中产生类似双金属薄带那样的弯曲。测量其变形,计算出非压束状态下反应界面的应力以及热膨胀系数。评述封接界面的特性,监测界面应力和封接件的匹配情况。     

高强度室温金属化陶瓷-金属封接

陶瓷材料如氧化铝、铁氧体、石英、钛酸钡等均可以在室温下金属化,并具有高的封接强度和真空密封,这种方法称之为离子涂敷。然后金属化的部件就可以用一般真空管钎焊合金如银-铜共晶焊料钎焊在一起,并能承受500～600℃的热循环实验。直流辉光放电用于离子涂敷,要金属化的基片作为负极,金属化材料作为正极。用氩气在两个电极之间产生放电。基片首先用离子轰击进行清洗,然后不使放电熄灭就用电阻加热金属化材料使其蒸发成为等离子体。有些金属原子在电场的作用下电离、加速并沉积到基片上。沉积速率和通过能力同电镀接近。除上述离子涂敷之外,目前研制中的一种新工艺是把离子涂敷和化学蒸发相结合,下面将要详细叙述。     

国外陶瓷-金属封接工艺动态

一、概述随着通讯、火箭、人造卫星、宇宙探测及粒子加速器等技术的飞速发展,对微波电子管也提出了许多新的或更高的要求。在微波电真空器件中,由于陶瓷-金属结构比起玻璃-金属结构无论在性能上或可靠性上都优越得多,因此目前微波管已大量采用了陶瓷-金属结构。正因为如此,陶瓷-金属封接工艺就成了微波管制造工艺中的关键工艺之一了。六十年代中期以来,国外在电真空器件中大量采用的陶瓷-金属封接工艺仍然是烧结金属粉末法(以Mo-Mn金属化法为主)和活性金     

浅谈陶瓷-金属封接强度的评估

本文对几种常用陶瓷-金属封接强度的测试方法进行了理论分析和测试实验,并且进行数据的统计,评价陶瓷-金属封接件的强度大小和离散性,分析了各种测试方法的优缺点,以期给陶瓷-金属封接技术的研究提供以一定的参考。     

陶瓷-金属封接技术的可靠性增长

综述了陶瓷-金属封接技术可靠性的重要性及其相关影响因素.着重指出,金属化层显微结构应均匀一致,活化剂的膨胀系数应处于Mo金属和Al2O3瓷两者之间.提出需金属化的陶瓷表面的粗糙度应综合考虑,其数值以为宜.在金属-陶瓷平封(包含夹封、立封)结构中,应充分利用配匹封接.     

陶瓷-金属封接技术应用的新进展

综述了最近几年来陶瓷-金属封接技术的进展,包括在固体氧化物燃料电池,惰性生物陶瓷的接合,高工作温度、高气密性、多引线芯柱以及半透明Al_2O_3瓷用于金属卤化物灯中的封接工艺等。特别强调了随着应用领域的不同,陶瓷-封接组件的多种性能都需要不同的提高。     

陶瓷-金属封接的化学镀镍工艺

讨论了陶瓷-金属封接中化学镀镍与电镀镍工艺及相互之间的区别。     

陶瓷-金属封接结构和经验计算

介绍了10种典型的端面封接结构,用经验计算评价了各种结构在强度和热稳定性上的差异.     

高温金属化 第一部分 陶瓷金属封接的玻璃迁移机理

回顾了制取牢固的氧化铝和氧化铍瓷金属封接件的方法,此法首先在陶瓷上烧结一层Mo 或 W 粉的涂层,然后进行焊接。文献指出,在高氧化铝瓷上形成牢固封接的原因,是由于高氧化铝瓷中的玻璃向金属化层中迁移,并形成致密的金属与玻璃结构的结果。在两个孔穴层之间的毛细流动机理的基础上,提出了一个假说,此假说说明实验变量是如何影响玻璃迁移的。推断了在变化的情况下,各种变量的相对重要性。     

陶瓷-金属封接质量和可靠性研究

综述了我国陶瓷-金属封接质量以及可靠性的现状和重要性。通过研究陶瓷金属封接件的显微结构和断裂模式，分析了几种产品缺陷及其影响因素，并提出了一些改进陶瓷-金属封接质量与可靠性的建议。     

陶瓷-金属封接中的失透现象

对陶瓷-金属封接的“玻璃状”的相互作用的相位中的失透现象进行了研究,以论证促进结晶生长的条件并找出微观结构上的这种变化与封接强度之间的关系。这一现象首先是在典型的陶瓷和金属化系统中加以研究的,因为大量的实验数据如相平衡关系、熔融物粘度、陶瓷微观结构、表面能量关系、热膨胀以及烧结特性等对其是有价值的。为了促进失透,金属化的陶瓷被热处理、装架、作机械强度试验并用X-射线衍射检查进行第二结晶相的数量的半定量测定。失透性能完全符合相平衡理论。强度数据表明与失透关系不大。本研究概述了金属化系统的生产,并且为了检查样品,还采用了电子显微镜和电子探针微量分析仪器。     

活性法陶瓷-金属封接工艺的新进展

综述了活性法陶瓷-金属封接工艺的新进展，强调指出：返烧经研磨的瓷件，用活性法同样可以得到高质量的陶瓷-金属封接件。     

近期国外陶瓷-金属封接的技术进展

本文叙述了近期国外陶瓷-金属封接技术的进展,特别是有关Mo粉的有关特性,并对国外典型产品作了分析报告。     

工艺条件对玻璃—金属封接件性能影响分析

研究了530℃退火时的保温时间、降温速率以及不同玻璃厚度与金属外壳径向厚度比对玻璃-金属封接件内部残余应力的影响,通过ANSYS软件进行分析优化并制作了样品。结果表明,当退火温度为530℃、保温40 min、然后以4℃/min降至室温,玻璃厚度与外壳径向厚度比为4时,测得封接件的残余应力较小,并得到质量较好的实物工件。     

人造云母——活性金属封接

封接机理讨论人造云母活性金属封接的机理,目前尚无一个肯定的说法。因为人造云母和陶瓷都是硅酸盐,所以从本质上讲两者的活性金属封接机理当存在许多相似性。金属钛是元素周期表中第Ⅳ族元素,它的原子构造在其内部电子壳层未填满,所以它的活性大。它对氧化物、硅酸盐,有较大的亲