外刊题录

1.SiO_2层中离子注入感生陷阱的俘获截面与电场的关系 Thin Solid Films.,Vol.99,No.4,P.331,1983.12.纯GaAs和掺杂GaAs中的空穴输运 J.AP-pl.,Phys.,Vol.54,No.8,P.4446,1983.83.掺磷多晶硅膜ac特性的说明:横过低势垒晶粒间界的传导 J.APPl.Phys.,Vol.54,No.8,P.4463,1983.84.氮化硅中的缺陷和杂质态 J.APPl.Phys.,Vol.54,No.8,P.4490,1983.85.具有亚微米分辨率和工艺稳定的自显影抗蚀剂 APPl.Phys.Lett.,Vol.43,No.1,P.74,1983.76.用于细条光刻的抗蚀剂 PIEEE.,Vol.71,No.5,P.570,1983.5     

外刊题录

1.半导体中离子注入杂质结构的计算机模拟模型S.S.Commun.,Vol.47,No.4,P.259,1983,72.具有SiO_2图形的硅衬底上无定形硅膜的横向固相外延Appl.Phys.Lett.,Vol.43,No.11,P.1028,1983,123.新MRS型负性抗蚀剂组分的最佳化IEEE Trans.ED,Vol.30,No.12,P.1780,1983,124.环境气体对未掺杂LEC GaAs晶体的影响Jap.J.Appl.Phys.Pt.1,Vol.22,No.11,p.1652,1983,115.InP中磷析出与时间和温度的关系J.Vac.Sci.Technol.B,Vol.1,No.3,P.825,1983,7～9     

外刊题录

1.聚酰亚胺薄膜的热性能和腐蚀特性Jap. J. Appl. Phys. pt. l. Vol. 23, No. 3,P. 384, 19842.用过硫酸铵作光致抗蚀剂、去除剂和清洗氧化剂Semiconductor Int., Vol. 7, No. 4,P. 109, 19843.NF_3:一种新的干法腐蚀气体S. S. Technol., Vol. 27, No. 3, P. 172,1984.4.用三甲基镓Ga源MBE生长GaAsJ. Appl. Phys., Vol. 55, No. 8, P. 3163,1984     

外刊题录

1.GaAs-GaAlAs异质结构中电子迁移率与温度的关系Appl.Phys.Lett.、Vol.45,No.2,P.294,1984.72.半导体器件失效分析—理论、方法和实践Microelectron.J.,Vol.15,No.1,P.5,1984.1-23.双极功率器件(晶体管)Microelectron.Reliab,Vol.24,No.2,P.313,19844.新型硅微波功率晶体管可靠性大大提高Microw.RF,Vol.27,No.7,P.71,1984.75.大功率半导体器件采用ⅡA型金钢石作散热器提高了输出功率Microw.RF,Vol.27,No.7,P.74,1984.7     

外刊题录

1.砷化镓可透基区晶体管设计的改进IEEE Trans.ED,Vol.30,No.10,P.13481983,102.硅化物工艺对双极晶体管电流增益的影响IEEE Trans,ED,Vo.30.No,10,P.1406,1983,103.松下使用MBE成功地研制出新结构的GaAs FET(日)电子技术,Vol.25,No.12,P.13,1983,114.制作亚微米厚GaAs薄膜的一种新方法APPl.Phys.Lett.,Vol.43,No.5,P.488,1983,95.多晶硅中硼和磷的扩散特性Thin Solid Films,Vol.100,No.3,P.235,1983,2     

外刊题录

1.GaAs材料技术的现状和将来展望Semiconductor World,Vol3.No.4,p.108,19842.短垂直沟道N~+-N~--N~+GaAs MES-FET的数值分析IEEE Electron DeV.Lett.,Vol.5,No.2,p.43,19843.具有负微分电阻的场效应晶体管(AlGaAs/GaAs异质结构)IEEE Electron Dev.Lett,Vol.5,No.2,p.5 7,19844.高耐压(850V)高速功率晶体管NEC技报,Vol.36,No.8,p.177,1983     

红外技术

器件 071 离子注入Cd_λHg_(1-x)Te红外光伏探测器 Infrared photovoltaic detectors from ionimplanted Cd_λHg_(1-x)Te,J.Marine,Appl.Phys.Lett.,15 Oct.1973,Vol.23,No.8,pp.450-452. 已用Al离子注入技术产生n-型区制成了Cd_xHg_(1-λ)Ten-p结光伏探测器。用这种料材制成的注入式二极管,组分x=0.18,相应的禁带宽为0.1电子伏,灵敏面积为200×250微米的元件在77°K     

外刊题录

1.掺磷多晶硅膜中 1/f噪声的解释:品格散射的Hooge模型J.Appl.Phys,Vol.56,No.10,p.3022,1984.112.热生长SiO_2由固有氧化应力引起的致密作用J.Phys.D,Appl.Phys,Vol,17,No.11,p.2331,1984.113.半导体中杂质态的一种新研究法S.S.Commun,Vol.52,No.4,p.385,1984.104.带有欧姆接触的半导体中的双极热漂移ФТП,Vol.18,No.9,p.1507,1984.9     

红外技术

708 用射频多阴极溅射Pb_xSn_(1-x)Te外延层 Pb_xSn_(1-x)Te epitaxial layers by rf multicathode sputtering,C.Corsi,J.Alfieri,et al.,Appl.Phys.Lett.,May 15 1974,Vol.24,№910,p.484～485. 在BaF_2、NaCl和(111)Ge基片上溅射的外延单晶Pb_xSn_(1-x)Te薄膜,其载流子浓度和迁移率值接近于块状单晶。     

外刊题录

1.多品膜中载流子输运的扩散模型S.S.Electron.,Vol.27,No.7,p.633,1984.72.在有少量水的情况下硅外延层生长时引入的硼J.Electrochem.Soc.,Vol.131No.8,P.1900,1984.83.利用新的直拉法生长无缺陷GaAs晶体电子技术[日],Vol.26,NO.14,P.40,1984.124.光外延法和分子层外延法生长砷化镓外延层的技术     

外刊题录

1.等离子体化学处理对单晶硅热氧化时缺陷形成的影响ИAH HeopιaнMamep.,Vol.21,No.1,P.5,1985,12.用MOCVD法生长GaAs外延层的形态J.Cryst.Growth,Vol.69,No.1,p.23,1984,113.聚酰亚胺膜的热特性、物理特性和腐蚀特性J.Electrochem.Soc.,Vol.132,No.1,P.155,1985,14.用于VLSI的改进型磷硅玻璃     

激光短讯

美国无线电公司对300千兆赫硅崩越二极管的注入损伤进行激光退火研究(IEEE Trans.Microwave Theory Tech.,MTT-30,P.47,1982)。这是离子注入损伤激光退火实际应用的第一批范例之一。2.日本富土通公司进行以氩离子激光器在二氧化硅上产生外延生长硅的研究(Appl.Phys,Lett.,41,64,1982)。     

国外资料索引

一、激光技术材料765铍酸镧:一种新的稀土离子激光器基质Lathanum Beryllate:A New Rare-earth ionlaser host,R.C.Morris et al.,Appl.Phys.Lett.,vol.27,No.8,Oct.1975,pp.444-5.熔融生长的La_2Be_2O_5Nd~(3 )的光学晶体2.5×20厘米,本文报道物理和光学特性测量和激光测试(长脉冲,Q调和连续)的结果,在1.07和1.08微米观测线性激光偏振,在泵浦阈值和Q调能量储存近三倍YAG:Nd的情况下,长脉冲斜率效率较YAG:Nd大60％左右。     

“2014中国光学重要成果”评选活动征稿启事

正评选活动现正式开始征稿,欢迎投稿或者推荐稿件,相关说明如下:1来稿报导的研究成果发表在2014年出版的国际著名物理学、光学期刊上,如Nature,Science,Phys,Rev.Lett.,Appl.Phys.Lett.,Opt.Lett.等;2稿件格式:最多不超过1200字,不超过2张彩色图片。语言简洁易懂,不必提供过多技术细节,避免使用公式,参考文献不超过5篇(包括作者发表论文的出处),来稿格式请参考《激光与光电子学进展》2013年第5期的报道;     

用激光分离同位素

利用有选择的激光感生化学反应成功地将氢同位素加以分离这个结果一经宣布以后(参看S. W. Mayer等的文章,Appl. Phys. Lett.,17,516; 1970),激光对于实际上所有物理化学问题所起的重大作用得到了进一步的重视。     

专利与文献

一激光器件10001 紫色连续钕升频转换激光器Violet cw neodymium upconversion laser,R.M.Mecfarlane,Appl.Phys.Lett.,1988,Vol.52,No.16/17,pp.1300-1302.本文作者已观察到由Nd~(3+):LaF_3晶体的新跃迁(~4D_(3/2) →~4I_(11/2))产生的连续激光作用,其波长在380nm(紫色)。泵浦光源为连续染料激光器,在20K时单模连续工作,其功率为12mw,输出耦合为1％,在77K时其最大功率降低到4mW。(义)10002 具有辐射色心氟化锂产生绿色辐射的光谱和能量特性研究Investigation of spectral and energy characte-ristics of green radiaton generated in lithium flu-     

高功率隐埋0.8μmInGaAsP/GaAs激光二极管

据《Appl.Phys.Lett.》1993,62(10)报道:由俄罗斯彼得堡物理技术学院与俄罗斯高等技术学院首次研究出一种隐埋InGaAsP/GaAs(λ=0.78μm)分离限制单量子阱激光二极管。他们已实验证明了这种器件有源区大约7μm。当连续输出功率为500mW时,可观察到二     

资料简介索引

激光器件,2001翻吸铝忆中协的荧光 Lumilleseen:e of bismuth in yttrium alum- inum borate,F.Kellendonk,Chem.I,hys.Lett., 1979,61一2,239一241. 介绍在YA13B4O;:中掺Bi卜的荧光光谱。在液曳温度下发射带显示出振动结构。测量了能量由Bs 转移给Tb3于和Ces于转移给Tb翻奋。结果表明,由Bis十转移给Tb卜比由Ces 转移更为有效。 12002 Nd吕‘滋光.体的效率 N沪 lase:erystal effieieney,M.synek et al.,Phys.Lett.,Vol.70A,No.4,19 Mar 1979,pp.283一6. 本文分析了各种掺Nda个晶体的激光效率参数,与Nd“十:l。F3作比较。 120D3…     

文献简介索引

一、激光器件2001单块Nd:vAG纤维激光器 Monolithie Nd:YAG fiber laser,J.L.Nightinga一 工e,Opties Lett.,1986,Vol.11,No7,pp.437一439 一种具有抛光镀膜端面的单晶Nd:YAG光纤起着单决波导激光振荡器的作用。直径为47卜m、长度为7。;的光纤振荡器的工作,其阂值功率为3.7ow、斜率为10.5%。〔义〕 2002室温下Y辐照v3八一50,:晶体的色心研究 Investigation of eolour eentresiny一irradiated Y3A15O一:erystals at room temperature,A F Ra- !、ov,Phys.Stat.501.(a),1986,Vol.96,No.2, I〕P .K169一K173. 本文作者用二种生长…     

红外器件与材料专题题录介绍(二)

一、红外器件研究1 .Monolithie optieally immersed HgCdTe IR deteetor,Infrarcd Phys.Vol.294,No.2一4, May 1989,P.251 单块光学沉没蹄福汞红外探测器2.High temPerature 10.6户m HgZnTc Photo一 deteetors,Infrared Phys.Vol.129,No.2一4, May 1989,P.267 高温10.6产m磅锌汞光电探测器3 .System implementation of a serial array of SPRITE infrared deteetors,Infrared Phys. Vol.129,No.5,July 1989,P.907 扫积型红外探测器中联阵列的系统实现法4 .Long wavelength infrared deteetors bascd on strained InAs一Ga…