卫星中继器用的4千兆赫晶体管宽带放大器

本文叙述了作为组成通信卫星用的中频系统(4千兆赫)放大器以及主要从轻量,小型和高可靠性等要求考虑的晶体管放大器的实验结果。考虑到振动和冲击,电路采用了介质衬底两端由聚四氟乙烯支撑的三重线带状线电路。使用部件按高可靠性的设计目的考虑。取得了总增益为70分贝(十一级),带宽3.6～4.2千兆赫,增益平滑度为±0.8分贝,噪声系数为7分贝和总重量为260克的结果。并且对二级的放大器进行了振动试验(最大40克,50～5000周,36分钟),冲击试验(60克/12毫秒)和热真空试验,证实其电特性无异常。还有,作为卫星用的放大器,从可靠性角度也进行了研究。     

2.25千兆赫遥测放大器的设计

设计大功率晶体管放大器要知道一个晶体管对某一输出功率和效率所要的串联输入阻抗和集电极负载阻抗;知道在一个宽频带范围内的这些参数将大大地简化电路设计,并可采用计算机辅助设计。由于大多数功率管是丙类工作(因此是非线性的),不能简单地使用散射参数或 S 参数。因此有时就必须进行自己的晶体管阻抗测量。首先是确定晶体管的串联输入阻抗 Zin 和串联集电极负载阻抗 Zcl。用图3a 所示的测试装     

6千兆赫晶体管放大器

利用富士通研制的在低电流下高优值和高 f_T 的晶体管,实现了能工作在6千兆赫的晶体管放大器。设计晶体管放大器时,必须要补偿正向传输增益(因其按6分贝/倍频程下降)和充分抑制低频端增益。因此试验了各种补偿电路,但是作者最后采用了一个电感和利用了并联接到传输线的这个电感的传输损耗以分贝/倍频程下降的范围。然而,这个概念的实现需要使小电感的电感量小于0.5毫微亨。用在基板上制造电路元件的普通方法是难于实现小电感的。因此,作者采用一个导体薄片从传输线嵌入基板而实现了这个小电感。这个电感同时也作为电源线。要计算噪声系数,必须要得到晶体管的噪声参数。然而,在高频下考虑到管壳的寄生元件的影响,就不可能精确确定这些参数。因此首先要得到由寄生元件组成的管壳的等效电路,和把寄生元件与晶体管隔离。用这种方法,仅得到了晶体管管芯的四端参数,作者就能计算晶体管本身的噪声参数了。研制的二级晶体管放大器的特性为:增益等于或大于9分贝,噪声系数等于或小于5.6分贝(高增益型),等于或小于4.5分贝(低噪声型),1分贝增益压缩的输出电平为 10分贝毫瓦。     

12千兆赫参量放大器

<正>11.70～12.20千兆赫参量放大器是为卫星直播电视地面接收站研制的低噪声高放部件.作为边缘低场强地区接收系统低噪声高放部件的单级参放,必须在保证接收带宽的前提下,提供较高的增益,以尽量减小后级噪声贡献,从而实现系统高灵敏度之目的.参量放大器的性能指标是由所用变容管、泵源性能和电路结构形式等因素决定的.为简化电路结构,参放的信号电路和空闲电路应尽量利用变容管的封装参数和集总参数元件,选用变容管的并联谐振频率作为空闲频率,而外空闲电路则由一段λ_i/4短路同轴线组成,此段     

16千兆赫砷化镓调谐放大器

据报导,国际商业机器公司用最高振荡频率 f_(max)=20千兆赫的砷化镓肖特基势垒晶体管制得了中心频率为16千兆赫的调谐放大器。其特点是:(1)尺寸小,(2)除晶体管管芯和电源隔流电容器外没有集总元件,(3)散热良好。     

12千兆赫电调谐低噪声参量放大器设计

随着卫星广播事业的发展,世界各国均较重视这方面的研制技术,特别是CCIR建议的并为多数地区采用的12千兆赫频段颇有发展前途.对一般用户只需60厘米直径的抛物面天线即可直接收看卫星电视节目;对中心转播站或边照区的中心站;若采用低噪声参量放大器,亦可用不太大的抛物面天线(如4米以下)而能收到合乎质量标准的图象.为此,我们于1979年底研制成功12千兆赫卫星直播电视接收站.     

14～18千兆赫晶体管放大器

据讯,美国IBM研究实验室研制了一种在目前来说频率最高的高频晶体管化放大器和振荡器。为了获得14～18千兆赫下的性能,该实验装置应用了砷化镓肖特基势垒场效应晶体管。这些晶体管IBM公司称之为金属-半导体-场效应晶体管(MESFET),它们在15千兆赫下具有8分贝的增益。用这类晶体管制成的三级放大器在16.9千兆赫下的功率增益为6     

5～6.5千兆赫砷化镓场效应晶体管放大器

本文介绍5～6.5千兆赫带宽的微波低噪声GaAs场效应晶管放大器。采用聚四氟乙烯玻璃纤维板作衬底。三级放大器的增益为20分贝,6千兆赫下测得的噪声系数最好为4.6分贝,带内平坦度在±1分贝以内。本文给出了放大器结构设计和测试结果。     

4千兆赫频段微波低噪声集成晶体管放大器

研制了用于卫星通讯接收设备的微波低噪声集成晶体管放大器。在3.7～4.2千兆赫的频带范围内,放大器的增益≥24±0.5分贝,噪声系数<5.5分贝。经过连续两批抽样考核表明,这种放大器可满足一般地面设备的可靠性要求。放大器采用CG40型硅双极晶体管,电路元件混合集成于高纯氧化铝陶瓷基片上。装配方法上采用了微带基片的“面焊接”技术。为了便于使用,在放大器内部加有集成微带隔离器。本文叙述了放大器的设计、制作和性能结果。     

4～8千兆赫7分贝噪声系数场效应晶体管放大器的设计

场效应晶体管正在迅速地成为低噪声放大器(特别在 C 波段以上)的“首席候选者”。本文介绍4～8千兆赫6分贝增益平衡放大器的设计。     

2～4千兆赫下增益为40分贝的薄膜放大器

自60年代中期出现微波晶体管以来,系统设计者皆致力于在所有微波波段下采用晶体管放大器。最近外刊报导了一种在2～4千兆赫下具有40分贝增益的薄膜放大器,并被吹嘘为微波晶体管放大器方面的一个较大进展。此放大器的50欧姆匹配网络为整个信频程提供了非常低的输入和输出电压驻波比(1.3:     

采用砷化镓场效应晶体管的18千兆赫前置放大器

引言砷化镓金属半导体场效应晶体管(MESFET)比双极晶体管噪声低,增益高,适用于高至20千兆赫左右频率下的低噪声前置放大器。金属半导体场效应晶体管的特性金属半导体场效应晶体管由高阻衬底上的薄导电层构成。N 型导电层包括源和漏两个欧姆接触以及栅的整流接触。图1示出的砷化镓金属半导体场效应晶体管中,1×200微米的栅     

4千兆赫集总参数晶体管放大器的研究

由于超高频晶体管和二极管的发展以及薄膜技术的确立,目前正在大力研制使用薄膜工艺的放大器、混频器等微波集成电路。其中,微波放大器被用作毫米波、亚毫米波和卫星通信方式等中频放大器,在参考资料中已讨论了各种放大器。这些微波放大器大致可分为分布参数放大器和集总参数放大器两类。前者容易制作。由于匹配电路采用分布参数电路,所以,匹配电路的大小必然由使用频率来决定。放大器的小型和轻量方面尚存在着缺点。后者(集总参数放大器)匹配电路的大小与频率无直接关系,与先前的分布参数放大器相比,约为它的1/10以下。因此适于放大器的轻量和小型化。其缺点是要有很高的制作精度,然而这一点由于制作精度的提高和制作工序的建立,是能解决的问题。     

14～18千兆赫的砷化镓放大器和振荡器

最近,美帝国际商业机器公司制成了14～18千兆赫的实验性晶体管放大器和振荡器。由于采用了砷化镓晶体管,使它们的频率特性提高了。在室温下,砷化镓晶体管中的电子饱和漂移速度比在硅中大2倍。据报道,在17千兆赫下,振荡器输出为1毫瓦。在14.9千兆赫、150千兆赫的3分贝带宽下,四级窄带放大器产生最大的功率增益为16分贝。在18千兆赫、380兆赫的带宽以上,三级放大器呈现的最大增益为6分贝。电路中所采用的新型晶体管的外推法测量数据表明,晶体管的最高振荡频率实际上在30千兆赫以上。理论计算表明,只要     

2千兆赫GaAs分频器设计

本文介绍了我国自行研制成功的GaAs 2千兆赫二分频分频器的设计。其试验电路测试结果表明该设计方法的可行性。     

一种噪声系数低,功率匹配好的1.1千兆赫到2.4千兆赫的晶体管放大器

目前已制造了一种有潜力的低成本放大器微型组件。放大器是采用晶体管管芯和薄膜、梁式引线或片状元件等构成的混合微波集成电路。这种放大器的设计表明,已经有一种能够获得最低噪声系数的输入功率匹配技术。这种技术是使用反馈的方法实现功率匹配,而同时在晶体管的输入端保持最小噪声系数所要求的源阻抗。放大器采用Mullard公司生产的BFR90晶体管管芯,在无反馈时,放大器的失配电压驻波比大于3:1。在1.5千兆赫的中心频率,300兆赫的宽带范围内,对50欧姆的源,放大器的噪声系数已可做到3.5分贝,输入电压驻波比小于1.25:1。在1.1至2.4千兆赫的频率范围,两级匹配放大器的增益在16分贝与12分贝之间。     

11和14千兆赫低噪声砷化镓场效应晶体管放大器

采用亚微米栅砷化镓场效应晶体管(NEC V-388)研制成11和14千兆赫低噪声放大器。两级放大器实现的最小噪声系数,在11.2千兆赫时为4.2分贝,14千兆赫时为5.7分贝。该放大器将用作接收机前置级。它由未封装的砷化镓场效应晶体管管芯与制作在兰宝石衬底上的薄膜微带输入和输出电路组成。本文介绍了这类放大器的设计、结构和性能。     

2～4千兆赫倍频程微波集成晶体管放大器

本文采用了简单的电路结构,并运用单向化设计技术完成了共发射极电路设计计算。为提高放大器的集成性,增加可靠性,做了用电阻直接馈电及采用高频损耗小的间隙电容的尝试工作。放大器设计的准则是:让频带高端共轭匹配,控制频带低端失配量,以求获得带内平坦幅频特性。本着这样的准则,初步试制了2～4千兆赫倍频程微波集成晶体管放大器。放大器单级增益为5.1分贝(最小),双级增益10分贝(最小)。放大器噪声系数4千兆赫下测量为5.8分贝,3千兆赫下测量为3.9分贝,2.4千兆赫下测量为5分贝。通带起伏±1分贝,输入、输出采用L_8密封接头,驻波比小于1.9。     

1千兆赫输出脉冲功率425瓦的集成信标放大器

美国微波半导体公司研制出两种集成电路功率放大器:它们的性能指标是:在1090兆赫峰值功率输出达400瓦及在1030兆赫峰值功率输出425瓦。这种L波段信标放大器制作在薄膜微带电路上,采用在放大器末级结合四个晶体管输出的高效率直接结合技术,获得大功率输出。馈送给末级放大器输入的分压网络可以同时固定四个晶体管的调谐。放大器是对于50伏晶体管偏压6瓦射频输入设计的,对于10微秒脉冲宽度,最大占空系数是2％,在恒定输入功率和2％的占空系数下,对于60微秒的脉冲宽度输出降至100瓦。脉冲上升和降落时间是100毫微秒,效率大约30％,体积为2.25×5.25×O.75英寸~3     

电视使用的12千兆赫高线性行波管放大器

1.任务的提出在目前扩建电缆电视的过程中,12千兆赫波段的电视传输装置即将建成。这些电视在短距离内应能同时传输约14套电视节目。由于用半导体制成的12千兆赫放大器就所需要的高线性传输性能来说,其输出功率远远不能满足要求,因此必须研制一种最新的行波管放大器,使在较小的激励信号下能在多载波状态下工作,并且通过使用2级集电极便可把损耗功率限制在所容许的范围内。