高速接口引发ESD保护元件革新

据意法半导体MPA产品部产品营销科长吉野善晴介绍：“由于设计设备时必须考虑的防ESD措施发生了变化，自2005年秋天起，开发平板电视的技术人员不断表示希望能使用静电电容较低的元件。”由于元件本身的静电电容会导致信号波形失真，因此越来越多的设备设计人员表示，传统的ESD保护元件将会逐渐无法继续使用（见图1）。为了避免信号失真，必须使用静电电容低于现有产品（3pF～5pF）的ESD保护元件。随着对低静电电容ESD保护元件需求的增加，松下电子元器件及意法半导体等器件厂商自2006年起相继推出静电电容低于1pF的ESD保护元件（见表1）。     

安森美半导体推出带有集成电流保护和高速ESD保护的USB2．0过压保护器件

安森美半导体推出带集成电流保护和高速静电放电（ESD）保护的过压保护（OVP）器NCP362,可用于USB2．0接口。这款集成器件可加强USB端口的安全性,简化便携电子产品的设计,因此不需要使用独立的OVP、过流保护fOCP）及瞬态电压抑制器（TVS）等元件;NCP362未面市前．设计人员仍需要采用这些元件来保护易受影响的便携设备,     

ESD保护原理

电路保护元件存在几种技术，当选择电路保护元件时，若设计师选择不当的保护器件将只能提供错误的安全概念。电路保护元件的选择应根据所要保护的布线情况、可用的电路板空间以及被保护电路的电特性来决定。此外，了解保护元件的特性知识也非常必要，需要考虑的重要因素之一是器件的箝位电压。所谓箝位电压是在ESD器件里跨在瞬变电压消除器（TVS）上的电压，它是被保护IC的应变电压。     

NUC2401MN：共模扼流圈EMI滤波器

ON Semiconductor推出共模扼流圈及静电放电（ESD）保护集成电路（IC）,应用于高速数据线路。新的NUC2401MN结合了高带宽差分滤波、固体共模停止带宽衰减及世界级ESD保护。这些结合的特性,使方案远优于典型的电磁干扰（EMI）滤波器及分立可选方案,同时有助显著减少元件数量。器件让设计人员实现优异的滤波及保护性能,     

安森美半导体推出集成ESD保护的共模扼流圈EMI滤波器

安森美半导体推出业界首款共模扼流圈及静电放电（ESD）保护集成电路（IC），应用于高速数据线路。新的NUC2401MN结合了高带宽差分滤波、固体共模停止带宽衰减及世界级ESD保护。这些结合的特性，使这方案远优于典型的电磁干扰（EMI）滤波器及分立可选方案，同时有助显著减少元件数量。     

ESD9L：单线ESD保护器件

安森美半导体推出新的超低电容静电放电（ESD）保护器件系列的首款产品。新的ESD9L是一款单线ESD保护器件，提供0．5pF电容和低钳位电压。采用适合ESD保护应用的小型封装，适用于手机、MP3播放器、个人数字助理（PDA）和数码相机等便携应用的高速数据线路保护。     

TFT_LCD驱动芯片GATE／SOURCE静电保护电路设计与实现

文章描述了TFT_LCD驱动芯片防静电（ESD）保护电路的布局,重点分析和设计了TFT_LCD驱动芯片GATE和SOURCE引脚的ESD保护电路。ESD保护电路布局上,采用髓排ESD电路错开呈”品字形“排列,使ESD电流均匀流通。在GATE保护电路中,采用二极管接法代替通用PMOS,防止电路产生Latch-up效应。SOURCE的保护电路中．NMOS的Drain设计了RPO（Resisl Protection Oxide）,使流经Drain的电流均匀分散,使二次击穿电压升高。     

用于确保信号完整性的ESD保护器件新结构

在高清视听时代,ESD保护器件是确保数字信号完整性的模拟元件,它的新材料以及制造工艺的发展驱动力在于,既要具备很高的抗静电放电的能力,又要具有超低的电容.本文介绍了ESD保护器件的最新结构和技术进展.     

泰科电子扩展ESD保护产品系列，推出业界最小的0201封装

泰科电子9月17日宣布其防静电（ESD）保护器件产品线上再添三款新品。其中0201尺寸的硅基ESD（SESD）器件比上一代0402型的器件大约缩小了70％，能够为手机、MP3播放器、PDA和数码相机等便携式电子产品提供保护和提高其可靠性。     

带ESD保护的EMI滤波器阵列CM1419

CM1419是带ESD保护、基于电感的两路EMI滤波器阵列，是一种可为移动音频提供完整高性能解决方案，集成了两个Pi滤波器（C—L—C），每路的元件数值为117pG-3．0nF-117pF，典型的串联电阻为0．28欧姆。在所有的输入，输出引脚集成有ESD保护二极管，可提供＋/-30KV的ESD尖峰，超过IEC61000-4—2国际标准的要求，在800MHz-2．1GHz频率范围内的衰减优于-40dB，5     

SD05／SD05C：二极管阵列

Littelfuse公司推出450WSD05（单向）和SD05C（双向）系列通用TVS二极管阵列（SPA设备）,以取代多层压敏电阻（MLV）用于保护因静电放电（ESD）和其他瞬态现象导致的对电子设备的破坏。陶瓷元件具有内部磨损缺陷,SD05和SD05C系列元件由硅二极管制造而成,可安全地吸收ESD的反复震击或瞬态浪涌而不会降低性能。     

深亚微米集成电路中的ESD保护问题

本文对深亚微米工艺所引起的集成电路抗静电能力下降的原因和传统保护电路设计的缺陷进行了深入的阐述,从制造工艺、保护电路元件和保护电路结构三方面对深亚微米集成电路中的ESD 保护改进技术进行了详细论述     

安森美推出静电放电保护二极管ESD5Z

安森美半导体（ON Semiconductor）日前推出全新高性能、微型封装的静电放电(ESD)保护二极管系列ESD5Z器件，专为便携式产品和电池供电应用中电压敏感元件提供单线保护而设计。     

纵向NPN管ESD保护结构的设计与分析

针对一种5V0.6μm BiCMOS工艺的纵向NPN管,设计了ESD保护结构。为了克服传统纵向NPN管ESD自触发结构触发电压较高的缺陷,提出一种带P+/N阱二极管的改进型自触发ESD结构,利用NPN管集电极与基极之间的寄生电容和二极管作为电容耦合元件。流片及测试结果表明,该保护结构的触发电压得到有效降低,且抗ESD能力超过4kV的人体模型。     

瞬变电压抑制器

ESDAXLC6—1MY2瞬变电压抑制器（TVS）为ESD保护器件建立新超低电容标准，在保护画质的同时，让ESD保护性能符合现行的工业标准。     

瞬变电压抑制器的发展与应用

瞬变电压抑制器（TVS）由于其优越的性能和近年来的快速发展，已成为国际上主流的电子电路保护器件之一。文中在对基于国内外主要TVS生产厂商产品手册和大量，TVS产品设计制造技术及应用资料进行分析和研究的基础上，对近年来TVS封装的发展和大功率、低结电容、低工作电压、ESD防护／EMI抑制等，TVS产品的开发及应用状况进行了展望。     

安森美半导体推出业界首款带集成电流保护和高速ESD保护的过压保护器件

安森美半导体（ON Semiconductor）推出业界首款带集成电流保护和高速静电放电（ESD）保护的过压保护（OVP）器件——NCP362,用于便携、电信、消费和计算系统中的USB2．0应用。     

超薄ESD保护阵列

NUP4016和ESD11L5．0D是两款低电容静电放电（ESD）保护新产品。这些新产品采用ESD保护平台,增强钳位性能,并维持超低电容和极小裸片尺寸。新器件的超小型封装厚度比此前版本封装低20％,是需要在超薄封装中提供优异保护性能的手机、MP3播放器、平板显示器和其他高速通信等便携应用的极佳保护器件。     

泰科电子推出业界最小的0201封装

泰科电子宣布其防静电（ESD）保护器件产品线上再添三款新品。其中0201尺寸的硅基ESD（SESD）器件比上一代0402型的器件大约缩小了70％。能够为手机、MP3播放器、PDA和数码相机等便携式电子产品提供保护和提高其可靠性。     

飞兆半导体新型μSerDes产品

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）推出基于μSerDes^TM技术的重要强化产品FIN224AC。与前代产品FIN24AC相比，全新的FIN224AC占用相同的占位面积和基础架构，但却提供增强的静电放电（ESD）保护功能并能降低EMI。对任何手持式电子产品而占，ESD损害都是重要的考虑问题。飞兆半导体将FIN24AC的8kV ESD保护性能提升至FIN224AC的15kV ESD。另一项改进是降低LVTTL（低电压晶体管到晶体管逻辑）输出的边沿速率，以便进一步降低EMI。