电流变化率di/dt直测法探讨

直流电动机采用可控硅供电后,一个重要的物理量——电流变化率di/dt的测定显得十分重要,目前尚无专用的仪器。本文在分析讨论di/dt直测法原理的基础上,提出了测试装置模型、试验线路和测定结果。同时给出了di/dt的数值标定方法。     

晶闸管di/dt失效分析

分析了晶闸管通态电流临界上升率(di/dt)的承受能力和损坏机理;给出了防止晶闸管di/dt失效的措施.结合晶闸管在电力机车变流装置上的运行情况,分析了晶闸管di/dt损坏的原因.结果表明,晶闸管的损坏与所加门极触发脉冲的宽度和频率等有关.     

初轧机轧钢电动机di/dt的分析

概述分析各类轧钢电动机在生产过程中主回路di/dt值(包括正值和负值),对设计制造轧钢电动机、设计电气传动系统以及调整轧制工艺都是有益的。分析di/dt值除考虑传动系统的结构差别外,还必须考虑轧制力矩的变化和电动机动态参数(如机电时间常数T_(jd))的变化。由于di/dt和电动机火花有密切     

可控避雷器中晶闸管阀电压和电流上升率仿真分析、试验检测及限制措施

晶闸管器件的断态（开断状态）电压上升率du/dt和通态（导通状态）电流上升率di/dt是决定可控金属氧化物避雷器（CMOA）晶闸管阀工作安全性的关键参数。以长治—南阳—荆门特高压交流试验示范工程为背景,对晶闸管阀中晶闸管器件需要承受的最大du/dt和di/dt进行了仿真计算,提出了技术要求,并给出了限值要求,即du/d...     

提高晶闸管di/dt能力的研究

从di／dt损坏机制，定量公式入手，分析了国内外有关di／dt的著作、文章，研究了提高晶闸管器件di／dt能力的各种有效方法，给出了一个常规新设计及其研究成果。     

轨道交通直流馈线电流变化率保护的工厂试验

针对di/dt+ΔI保护难以试验验证并且无法检验其抗干扰能力的问题,根据电容充电原理,设计了可以将阶跃信号输入转为指数曲线输出的试验工具模块,给出了任意时刻电流及di/dt等的计算公式,设计了保护试验方法和步骤,最后给出了典型试验实例,其中包括时间常数τ的计算和验证、di/dt+ΔI保护传动试验、保护动作临界值测试,以及现场抗干扰测试。所设计的试验工具、试验方法和测试实例,对开关柜厂家和地铁运维具有一定指导意义。     

电气设备的若干试验方法(出国检验技术报告之四)

本文介绍在日本某公司进行电气设备出厂检验中所采用的一些试验方法。一、直流电动机 1。直流电动机的允许dl/dt试验该公司的大功率和中小功率传动系统,内环均为电流变化率环。在满足生产机械要求的前提下,所整定的di/dt值均大大低于允许的di/dt值,如表1所示。     

高压晶闸管触发器

本文详细介绍了一种高压晶闸管计数触发器的工作原理及制造工艺,解决以往触发器输出脉冲上升沿di/dt、dv/dt小,触发功率低,绝缘耐压不高等问题。     

基于IGBT开关暂态过程建模的功率变流器电磁干扰频谱估计

开关器件在开通和关断暂态过程产生的高电压和电流变化（dv/dt和di/dt）是高频电磁干扰的主要来源.提出一种基于IGBT开关暂态过程建模优化的电磁干扰频谱估计方法,建立了IGBT行为特性模型,分阶段研究了IGBT开通和关断的动态过程,用分段线性化方法模拟电压和电流的暂态波形,将非线性的开通和关断特征用多段dv/dt和di/dt组合描述.文中提出的方法提高了电磁干扰预测频谱在高频段的准确度,实验结果验证了方法的正确性.     

SF_6气吹喷口电弧热开断性能的实验研究

本文介绍了利用模型进行SF_6气吹喷口热开断性能的试验研究,测试了不同的di/dt、dv/dt以及电极材料对喷口喉部热堵塞的相互影响情况,并作了理论说明。     

Flexible dv/dt and di/dt control method for insulated gate power switches

Active gate control techniques are introduced in this paper for flexibly and independently controlling the dv/dt and di/dt of insulated gate power devices during hard-switching events. In the case of dv/dt control, the output voltage dv/dt can be controlled over a wide range by electronically adjusting the effective gate-to-drain (-collector) capacitance (i.e., Miller capacitance). For di/dt control, similar techniques are applied for electronically adjusting the output current di/dt over a wide range using voltage feedback from a small inductor connected in series with the switch's source (emitter) terminal. Both techniques are designed to maximize their compatibility with power module implementations that combine the power switch and its gate drive, including integrated circuit gate drives. Simulation and experimental results are included to verify the desirable performance characteristics of the presented dv/dt and di/dt control techniques.     

驱动回路参数对碳化硅MOSFET开关瞬态过程的影响

在电力电子系统中,碳化硅(Si C)MOSFET的开关特性易受系统杂散参数的影响,表现为电磁能量脉冲形态属性的非理想特性,并进一步影响系统效率和可靠性。针对Si C MOSFET,首先分析控制脉冲、驱动脉冲及电磁能量脉冲三者间形态属性的关系,提取影响Si C MOSFET开关瞬态过程的关键参数,即开关过程中的dv/dt和di/dt。基于Si C MOSFET的开关过程,分析驱动回路参数对dv/dt和di/dt的影响,并通过PSpice仿真及搭建Si C MOSFET双脉冲测试实验平台进行分析和比较。在此基础上,对基于驱动回路参数的瞬态控制方法进行对比分析,为实际应用中对Si C MOSFET的开关特性改善提供重要的理论基础。     

气吹灭弧室的斜坡电流开断特性研究

本文介绍了用斜坡电流方法进行SF_6气吹灭弧室的开断特性的研究,其等值条件是电流零点以前的下降斜率相等。与工频电流的开断相比较,以极限的(dv)/(dt)与(di)/(dt)关系表示的开断特性,以及零前若干微秒的电弧电导变化,在(di)/(dt)<20A/μs以下,即相当于工频电流半波里喷口没有出现严重堵塞的条件下,两种开断性能没有很大差别,简化的斜坡电流可以用以代替工频电流进行开断特性研究。但在喷口出现严重堵塞现象之后,工频电流开断特性恶化。     

电压型高压变频器的实现研究

高压变频器的实现技术不能是低压三相交流逆变器的简单组合和运用。从安全性和可靠性来讲，它必须考虑功率元、器件的电压承受能力，而且，di/dt,dv,dt等也不能超过它的极限值。此外，在高压变频器中，还要考虑共模电压的存在。从电源污染的角度看，变频器对电力系统所产生的谐波污染不能超过IEEE519号文本的推荐指标要求。本文拟从抑制电源污染，降低dv/dt和di/dt的角度出发，提出了电压型高压变频器的实现原理和控制策略。     

基于噪声源阻抗估测的单相并网逆变器传导电磁干扰滤波器的设计

随着半导体材料技术的不断发展,应用在逆变器系统中的电力开关管的开关频率可以达到十几、几十乃至几百kHz,从而在开关管处产生很大的di/dt和du/dt,因此与逆变系统各部分之间或者系统与地之间的寄生电感和电容耦合产生共模或差模干扰。干扰噪声主要是以传导的形式流通于系统中,对逆变系统的控制部分和周围设备的正常工作产生极大影响。基于噪声源的阻抗特性,通过可操作性较强的实验方法,测出源阻抗的数据来设计电磁干扰滤波器的各个参数,可使滤波器的设计更加有效,加快其设计进程,节省工程上EMI滤波器的整改时间。最后的仿真和实验中传导电磁干扰得到了有效抑制,验证了该方法的可行性和有效性。     

小开距下直流真空断路器介质恢复试验及分析

介绍了一种能在小开距下分断高上升率短路电流的方法,并就其真空介质恢复特性展开试验研究。设计了等效真空介质恢复试验方案,从燃弧能量与零电压恢复时间两方面对真空介质恢复过程进行分析,得到直流真空断路器短路分断控制方法的设计依据。研制了额定1 000V/800A直流真空断路器试验样机,可在小于1ms内成功分断上升率约为20A/μs的短路电流,并将电流峰值限制在8kA以内。试验结果证明了所提出的小开距下分断高上升率短路电流的方法有效、可行。