镱掺杂二氧化锡纳米粉体的制备工艺影响因素研究

以SnCl4•5H2O和Yb(NO3)3•6H2O为原料,氨水为沉淀剂,采用化学共沉淀法制备了镱掺杂二氧化锡纳米粉体,考察了反应温度、煅烧温度、分散剂的种类对所得纳米镱掺杂二氧化锡粉体的物相、晶粒度和形貌的影响。对粉体的前驱体进行综合热分析(TG-DTA),用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对产物的结构和形貌进行表征,得到共沉淀法制备纳米镱掺杂二氧化锡粉体的最佳条件：反应温度60 ℃,煅烧温度600 ℃,用非离子型PEG-600为分散剂。     

化学共沉淀法制备纳米铋掺杂氧化锡

以SnCl4.5H2O和Bi(NO3)3.5H2O为原料,氨水为沉淀剂,采用化学共沉淀法制备了铋掺杂氧化锡(BTO)纳米粉体,考察了反应温度、滴定终点pH、铋掺杂量、煅烧温度和分散剂PEG-600对所得的纳米BTO粉体物相、晶粒度和形貌的影响,对粉末的前驱体进行综合热分析(TG-DTA),用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对产物的结构和形貌进行表征,得到共沉淀法制备纳米BTO粉体的最佳条件:反应温度60℃,滴定终点pH=3,煅烧温度600℃;该条件下制得BTO粉体的电阻率最小为3.48Ω.cm。     

化学共沉淀法制备纳米铋掺杂氧化锡的影响因素研究

以SnCl4.5H2O和Bi(NO3)3.5H2O为原料,氨水为沉淀剂,采用化学共沉淀法制备了铋掺杂氧化锡（BTO）纳米粉体,研究了反应温度、滴定终点pH值、铋掺杂量,煅烧温度和分散剂PEG-600对所得的纳米BTO粉体物相、晶粒度和形貌的影响,对粉末的前驱体进行综合热分析（TG-DTA）,用X-射线衍射（XRD）,扫描电镜(SEM)对产物的结构和形貌进行表征,得到共沉淀法制备纳米BTO粉体的最佳条件：反应温度60℃,滴定终点pH值为3,煅烧温度600℃;该条件下制得BTO粉体的电阻率最小为3.48Ω•cm。     

熔盐法合成磷酸镧粉体及其形貌

以La(NO3)3b·6H2O和H3PO4为原料,以KNO3-NaNO3为助熔剂,由熔盐法分别经300,400,500,600,700℃和800℃煅烧制备了磷酸镧粉体.利用X射线衍射分析粉体的相结构,用扫描电镜观察其微观结构,研究了不同煅烧温度和熔盐含量对粉体相结构及形貌的影响.结果表明:磷酸镧粉体的形貌、相结构与煅烧温度和熔盐加入量有密切关系,400℃制备的磷酸镧颗粒为束状,500℃制备的为米粒状,600℃制备的的为均匀圆球状的纳米颗粒,700,800℃制备的为层片状的磷酸镧颗粒.300～600℃煅烧后可以得到单斜相的磷酸镧,700℃煅烧后的粉体既有单斜相又有六方相,800℃煅烧后的粉体全部为六方相,磷酸镧由单斜相向六方相转变的温度为735℃.     

共沉淀法制备纳米级Y_2O_3:Eu~(3+)红色发光粉体及其发光性质的研究

以Y2O3,Eu2O3为原料采用尿素共沉淀法,在600、800和1000℃温度煅烧制备了Y2O3:Eu3+纳米级粉体,利用XRD、SEM等测试手段对粉体的形貌进行了表征,用分光光度计测试了样品的激发和发射光谱.并比较了这三个温度下样品的发光性质,结果表明1000℃煅烧的粉体发光性能最好.     

共沉淀法制备纳米级Y2O3：Eu^3＋红色发光粉体及

以Y2O3,Eu2O3为原料采用尿素共沉淀法,在600、800和1000℃温度煅烧制备了Y2O3：Eu^3＋纳米级粉体,利用XRD、SEM等测试手段对粉体的形貌进行了表征,用分光光度计溯试了样品的激发和发射光谱。并比较了这兰个温度下样品的发光性质,结果表明1000℃煅烧的粉体发光性能最好。     

CeO2-Y2O3共稳定纳米四方多晶氧化锆粉体的制备与研究

用共沉淀法制备掺杂复合稳定剂CeO2-Y2O3纳米四方多晶氧化锆粉体,并讨论了pH,煅烧温度以及稳定剂的含量对所制备的粉体的组成情况和晶粒尺寸。用XRD、BET和热分析的结果表明pH≥9.5,煅烧温度为700℃左右可以获得细晶、稳定的TZP粉体。     

两步沉淀法制备纳米Cr_2O_3粉体的研究

为制备分散均匀且超细的纳米Cr2O3粉体,以Cr(NO3)3·9H2O为主原料,以聚乙烯吡咯烷酮(即PVP)为分散剂,采用两步沉淀法制备了纳米Cr2O3粉体。在Cr(NO3)3浓度为0.031 6 mol·L-1的条件下,研究了沉淀剂种类(氨水、碳酸钾和水合肼)、p H(4.8、5.2、6.5、7和7.9)及煅烧温度(300、400、450和500℃)等对合成纳米Cr2O3粉体晶粒尺寸的影响,并采用差热分析、FE-SEM及XRD等对所合成粉体进行了表征。结果表明:随煅烧温度及p H的升高,纳米Cr2O3粉体的晶粒尺寸先减小后增加。在Cr(NO3)3浓度为0.031 6 mol·L-1、以氨水为沉淀剂、p H=7、煅烧温度为450℃及保温时间为2 h的条件下可以制得晶粒尺寸在20 nm左右、分散良好的纳米Cr2O3粉体。     

叶腊石基锑掺杂二氧化锡复合导电粉体的制备及电性能

通过化学共沉淀法制备了以叶腊石微粉为基体、表面包覆锑掺杂二氧化锡的复合导电粉体,采用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)分别对该复合导电粉体晶体结构和微观形貌进行表征,并进一步研究了各反应条件对复合粉体体积电阻率的影响。实验结果表明,当水解温度60℃、水解pH值为1、SnCl4加入量100%、Sb掺杂量16%、600℃煅烧1 h时,可得到体积电阻率为26.cm的复合导电粉体。该复合导电粉体可作为填料广泛应用于导电塑料、橡胶等复合导电产品,同时为矿物基功能材料的低成本制备提供了新的思路。     

沉淀法制备纳米CeO2的研究

以硝酸铈、酒石酸铵为原料,采用沉淀法制备了CeO2纳米晶体,考察了煅烧温度、原料计量比和分散剂的影响,差热分析结果表明：前驱物为Ce2L3·8H2O,样品用TEM和XRD进行了表征,样品外观形貌为淡黄色蓬松状粉体,前驱物经600℃、700℃、800~C℃煅烧2h所得样品的粒径分别为15nm、24nm,32nm左右。