宽禁带半导体技术

概述根据半导体材料禁带宽度的不同,可分为宽禁带半导体材料与窄禁带半导体材料。若禁带宽度Eg<2ev(电子伏特),则称为窄禁带半导体,如锗(Ge)、硅(Si)、砷化镓(G a A s)以及磷化铟(I n P);若禁带宽度E g>2.0￣6.0ev,则称为宽禁带半导体,如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、4H碳化硅(4H-SiC)、6H碳化硅(6H-SiC)、氮化铝(AlN)以及氮化镓铝(ALGaN)等。宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强以及良好的化学稳定性等特点,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成…     

宽禁带半导体材料技术

宽禁带半导体材料是一种新型材料,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高等特点,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成电子器件;利用其特有的禁带宽度,还可以制作蓝光、绿光、紫外光器件和光探测器件,能够适应更为苛刻的生存和工作环境。在宽禁带半导体材料中,具有代表性的是碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、金刚石以及氧化锌(ZnO),综合叙述了这些材料的特性、发展现状和趋势;并介绍了SiC、GaN、ZnO材料的应用情况和代表性器件的研究进展。     

宽禁带半导体材料及器件

以Si和GaAs为代表的传统半导体材料的高速发展推动了微电子、光电子技术的迅猛发展,然而受材料性能所限,用这些材料制成的器件大都只能在200℃以下的热环境下工作,且抗辐射、耐高击穿电压性能以及发射可见光波长范围等都不能满足现代电子技术发展对高温、高频、高功率、高压以及抗辐射、能发射蓝光等提出的新要求。而以SiC、GaN、金刚石为代表的宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电压高、     

第三代半导体材料的发展及应用

以Si和GaAs为代表的传统半导体材料的高速发展推动了微电子、光电子技术的迅猛发展。然而受材料性能所限,用这些材料制成的器件大都只能在200℃以下的热环境下工作,且抗辐射、耐高击穿电压性能以及发射可见光波长范围都不能满足现代电子技术发展对高温、高频、高压以及抗辐射、能发射蓝光等提出的新要求。而以SiC、GaN、金刚石为代表的宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强、良好的化学稳定性等独特的性能,使其在光电器件、高频大功率、高温电子器件等方面倍受青睐,被誉为发展前景十分广阔的第三代半导体材料。     

宽禁带半导体技术

概述 根据半导体材料禁带宽度的不同,可分为宽禁带半导体材料与窄禁带半导体材料.若禁带宽度Eg＜2ev(电子伏特),则称为窄禁带半导体,如锗(Ge)、硅(Si)、砷化镓(GaA s)以及磷化铟(InP);若禁带宽度Eg＞2.0～6.0ev,则称为宽禁带半导体,如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、4H碳化硅(4H-SiC)、6H碳化硅(6H-SiC)、氮化铝(AIN)以及氮化镓铝(ALGaN)等.     

氮化镓微波电子学的进展

简要介绍宽禁带半导体氮化镓材料的生长，微波电子器件的物理特性、制造工艺和微波性能。     

电子科学技术中的半导体材料发展趋势

电子科学技术当今渗透于我们生活中的各个领域,它引领着当前新兴技术产业的发展脚步,作为电子科学技术发展基石的半导体材料迭代发展,它决定了当今电子工业产业的走势.从第一代半导体材料硅、锗等代表性半导体材料的发展到当今碳化硅、氮化镓、氧化锌等第三代半导体材料的深入研究,它们都遵循着半导体材料朝着高集成度、低特征尺寸、更宽的禁带宽度等方向进行发展.     

一种基于基板埋入技术的SiC功率模块封装及可靠性优化设计

<正>以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体（亦称宽禁带半导体）材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高以及抗辐射能力强等优点。其中SiC功率器件及模块已经逐渐成为特高压柔性电网、5G移动通信基础设施、高速轨道交通、新能源汽车、航空航天装备、数据中心等“新基建”核心领域的“关键核芯”。我国“十四五”规划和2035年远景目标纲要明确指出：以SiC为代表的宽禁带半导体是事关国家安全和发展全局的基础核心领域,是需要集中优势资源攻关的领域关键核心技术。     

氮化镓微波电子学的进展

简要介绍宽禁带半导体氮化镓材料的生长、微波电子器件的物理特性、制造工艺和微波性能。     

超高亮度二极管产业现状和发展趋势

爱迪生对灯泡的发明，使人类利用电来照明的梦想变成了现实，实现了人类历史上照明方法的一次伟大革命。但是，这一传统的以灯泡为基础的照明方法，在二十一世纪的今天，却遇到了用氮化镓基宽禁带半导体材料研制的白光发光二极管的严峻挑战！氮化镓基宽禁带半导体材料研制的白光发光二极管有望在未来的十几年内进入传统的以灯泡为基础的照明领域，引起照明方法的又一次伟大革命！     

第三代半导体材料的发展及应用

以Si和GaAs为代表的传统半导体材料的高速发展推动了微电子、光电子技术的迅猛发展。然而受材料性能所限,用这些材料制成的器件大都只能在200℃以下的热环境下工作,且抗辐射、耐高击穿电压性能以及发射可见光波长范围都不能满足现代电子技术发展对高温、高频、高压以及抗辐射、能发射蓝光等提出的新要求。而以SiC、GaN、金刚石为代表的宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电     

宽禁带GaN基半导体激光器进展

宽禁带Ⅲ族氮化物基半导体是20世纪末研究最活跃的半导体材料系,其高亮度发光二极管和激光器一出现即以惊人的速度实现了商品化。文章就GaN基半导体激光器的市场需求、蓝宝石基片上生长的氮化镓基激光器的研制和发展概况以及近期研究热点作了扼要介绍。     

宽禁带半导体技术的研究与开发在欧美快速展开

<正>宽禁带半导体是指禁带宽度E_g＞2．0～6．0eV的一类半导体,如GaN、AlN、AlGaN、SiC、4H-SiC、6H-SiC等。它是继以Si、GaAs为代表的第一代、第二代半导体之后发展起来的第三代半导体。宽禁带半导体技术是一项战略性的高新技术,具有极其重要的军用价值和民用价值。用     

Ⅲ族氮化物异质结构:工艺、性质和发光器件

目前信息的光和磁光记录与读出系统是非常重要的产品，它占高速增长的半导体激光市场的五分之一（2000年为60亿美元，增长率为108%）。这部分市场需要辐射波长尽量短的发光器件。CD-ROM装置使用的辐射波长由780 nm过渡至650 nm（DVD-ROM），信息写入密度提高了20倍。进一步减小半导体激光器的波长可使CD记录信息达到150 Gbyte。上述情况决定了对宽带隙化合物、即Ⅲ族氮化物的极大兴趣，因为该系统主要化合物氮化镓的禁带宽度为3.42 eV，它对应紫外光谱区。使用AlGaN和InGaN固溶体可以调节禁带宽度。因此，Ⅲ族氮化物系统能够得到紫…     

基于宽禁带半导体材料氮化镓的原子力显微镜分析

微波功率器件在无线通信技术领域扮演着重要角色,而宽禁带半导体材料对微波功率器件的研究起着关键作用。氮化镓作为宽禁带半导体的代表,具有介电常数小、载流子饱和速率高、热导率高等优良特性。文章通过对氮化镓外延材料进行深入的原子力显微镜(Atomic Force Microscope, AFM)分析,能够更精准地表征氮化镓外延材料,从而助力微波功率器件的发展。     

宽禁带半导体关键设备技术及发展

宽禁带半导体设备技术是宽禁带半导体器件的支撑和重要基础。简要介绍了宽禁带半导体器件发展面临的设备问题,重点介绍了碳化硅晶体生长炉、碳化硅外延生长炉、碳化硅离子注入机和氮化镓MOCVD四种制约我国宽禁带半导体器件技术发展的关键设备,指出了宽禁带半导体设备技术的未来发展趋势。     

中科院物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底

碳化硅(SiC)单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点,被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外,由于SiC和氮化镓(GaN)的晶格失配小,SiC单晶是GaN基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材料。为降低器件成本,下游产业对SiC单晶衬底提出了大尺寸的要求,目前国际市场上已有6英寸(150mm)产品,预计市场份额     

北大成功研制出氮化镓基激光二极管

北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心研制的氮化镓基激光二极管实现了电注入激射，激光波长405nm，峰宽0．12nm。这是继2004年7月该中心率先在国内获得光泵浦GaN基激光器受激发射之后所取得的又一突破。GaN基激光器是波长最短的半导体激光器．波长为405nm范围的蓝一紫光GaN基激光器是发展下一代大容量高密度光存储信息技术的关键性器件。在国防建设、生物、环境、照明、显示、打印和医疗等领域，也具有广阔的应用前景和巨大的市场需求。研制GaN基激光器是国家高科技攻关的重要项目之一。     

微电子所等研制出国际先进的氮化镓增强型MIS-HEMT器件

<正>近日,中国科学院微电子研究所氮化镓(Ga N)功率电子器件研究团队与香港科技大学教授陈敬团队、西安电子科技大学教授、中科院院士郝跃团队合作,在GaN增强型MIS-HEMT器件研制方面取得新进展,成功研制出具有国际先进水平的高频增强型Ga N MIS-HEMT器件。第三代半导体材料氮化镓具有高禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度等优异的物理性质,尤其     

福建省碳化硅衬底专利技术现状与发展建议

以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,已经成为国际半导体研究和产业化的热点。以碳化硅衬底技术专利活动情况为研究目标,从专利申请趋势、专利地域分布、主要申请人和技术领域分布等角度进行对比分析,梳理专利布局优势和存在的问题,提出福建省碳化硅衬底技术专利布局优化和质量提升的对策建议,全面助力福建省碳化硅衬底技术优化升级。