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一、整机企业的测试需求和测试体制 随着整机和系统智能化和数字化的发展趋势,电子元器件的用量越来越大,电子元器件的质量对整机和系统的性能和可靠性起着越来越大的作用。如何保证电子元器件的质量,进而保证整机和系统的性能和可靠性成为一个越来越尖锐的问题摆在整机企业(特别是军工整机企业)的面前。 如何解决元器件的质量问题有不同的方法,在发达国家由于有多年规范市场经济的基础和完善的法律体系及环境,再加上半导体产业的高科技术水平,因此主要依靠元器件供应商和生产商来保证元器件的质量水平。元器件产品根据其质量水平和使用要求可分为民用级、工业级、军用级、特军级、超特军级、宇航级等多个质量等级,产品按质论价。整机企业将其精力都放在整机的研发和生产上,元器件的质量由市场来保证,而不是 相似文献
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电子元器件是电子设备和系统的最基本单元,电子产品的可靠与否决定于电子元器件的可靠性,没有高可靠性的电子元器件,设计再好的电子产品也难以发挥其作用。文章从元器件的选择、内在质量评价、二次筛选、DPA、失效分析、元器件质量跟踪、元器件质量数据库等环节讨论了电子元器件的质量控制问题并提出了一些建议。 相似文献
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信息技术和信息产业的发展水平是衡量一个国家现代化程度的主要标志,是综合国力的基本要素。江泽民总书记指出“在世纪之交,全球信息化进程明显加快,我们要迎接21世纪的挑战,就必须重视发展信息产业”。因此加速发展信息技术和信息产业,直接关系到我国社会主义现代化建设的进程,关系到我国21世纪的地位。 相似文献
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随着现代武器装备的不断完善和发展,各种军工产品电子元器件尤其是微电子器件在军工产品装备上的应用越来越广泛,电子元器件的选择和使用就日益显得重要。本文结合军工产品用电子产品元器件选择和使用的实际情况,着重就元器件选择和使用过程中的采购、筛选、破坏性物理分析以及失效分析进行了探讨,给出了军工产品用电子元器件的选择和使用准则。 相似文献
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电子元器件是电子产品的最基本单元,没有可靠的元器件就不可能有高可靠的电子产品。对电子元器件应从选用、二次筛选、质量跟踪、建立远器件质量数据库等方面进行有效的控制,从而确保装机电子元器件的质量。 相似文献
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野外使用的光电探测靶易受外界环境的干扰而产生假弹丸信号,引起仪器误触发,导致测量仪器工作异常。利用光电探测靶的探测幕厚特征与实际弹丸飞行速度,分析弹丸与其他假弹丸作用于光幕产生的信号脉宽差异,剔除干扰信号;根据信号脉宽特征,设计弹丸信号识别与提取的逻辑电路,并结合实际测量的多光幕系统,利用各光幕间的信号逻辑关系,达到消除假弹丸信号的目的。 相似文献
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Yonghong Zhang Xiaohong Tang Yong Fan Zhengde Wu 《Journal of Infrared, Millimeter and Terahertz Waves》2006,27(8):1087-1093
A W-band millimeter wave frequency source is developed by frequency multiplier chain and injection locking. The referenced crystal oscillator (CO) signal 120 MHz is multiplied 400 times to output 48 GHz signal. Then, it is used as a referenced source of fundamental-wave injection-locked harmonic Gunn oscillator with output power more than 10 mW at 96 GHz and spurious output less than ?65 dBc. The measured phase noise is ?97 and ?105 dBc/Hz at 10 kHz and 200 kHz offset, respectively. At last, the influence of the flicker noise, provided by the frequency multipliers and amplifiers, is analyzed. 相似文献
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利用NMOS管在亚阈值区、线性区和饱和区不同的导电特性,产生正温度系数电流;多晶硅高阻与N阱电阻组成串联电阻,代替线性区的NMOS管,产生与正温度系数电流互补的负温度系数电流。采用自偏置共源共栅电流镜结构,提出一种无运算放大器和三极管的求和型CMOS基准电流源。基于Nuvoton 0.35 μm CMOS工艺,完成设计与仿真。结果表明,在-40 ℃~100 ℃的温度范围内,电流变化为2.4 nA,温度系数为7.49×10-6/℃;在3.0~5.5 V的电压范围内,电源电压线性调整率为3.096 nA/V;在5 V工作电压下,输出基准电流为2.301 μA,电路功耗为0.08 mW,低频时电源电压抑制比为-57.47 dB。 相似文献
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阐述了研制S波段低相噪参考源所需的晶振相噪特性、倍频器相噪特性,指出研制低相噪参考源的途径,在此基础上研制出了S波段极低相噪参考源,经严格测量,其相位噪声在1kHz处优于-121dBc/Hz,100kHz以外的相噪平底优于-135dBc/Hz。所用20次培频器几乎无附加相噪。 相似文献
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基于传统的Brokaw结构带隙基准源进行改进,采用无运放的Brokaw结构基准源,避免运算放大器带来的输入失调电压的影响,提高基准电压精度。针对不同工艺角下基准温度特性曲线零温度系数点变化导致温度系数变差的问题,设计了一种分段线性温度补偿与电阻修调结合的补偿修调方案,对基准输出进行温度补偿的同时修调电压精度。相比于传统分段线性补偿法,该方案避免了在其他工艺角下分段补偿时出现的补偿不足或补偿过度的情况,实现了基准电压源输出在器件全工艺角组合下的低温度系数和高精度。电路基于TSMC 0.18 μm BCD工艺设计。仿真结果表明,该电路在5 V电源电压下输出电压为1.201 V,输出失调电压为3.3 mV。在全工艺角下,-40 ℃~+125 ℃温度范围内,基准电压温度系数最大为7.48×10-6/℃,输出电压为1.201(1±0.16%) V。 相似文献
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本文采用集成式锁相环(Phase-Locked Loop,PLL)ADF5355 实现一款超宽带、小尺寸、低成本的频率源,锁相环利用单片机 C8051F340 控制。首先锁相环芯片 ADF5355 可以实现 54 MHz~13600 MHz 的频率输出,可以满足较大频率范围固定点频源的要求;另外,选择的锁相环芯片 ADF5355 和单片机 C8051F340,再加一个稳压器芯片就可以实现低成本频率源的设计; 通过合理的空间布局,可以实现小尺寸频率源的设计,具有较大的工程应用价值。 相似文献
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本文介绍了一种新型的X波段雷达接收机频率源设计方法。采用频率倒树状结构设计思想,并利用ADI公司生产的AD9510/AD9516芯片的低抖动时钟分配器多通道可编程特点,设计实现了雷达接收机频率源一本振的宽带多点跳频(频率从8060~8160MHz,步进10MHz,共11个点)及二本振、系统时钟、采样时钟等频率的直接合成,并给出了测试结果。实测结果显示:一本振频率8.13GHz相位噪声为-119.21dBc/Hz@1kHz ,杂散抑制为-71.99dBc,且多点跳频正常。从测试结果来看,本文介绍的直接合成频率源具有良好的低杂散、低相噪性能。 相似文献