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根据普适参数紧束缚方法得到的最近邻对原子相互作用能以及改进的Kikuchi近似,我们计算了合金(Gash)1-xGe2x,(InP)1-xGe2x的亚稳相图.在计算亚稳相图时,Ge原子取为无序分布以消除相分离.对于亚稳合金(Gash)1-xGe2x,相应于亚稳有序无序相转变点的临界转变浓度xc为0.26,对于亚稳合金(InP)1-xGe2x,xc为0.61.计算值与实验值符合较好.根据关联虚晶格近似我们还计算了合金的能隙. 相似文献
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用分子束外延法在GaAs(100)衬底上生长了高质量的四元合金Zn(1-x)MgxSySe(1-y)薄膜.在对所生长的样品进行俄歇电子能谱、X射线衍射和喇曼散射研究后,提出了一种确定四元合金Zn(1-x)MgxSySe(1-y)组分的方法,即:利用ZnSySe(1-y)和化学配比的MgSe作为标准样品,通过X射线衍射和喇曼散射测得标准样品ZnSySe(1-y)中的S组分,再根据ZnSySe(1-y)和MgSe的俄歇谱图,对各元素的相对灵敏度因子进行修正,然后利用相对灵敏度因子法比较精确地走出四元合金Zn( 相似文献
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根据普适参数紧束缚方法得到的最近邻对原子相互作用能以及改进的Kikuchi近似,我们计算了合金(GaSb)1-xGe2x,(InP)1-xGe2x的亚稳相图,在计算亚稳相图时,Ge原子取为无序分布以消除相分离,对于亚稳合金(GaSb)1-xGe2x,相应于亚稳有序无序相转变点的临界转变浓度X0为0.26,对于亚稳合金(InP)1-xGex,x0为0.16,计算机值及实验值符合较好,根据关联虚晶近似 相似文献
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用分子束外延法在GaAs(100)衬底上生长了高质量的四元合金Zn1-xMgxSySe1-7薄膜,在对所生长的样品进行俄歇电子能谱、X射线衍射和喇曼散射后,提出了一种确定四元合金Zn1-xMgxSySe1-y组分的方法,即:利用ZnSySe1-y和化学配比的MgSe作为标准样品,通过X射线衍射和嘈曼散射测得标准样品ZnSySe1-y中的S组分,再根据ZnSySe1-y和MgSe的俄歇谱图,对各 相 相似文献
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本文计算了闪锌矿结构Zn(1-x)MnxSe光学声子频率随组分x值的改变.计算表明,Zn(1-x)MnxSe混晶的光学声子属混模行为.在计算中,表征晶格常数改变对力常数影响的物理量,不同混晶应取不同的值. 相似文献
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采用紧束缚方法对生长在Si(001)衬底上的GexSi1-x合金形变层的电子能带结构进行了计算,并与GexSi1-x合金的能带结构进行了比较.计算结果表明,对大部分合金组分x(0≤x≤0.9),形变层的导带底处在△轴上;当x≥0.9后,导带底处在L点.形变层的直接能隙Eg()及间接能隙Eg(△)和Eg(L)都比同组分x的合金小,其下降量随组分x的增大而增大.形变层的价带顶自旋-轨道分裂值△s。也比相同组分的合金大,其增大值也随合金组分的增加而增加. 相似文献
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Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格的LACBED研究段晓峰(中国科学院北京电子显微镜实验室,北京100080)Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格是一种新的能带工程材料。人们可以通过调整合金层的合金成分等结构参数,来调整应变层超晶格的能... 相似文献
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红外椭圆偏振光谱研究GaxIn1—xAsySb1—y材料的禁带宽度 总被引:1,自引:0,他引:1
采用红外椭辰我谱研究了与GaSb衬底近晶格匹配的不同组分GaxIn1-xAsySb1-y样品位于禁带宽度能量位置之上、附近和之下的室温折射率光谱。根据禁带宽度能量位置附近的折射率增强效率确定了GaxIn1-xAsySb1-y样品的禁带宽度,并发现在组分x=0.2 ̄0.3之间禁带宽度随组分x近似于线性变化。 相似文献
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采用紧束缚方法对生长在SI(001)衬底上的GexSi1-x合金形变层的电子能带结构进行了计算,并与GexSi1-x合金的能带结构进行了比较。计算结果表明,对大部分合金组分x,形变层的导带底片在△轴上;当x≥0。9后,导带底处在L点。形变层直接能隙Eg及间接能隙Eg和Eg都比同组分x的合金小,其下降量随组分x的增大而增大。形变层的价带顶自旋-轨道分裂值△so也比相同组分的合金大,其增大值也随合金组 相似文献
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采用紧束缚的重整化方法计算了超晶格(GexSi1-x)1/(Si)m(001)的基本带隙及其导带底在布里渊区中的位置在X=0.01~0.1范围内随X的变化情况以及当X=0.01时随硅层层数m的变化情况。计算结果表明,在x=0.01~0.1范围内,x对导带底位置基本上没有影响,导带底位置主要由硅层层数m决定,并可根据布里渊区折叠计算得到。由此提出,可以制成类似于(GexSi1-x)1/(Si)m(001)形式的超晶格,而获得准直接能隙结构的材料,以提高其光的发射和检测能力。关键词: 相似文献
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用分子束外延生长了不同组分x的Zn1-xMnxSe外延膜和Zn1-xMnxSe/ZnSe超晶格.由于Zn1-xMnxSe的能隙Eg随组分变化在低组分区形成弓形,且弓形的范围随温度变化的反常特性,首次在光致发光谱(PL)中观测到当温度升高时,Zn1-xMnxSe/Znse超晶格中由ZnSe为阱、Zn1-xSe为垒转换成Zn1-xSe为阱,ZnSe为垒.瞬态光致发光结果表明,Zn1-xMnxSe/ZnSe超晶格中Mn++离子的激发态弛豫时间远大于Zn1=xMnxSe外延模中Mn++离子的弛豫时间,这可能是由于 相似文献
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n—AlxGa1—xAs/n—GaAs的特性参数研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本测了n-AlxGa1-xAs/n-GaAs的表面光伏谱,推导了有关计算公式,计算了它们的能隙和组分,得出了它们的重要材料参数,计算结果表明:理论计算与实验结果是一致的。 相似文献
17.
通过对GexSi1-x/Si超晶格机理的研究,算出了GexSi1-x/Si超晶格红外探测器的最佳结构参数,以对1.3μm红外光有最大的利用率。 相似文献
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GexSi1—x/Si超晶格红外探测器最佳结构 总被引:3,自引:1,他引:3
通过对GexSi1-x/Si超晶格机理的研究,算出了GexSi1-x/Si超晶格红外探测器的最佳结构参数,以对1.3μm红外光有最大的利用率。 相似文献
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本文计算了闪锌矿结构Zn1-xMnxSe光学声子频率随组分X值的改变,计算表明,Zn1-xMnxSe混晶的光学声子属混模行为,在计算中,表征晶格常数改变对力常数影响的物理量,不同混晶应取不同的值。 相似文献
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用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上成功生长了高质量的Zn1-xMnxSe/ZnSe(x=0.16,x=0.14)超晶格结构,用X射线衍身 喇曼散射对其结构,应变分布以及光散射性能进行了研究,江超晶格的总厚度大于最度是格将完全弛豫至一个新的平衡晶格常数,此时在(100)平面,ZnSe阱层受到张应变,而Zn1-xMnxSe垒层受到压变应。从而,导致其喇曼光谱中,ZnSe Zn1-xMnxSe垒 相似文献