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1.
本文报道了Si/Si1-xGex应变层异质结双极晶体管(HBT)交直流特性的仿真结果.通过用叠代法求漂移-扩散方程的数值解,确定器件的直流特性.再利用瞬态激励法,求解器件的交流特性参数.将基区Ge摩尔含量x为0.2、0.31的HBT的模拟结果分别与有关文献报道的实验结果进行了比较,两者的结果符合良好 相似文献
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GexSi1-x合金基区异质结晶体管模拟器——GSHBT 总被引:1,自引:0,他引:1
基于有限差分法开发了一个GexSi-x合金基区异质结晶体管(GexSi-xHBT)模拟器GSHBT。通过解释一组输入语句,GSHBT可模拟任意掺杂分布和锗分布的GexSi-xHBT的直流特性、频率特性和器件的内部图像。文中描述了GSHBT的特点和使用方法,阐述了进行器件特性分析的数值方法,并给出了应用实例。 相似文献
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本文介绍了在电阻率为(77~300)kΩ·cm的n型(111)Si衬底上用LPE法生长高质量Si1-XGex单晶薄层(其厚度一般为1~3μm)的生长条件,并对引入的缺陷进行了TEM研究,结果表明其缺陷密度和用MBE及超高真空CVD法生长的同样厚度和组分的Si1-xGex薄层的缺陷密度相等甚至更低.霍尔迁移率μH与温度有μH∝Tm的关系,(在T=80~300K时,m=-0.95).当x>0.85时,μH的测量值和由Krishnamurthy计算的理论值相符,x<0.85,测量值仅为理论值的70%.由Bi杂质 相似文献
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给出了适用于分析复杂结构HBT的电荷传输延迟时间及截止频率的电荷分配模型(CP)。模拟了Si/SiGeHBT的高频特性。模拟结果显示Si/SiGeHBT的频率特性较SiBJT大为改善,而基区及集电结SCR区的电荷输运时间将成为提高Si/SiGeHBT截止频率的主要制约因素。与实验报道的对比证实了本模型可作为优化器件设计的有效手段。 相似文献
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用GexSi1-x/Si亚稳材料在高温下制作了光波导,它的传输损耗为0.8dB/cm,比低温工艺的0.5dB/cm稍大。并发现GexSi1-x/Si材料的大量失配位错的一些有趣的现象。 相似文献
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用GSMBE技术在国内首次研究了应变Si1-x Gex/Si异质结材料的生长,并用X射线双晶线双晶衍射技术对样品进行了测试分析,对于Si0.91Ge0.09和Si0.86Ge0.14单层,其半宽度FWHM分别为100〃和202〃,对于Si0.89Ge0.11/Si多量子阱,其卫星峰多达15个以上,三种样品中的GeSi外延层干涉条纹清晰可见,结果表明,用GSMBE技术生长的Si-xGex/Si异质结 相似文献
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用GexSi1-x/Si亚稳材料在高温下制作了光波导,它的传输损耗为0.8dB/cm,比低温工艺的0.5dB/cm稍大。并发现GexSi1-x/Si材料的大量失配位错和一些有趣的现象。 相似文献
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应变Si1—xGex层材料和Si/Si1—xGex器件物理参数模型 总被引:4,自引:0,他引:4
Si/Si1-xGex异质结系统已成功地应用于高速数字、高频微波和光电器件中。对这些器件进行理解和分析时,往往受到应变Si1-xGex材料参数缺乏的制约。本文建立和给出了常温和低温下重要应变Si1-xGex层材料和Si/Si1-xGex器件物理参数模型,对Si/Si1-xGex异质结器件的理解、研究和设计有重要的实际意义。 相似文献
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本文介绍了电子束蒸发二氧化硅薄膜的工艺方法,影响蒸发二氧化硅薄膜质量的因素,以及用于Si/Si1-xGexHBT的结果。 相似文献
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用二次离子质谱对As+注入Si1-xGex的快速退火行为进行了研究,Si1-xGex样品中Ge组分分别为x=0.09,0.27和0.43,As注入剂量为2×10^16cm^-2,注放能量为100keV,快速退火温度分别为950℃和1050℃,时间均为18秒,实验结果表明,Si2-xGex样品,As浓度分布呈组分密切相关,Ge组分越大,As扩散越快,对于Ge组分较大的Si1-xGex样吕,Asdispla 相似文献
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对1.55μm波长的Si1-xGex光波导开关和Si1-xGex/Si红外探测器的集成结构进行了系统的理论分析和优化设计。设计结果为:(1)对Si1-xGex光开关,Ge含量x=0.05,波导的内脊高、脊宽和腐蚀深度分别为3,8.5和2.6μm,分支角为5~6°。要实现对1.55μm波长光的开关作用,pn+结上所需加的正向偏压值应为0.97V;(2)对Si1-xGex/Si探测器,Ge含量x=0.5,探测器由23个周期的6nmSi0.5Ge0.5和17nmSi交替组成厚度为550nm,长度约为1.5~2mm的超晶格,内量子效率达80%以上。 相似文献
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《微纳电子技术》1995,(5)
用一种简练的异质结双极晶体管(HBT)模型来模拟SiC基双极晶体管的高频和大功率特性。研究了一种外壳温度在27℃(300K)到600℃(873K)下的6H-SiC/3C-SiCHBT。将其高频大功率特性与AlGaAs/GaAsHBT作了比较。不出所料,欧姆接触电阻限制了SiCHBT的高频性能。现在看来,在SiC上只能可靠地产生1×10 ̄(-4)Ω-cm ̄2的接触电阻。所以f_T和f_(max)的最高实际值仅分别为4.4GHz和3.2GHz。但假定发射极、基极和集电极的接触电阻低到1×10 ̄(-6)Ω时,则6H/3CSiCHBT的f_T和f_(max)分别可达到31.1GHz和12.76Hz。 相似文献
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利用卢瑟福背散射(RBS)、X光电子谱和俄歇电子能谱分析,研究了Si0.5Ge0.5合金在1000℃下湿氧化所生成的氧化物的特征。结果表明:这种氧化物为双层结构。靠近表面的一层为(Si,Fe)Ox混合层,在其下面是纯的SiOx层,Ge被排斥并积在SiOx/Si0.5Ge0.5界面附近。 相似文献
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对1.3μm和1.55μm波长的Si1-xGex波长信号分离器(WSD)和Si1-xGex/Si应变超晶格(SLS)红外探测器的集成结构进行了系统的分析和优化设计.优化结果为:(1)对Si1-xGexWSD,Ge含量x=0.05.波导的脊高和腐蚀深度分别为3μm和2.6μm.对应于λ1=1.3μm和λ2=1.55μm波长的波导脊宽分别为11μm和8.5μm.(2)对Si1-xGex/SiSLS探测器,Ge含量x=0.5.探测器的厚度为550nm,由23个周期的6nmSi0.5Ge0.5+17nmSi组成. 相似文献
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Si/SiGe/Si HBT的优化设计 总被引:2,自引:0,他引:2
给出了常温和低温Si/SiGe/SiHBT的设计原则,并进行了讨论。指出了低温和室温HBT设计上的差异。这些原则可用于设计特定要求的Si/SiGe/SiHBT。 相似文献