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1.
超薄SiO2膜经快速热处理后,电特性得到了改善,本研究用超薄RTPSiO2膜制作MOS电容,h-NMOSFET中介栅介质层及FLOTOX-E^2PROM中作隧道氧化层,取得了一些实验结果,从结果中可以看出具有实有价值。 相似文献
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(Na1/2Bi1/2)TiO3—SrTiO3无铅压电陶瓷的介电,压电性能 总被引:17,自引:2,他引:15
研究了(Na1/2Bi1/2)TiO3-SrTiO3二元系无铅压电陶瓷的介电、压电性性。Sr^2+的引入对NBT材料的常温介电系数、铁电相与反铁电相转变温度TFA(180℃)以及居里温度TC(300℃)的影响都不大,但却较大幅度地降低了NBT材料的高顽场,从而使极化相对容易。(Na1/2Bi1/2)TiO-SrTiO3二元系的压电性能参数d33和kt分别达到100pC/N和0.45。 相似文献
3.
关于NO氮化SiO2超薄栅介质膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了采用NO快速热氮SiO2 方法制备超薄栅介质并初步制备出约5nm超薄栅的MOS电容和约6nm超薄 NMOSFET,NO氮化改善了超薄SiO2膜的性能。 相似文献
4.
分析研究了用注F工艺制作的CC4007 电路电子和X射线辐照响应结果。实验表明,把适量的F注入栅场介质,能明显抑制辐射所引起的PMOSFET 阈电压的负向漂移和NMOSFET阈电压的正向回漂及静态漏电流的增加。I-V特性表明,栅介质中的F能减小辐射感生氧化物电荷和界面态的增长积累。注F栅介质电子和X射线辐照敏感性的降低,是Si-F结键释放了Si/SiO2 界面应力,并部分替换在辐照场中易成为电荷陷阱的Si-H弱键的缘故。 相似文献
5.
制备出6~7nm超薄栅NMOSFET。通过对器件性能的研究发现,适当条件下N2O制备的超薄SiOxNy膜比SiO2膜更适合ULSI的应用。 相似文献
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WSi_2栅和Si栅CMOS/BESOI的高温特性分析 总被引:1,自引:0,他引:1
用厚膜BESOI(BondingandEtch-backSilicon-On-Insulator)制备了WSi2栅和Si栅4007CMOS电路,在室温~200℃的不同温度下测量了其P沟、N沟MOSFET的亚阈特性曲线,分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系。 相似文献
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衬底温度对VUV光直接光CVD SiO2/Si界面缺陷的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了VUV(真空紫外)光直接光CVD(化学汽相淀积)SiO2/Si界面微结构缺陷与衬底温度(Ts)的关系。实验结果表明:在32℃ ̄180℃的温度范围内,与Si-O-Si伸缩模相对应的IR峰位随Ts的降低从1060cm^-1增加到1080cm^-1。固定氧化物电荷密度(ΔNot)在Ts〉120℃后,呈正电性,与位于3.10eV的氧空位缺陷相关;在Ts〈100℃一侧,呈负电性,与2.84eV能级位置 相似文献
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刘钟毅 《电子产品可靠性与环境试验》1998,(1):26-32
本文建立了在高电场F-N隧穿注入条件下,MOS结构SiO膜中包含陷阱产生现象的陷阱化动力学方程。由这些方程导出若干结果;并这些结果,提出了确定SiO膜内陷阱特性参量的分析方法。也简单讨论了二氧化硅膜内几各不同类型陷阱。 相似文献
11.
在71—163K的不同稳定温度下,对GaAs-Al0.3Ga0.7As调制掺杂异质结构界面的光激发过剩电子的浓度,作了10-5-103秒时间范围的瞬变测量.一个包含了热声子辅助隧穿,Si掺杂的AlxGa1-xAs层DX中心俘获势垒分布和隧穿后电子的能量弛豫过程的理论计算可以定量地解释实验结果. 相似文献
12.
本文描述了用自对准工艺制备自对准结构的αSi:H TFT。从理论上分析了有源层α-Si:H的厚度对α-Si:H TFT特性的影响,据此提出一种新型的双有源层结构的α-Si TFT。它可以有效地提高自对准αSi:H TFT的开态ION,其通断电流比ION/IOFF>10^5。 相似文献
13.
利用低温(77-295K)短沟NMOSFET准二维解析模型,研究了77-295K温区NMOSFET衬底电流相关的物理机制。发现沟道电子平均自由程不随温度而改变,其值约为7.6nm;低温下虽然沟道电子在漏端获得较高的能量,但由于碰撞电离减弱,使NMOSFET的衬底电流不随温度降低而显著增长。实验结果证明,提出的衬底电流机制和模型适用于77-295K宽温区范围。 相似文献
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15.
采用高频(1MHz)C-V测试和红外谱,研究了工艺参数对XC激发真空紫外光直接光CVDSiO2的SiO2/Si界面特性的影响。结果表明,衬底温度Ts对固定氧化物电荷密度△Not、慢界面态密度△N的影响比反应室总气压PC和SiH4/O分压比显著。△Not和△Nst在110℃附近有极小值。约为10^10cm^-12量级。Ts〉120℃,△Not呈正电荷性,Ts〈110℃,△Not呈负电荷性,Si-O- 相似文献
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多晶硅栅光刻前后注F对MOS器件辐射特性的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
分析研究了H2+O2合成栅氧化、多晶硅栅光刻前后注F和P的沟和N沟NOSFET,在最劣γ辐照偏置下的阈电压和Ids-Vgs亚阈特性的辐射影响应。结果表明,多晶硅栅光刻前注F比光刻后注F和未注F,具有更强的抑制辐射感生氧化物电荷积累和界面态生长的能力。其辐射敏感性的降低可能归结为SiO2栅介质和Si/SiO2界面附近F的浓度相对较大以及栅场介质中F注入缺陷相对较少所致。 相似文献
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