积层陶瓷电容器

C3216／C3225系列陶瓷电容通过优化内部电极结构,取得优异的AC耐压特性,从而在原有的直流耐压基础上,保证了交流耐压特性。同时,该产品在额定电压为DC 630V的情况下拥有2种形状（即3216尺寸和3225尺寸）,3216尺寸的容量范围为1．0～15．0nF,     

积层陶瓷电容器

C3216／C3225系列陶瓷电容通过优化内部电极结构，取得优异的AC耐压特性，从而在原有的直流耐压基础上，保证了交流耐压特性。同时，该产品在额定电压为DC 630V的情况下拥有2种形状（即3216尺寸和3225尺寸），3216尺寸的容量范围为1．0～15．0nF，     

无源与分立器件

AVX耐高压多层陶瓷电容器AVX推出SQCS系列多层陶瓷电容,具有业界领先的高Q值和低ESR,以及高自谐振频率,采用0603封装。该系列电容可承受电压高达250VDC,电容值范围在0.1pF至100pF之间,工作温度范围在-55℃至+125℃,工作频段为1MHz至10GHz,适用于RF/微波应用中功率放大器、滤波器、低噪声放大器及GPS。SQCS系列电容采用零温度系数介质(NPO),可在大范围温度变化下保持良好性能。取决于批量及误差等级,单价在4美分至50美分之间,交货周期为6周。VISHAY新型0.1W表面贴装电阻VishayIntertechnology宣布推出一款新型0.1W表面贴装…     

元器件与组件

符合MIL-PRF-49470规范的电容器AVX公司为其符合MIL-PRF-49470规范的开关电源堆叠式多层陶瓷电容器扩大了电压和电容范围,对原来的50～500V范围添加了25V的电容器。全新25VSMPS的电容器具有     

电容器选用之我见

发烧友们深知电容器在电路中的作用,很讲究电容器的选用问题:分频器和级间耦合电容必须选用聚丙烯金属化无感电容;滤波电容则用“大水塘”电容等。在电容器的选用问题上,耐压值的选用是个重要的问题。而现在的很多扩音机制作的书刊中,有关整流滤波电路上电容器的耐压值的选用问题上,似乎存在一些有待商榷的地方。倒如12V的变压器的整流电路上用16V的滤波电容,18V的变压器的整流电路上用25V的滤波电容,36V的变压器则用     

NIC薄膜芯片电容稳定性高，容值为100pF至0．22μF

NIC Components公司推出NSHC系列薄膜芯片电容。该器件采用堆栈式金属聚丙烯硫化物(PPS)薄膜结构，有利于获得稳定的性能。据该公司介绍，此系列电容可替代性能相对不太稳定的Ⅱ类多层陶瓷电容(MLCC)。NSHC系列电容提供标准的EIA 0603、0805、1206、1210、1913和2416等规格，电容值在100pF至0.22μF之间，电压值为16Vdc或50Vdc。     

安捷伦科技面向20 GHz～40 GHz广播和卫星应用推出表面封装毫米波放大器

安捷伦科技(Agilen tTechnologies,Inc.)进一步扩大其毫米波(m m W)集成电路产品系列,增添在20GHz～40GHz频率范围内工作的低成本表面封装放大器。新产品系列包含7种器件:安捷伦AMMP-6231是一款高性能的低噪声放大器,适合18GHz～30GHz的接收链路,并集成了输入/输出隔直电容、偏压抗流器(CHOKE)以及自偏压单电源;AMMP-6345和AMMP-5040是为20GHz～45GHz宽带应用开发的驱动器放大器;AMMP-5024是一个在100MHz～40GHz频率下工作的行波放大器;AMMP-6425和AMMP-6430是两款适用于18GHz～30GHz的高性能1瓦功率放大器,面向点对…     

2～40GHz检波对数视频放大器系列

南京电子器件研究所于1997～1999年分别研制了2～8GHz、8～18GHz、18～26.5GHz、26.5～40GHz检波对数视频放大器系列(简称DLVA)。该产品主要包括射频放大器、检波器和对数视频放大器。具有体积小、动态范围大、频带宽、对数精度好、窄脉冲至连续波范围工作等优点。实现了小批量化生产,该系列产品已用于多种电子系统的接收机上。典型指标为:　　频率范围:8～18GHz　　　　对数精度:±1.5dB动态范围:-65～+10dBm脉冲宽度:50ns～CW对数斜率:50mV/dB前沿:25ns2～40GHz检波对数视频放大器系列…     

新型电荷泵稳压电源MAX5008

<正> MAX5008是 MAXIM 公司最新推出的一种输入电压为2.95～5.5V,输出稳压的电压5V、输出电流可达125mA的电荷泵稳压电源电路。该器件主要特点:有短路保护;输出电流可设定(即输出电流可限制);有关闭电源控制,在关闭状态时耗电0.1μA;开关频率1MHz,所有电容可用小尺寸贴片式多层陶瓷电容;有过热保护;在输出有过流或输出电压超过稳压范围时,有故障信号输出;工作温度范围0～70℃;小尺寸10引脚μMAX 封装。该器件组成的5V 稳压电源主要应用于闪存电源、电池供电有系统、3V 转换成5V 的电压转换器等。     

可重构的低温共烧陶瓷电容高频等效电路模型

低温共烧陶瓷电容元件在微波多芯片组件设计中具有重要地位,其模型是系统仿真的关键.根据电容的物理结构特点,提出了一个可重构的高频电容模型,并给出其模型参数的计算公式.最后用ADS对双层电容和四层电容等效电路模型的S参数和用三维电磁场仿真软件的仿真结果做了对比,结果表明,其双层电容等效电路模型可以准确到4 GHz,其四层电容等效电路模型可以准确到2 GHz.采用等效电路的仿真时间比三维电磁场仿真软件约快60倍.     

添加V_2O_5对Mg_4Nb_2O_9微波介质陶瓷性能的影响

采用固相反应法制备了Mg4Nb2O9微波介质陶瓷,研究了添加V2O5对其烧结温度、微观结构和介电性能的影响。结果表明:当添加0.5%(质量分数)的V2O5时,Mg4Nb2O9陶瓷的烧结温度从1350℃降低到1150℃,烧结温度范围拓宽为1150～1300℃;在1150℃烧结5h后,其介电性能达到最佳:εr=11.86,Q·f=99828GHz(11.2GHz),τf=–57×10–6/℃(10～90℃,1MHz)。当w(V2O5)增大到1.5%时,Mg4Nb2O9陶瓷的介电性能变差。     

最小的陶瓷微调电容器

美国一家公司最近推出了Tusonix VARI薄片系列513型超微陶瓷微调电容器,尺寸仅为0.196×0.080(英寸),据称在同类型电容器中这是最小的一种。这种超小型微调电容器,直流工作电压可达到100V,电容范围为1～5pF和7～40pF。     

集成电路

低漂移RF功率检测器用于手机的射频(RF)功率检测器AD8312的动态范围为45dB,能够测量50MHz～2.7GHz工作频率范围的信号,并在整个-40℃～+85℃温度范围内提供精确、温度稳定的性能,其测量精度为±1dB。AD8312的高灵敏度允许测量小功率水平的信号,从而降低了对检测器的耦合功率。该器件采用6引脚1mm×1.5mm圆片芯片级封装,2.7～5.5V单电源,并且具有4.5mA功耗电流。ADIhttp://www.analog.com开关和多路复用器ADG12xx系列开关和多路复用器的每通道关断电容为2pF,导通电阻为120Ω;ADG14xx多路复用器的关断电容为15pF,导通电阻为5Ω,从…     

高性能硅基MOS电光相位调制器

提出了一种SOI新型MOS电容型电光调制器.与普通单一电容型MOS调制器相比,由三层栅氧化层形成的新型MOS电容型调制器提高了调制效率.模拟显示,调制电压和调制长度乘积为VπLπ=2.4V·cm,上升和下降时间分别为80和40ps,带宽达到了8GHz.通过减小器件尺寸能进一步提高调制效率和调制速度.     

高性能硅基MOS电光相位调制器

提出了一种SOI新型MOS电容型电光调制器.与普通单一电容型MOS调制器相比,由三层栅氧化层形成的新型MOS电容型调制器提高了调制效率.模拟显示,调制电压和调制长度乘积为VπLπ=2.4V·cm,上升和下降时间分别为80和40ps,带宽达到了8GHz.通过减小器件尺寸能进一步提高调制效率和调制速度.     

一种基于CMOS工艺的低相噪压控振荡器的设计

基于标准CMOS工艺,设计了一款适用于无线通信的基于标准CMOS工艺的频带压控振荡器,该芯片的中心频率2.8 GHz,芯片面积0.5×0.5 mm²,典型功耗为11 mA@3.3 V。测试结果表明,在0.8 V～2.5 V的电压调节范围内,压控振荡器输出频率范围为2.3 GHz ～3.3 GHz,通过电容阵列实现了1 GHz的调谐带宽,在2.8 GHz频率时的典型相位噪声为-81 dBc/Hz@10 kHz,压控振荡器的典型增益为40 MHz/V。     

基于LTCC工艺的低通滤波器设计与实现

为了实现具有高Q值电容电感的小型化滤波器,本文采用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺分别构建了垂直螺旋式电感和垂直直插式电容,利用电容电感的参数提取公式并结合HFSS软件进行优化仿真,获得具有高Q值的电容电感模型,并根据此模型来设计一款DC-500MHz小型化低通滤波器。最终经过实际测试结果表明该低通滤波器性能为：在0~500MHz插入损耗优于-0.5dB,回波损耗优于-18dB,带外抑制在1GHz处有-30dB,在1.5GHz处有-50dB。 关键词：低通滤波器;低温共烧陶瓷工艺;高Q值;小型化     

5Gb/s单片集成GaAs MSM/PHEMT 850nm光接收机前端

采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端,它包括金属-半导体-金属(MSM)光探测器和分布放大器.探测器光敏面积为50μm×50μm,电容为0.17pF,4V偏压下的暗电流小于17nA.分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz～16GHz范围内,输入、输出电压驻波比均小于2;噪声系数在3.03～6.5 dB之间.光接收机前端在输入2.5和5Gb/s非归零伪随机二进制序列调制的光信号下,得到较为清晰的输出眼图.     

高电容密度硅基MIS芯片电容北大核心CSCD

制备了一种3D结构的硅基金属-绝缘层-半导体(MIS)芯片电容,通过深孔结构增大了电容的有效电极面积,从而极大程度地提升了电容密度,在耐压70V下其电容密度高达20nF/mm2,是传统平面MIS电容的50倍,在-55~150℃内其温度系数小于1%。     

“P~+-N结正向势垒电容异常变化”变容管模型的最佳化

用计算机辅助设计,给出P~+-N结正向势垒电容异常变化的变容管模型的最佳值解。据此研制的参放变容管性能为:γ[0.5V,-4V]=0.20～0.27,M=110～160。使用该器件的4GHz常温参放,噪声温度低达35K。