ZrO2的加入对(CeO2)0.86(SmO1.5)0.14陶瓷性能的影响

探讨了添加 ＺｒＯ_２对 ＣｅＯ_２／Ｓｍ_２Ｏ₃体系电导率和力学性能的影响,并用 ＸＲＤ、ＳＥＭ等对材料的微观性能进行了试验分析．结果发现,添加 ＺｒＯ_２使材料的电导率降低,主要是因为ＺｒＯ_２的固清使得ＣｅＯ_２电解质材料的晶格常数减小,活化能增加造成的;添加 ＺｒＯ_２可提高材料的断裂强度,使材料断裂以穿晶断裂为主,其原因可能是ＺｒＯ_２的固溶强化了晶界;添加 ＺｒＯ_２促进了致密烧结,使晶界结合紧密．实验确定,外加 ２．５ｍｏｌ％ ＺｒＯ_２的 ＣｅＯ_２电解质具有适中的强度和电导率,可以作为电解质材料应用．     

ZrO2-Y2O3(CaO)固体电解质的致密化烧结及电性能研究

研究了Ｙ２Ｏ３、ＣａＯ稳定剂及Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２（ＡＳ）添加剂对ＺｒＯ２固体电解质的烧结性能和电特性的影响。结果表明,加入ＡＳ的样品微观结构致密,其相对密度达到９７％。ＡＳ添加剂导致ＺｒＯ２固体电解质的粒界偏析和电导率下降,但是在ＡＳ含量很少时,对ＺｒＯ２的电特性影响不大。     

ZrO2及ZrO2:CdS薄膜的制备和表征

利用ｓｏｌ－ｇｅｌ方法合成了ＺｒＯ２薄膜,并通过在ＺｒＯ２薄膜中复合ＣｄＳ纳米粒子成功地制备了ＺｒＯ２：ＣｄＳ制得的ＺｒＯ２薄膜透明并具有较好的光透射性,而ＺｒＯ２的含量及膜厚是影响其光透射性的主要因素,分散在ＺｒＯ２：ＣｄＳ薄膜中的ＣｄＳ纳米粒子为六方相结构,并具有较好的分散性,其平均尺寸为４～６ｎｍ。实验结果表明,ＺｒＯ２颗粒的晶化会对薄膜的光学豚表面形貌产生影响,但ＣｄＳ的形成可以抑制薄膜表     

ZrO2掺杂对SnO2薄膜电性及气敏性的影响

本研究不用金属醇盐而以无机盐ＳｎＣｌ２．２Ｈ２Ｏ为主体原料，以Ｚｒ（ＯＣ３Ｈ７）４为掺杂剂，无水乙醇为溶剂，采用溶胶－疑胶Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）工艺制备了不同ＺｒＯ２掺杂份量的ＳｎＯ２薄膜，发现ＺｒＯ２薄膜在常温下对Ｈ２Ｓ气体具有较好的气敏性能，同时本文研究了ＺｒＯ２掺杂份量对ＳｎＯ２薄膜导电率及气敏性能的影响。     

Nb2O5对ZTM-Al2O3性能及ZrO2增韧机制的影响

探讨了Ｎｂ２Ｏ５对ＺＴＭ－Ａｌ２Ｏ３的性能和ＺｒＯ２在瓷体中增韧机制的影响。发现Ｎｂ２Ｏ５的引入可明显提高瓷体中ｍ－ＺｒＯ２含量而降低ｔ－ＺｒＯ２含量,材料的机械性能也随Ｎｂ２Ｏ５添加量的增大出现了显著的改善,并且有韧性的平方正比于ｍ－ＺｒＯ２含量的关系,ｍ－ＺｒＯ２含量的增加强化了微裂纹增韧是材料性能改善的原因。     

纳米ZrO2/(1-n)SiO2-nAl2O3介孔复合作的制备与光致发光

采用溶胶－凝胶法和超临界干燥技术制备了（１－ｎ）ＳｉＯ２－ｎＡｌ２Ｏ３（ｎ＝０、０．０１、０．１）混合气凝胶体系，并以此作为载体，成功地将纳米ＺｒＯ２粒子组装到（１－ｎ）ＳｉＯ２－ｎＡｌ２Ｏ３介孔体系中，而形成纳米ＺｒＯ２／（１－ｎ）ＳｉＯ２－ｎＡｌ２Ｏ３介孔复合材料。光致发光光谱研究表明，室温下以３１６ｎｍ（３．９２ｅＶ）波长激发时，纳米ＺｒＯ２粒子５４０ｎｍ（２．３０ｅＶ）荧光峰，在介孔复合体     

复合掺杂氧化铈基电解质电性能及显微结构研究

对Ｓｍ２Ｏ３、ＣａＯ复合掺杂的ＣｅＯ２基固体电解质电导性能和显微结构进行了研究。研究表明，复合掺杂有利于提高氧化铈基材料的电导率。减少Ｓｍ２Ｏ３添加量和加入ＣａＯ有利于试样中晶粒的长大，从而晶界数目较少，这种显微结构的变化可能是导致材料电导率提高的重要因素。     

Nd0.67(Sr,Ca)0.33Mn(O,F)3磁电阻材料的结构与性能

通过掺ＣａＦ２制得了Ｎｄ０．６７（Ｓｒ,Ｃａ）０．３３Ｍｎ（Ｏ,Ｆ）３（ＮＳＭＯ）磁电阻材料,并对它们作了结构分析和磁性能测量。Ｘ射线衍射结果表明,ＮＳＭＯ化合物保持Ｎｄ０．６７Ｓｒ０．３３ＭｎＯ３的钙钛矿结构,空间群为Ｐｂｎｍ,Ｚ＝４,Ｆ＾离子占据８ｄ位置,随着ＣａＦ２掺和量的增加,晶格常数减小,居里温度降低,而磁电阻性质呈明显的递增趋势。     

MgO,CaO,Y2O3掺杂ZrO2相组成的定量分析

以共沉淀法制备了掺杂８ｍｏｌ％ＭｇＯ，ＣａＯ，Ｙ２Ｏ３的ＺｒＯ２粉料，在１５５０℃烧结得到致密的稳定或稳定ＺｒＯ２试样，应用Ｘ射线步长扫描衍射数据和Ｒｉｅｔｖｅｌｄ方法对试样进行了相含量的定量分析，结果表明，相同组份不同金属氧化物稳定的ＺｒＯ２试样在烧结后得到不同的相组成，ＭｇＯ部分稳定ＺｒＯ２为立方、四方和单斜三相混合物（１７：５７：２６：ｗｔ％），ＣａＯ的部分稳定ＺｒＯ２仅包含立方和单斜相（６     

在多工位炉上CeO2:Bi12SiO20单晶生长的研究(Ⅰ)──地面生长实验部分

Ｂｉ_１２ＳｉＯ_２０是一种优质的光折变晶体．但在地面生长掺Ｃｅ：ＢＳＯ晶体时遇到的主要问题是分凝系数远远＜１，导致晶体组分不均匀．本文采用在空间生长掺Ｃｅ：ＢＳＯ晶体的多工位炉进行地面晶体生长，测试了ＣｅＯ_２浓度分布和掺Ｃｅ：ＢＳＯ晶体的透过率，以便同空间生长掺Ｃｅ：ＢＳＯ晶体进行比较．     

La9(SiO4)6-x(VO4)xO1.5+0.5x的合成及其导电性能的研究

利用溶胶-凝胶法低温合成了钒掺杂硅酸盐氧基磷灰石La9(SiO4)6-x(VO4)xO1.5+0.5x(x=0、0.5和1),经XRD表征所得产品为磷灰石相.以电化学阻抗谱研究了其导电性能,V的掺杂使电导率大大提高,700℃时La9(SiO4)5(VO4)O2电导率为5.23×10-3S·cm-1,与未掺杂V的La9(SiO4)6O1.5相比提高了5倍.氧分压Po2=105～1Pa时,La9(SiO4)6O1.5的电导率不改变,而La9(SiO4)5(VO4)O2的电导率则随着氧分压的降低而稍有增加,表明钒的掺杂在体系中引入n型电子导电.     

等离子喷涂制备HA/ZrO2复合涂层

采用等离子喷涂技术,在Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ基体上成功地制备了羟基磷灰石／氧化锆（ＨＡ／ＺｒＯ２）复合涂层,对涂层的微观结构,相组成和结合强度进行了研究,并以模拟体液试验评估涂层的生物活性,结果表明,复合涂层较有较为微观结构,ＨＡ／ＺｒＯ２复合涂层的结合强度明显高于ＨＡ涂层,ＨＡ／６０ｗｔ％ＺｒＯ２涂层的结合强度高达２８．５ＭＰａ,为ＨＡ涂层的２．２倍,复合涂层在模拟体液中浸泡一段时间后,表面覆盖一层     

CeO2-TiO2复合氧化物的制备及其表征

本文以廉价的无机盐为原料,采用sol－gel法制备了Ce：Ti（摩尔比）为0．05～0．4：1之间的一系列CeO2－TiO2复合氧化物．利用物理吸附仪,XRD,TEM等手段对复合氧化物的织构和结构性质进行了表征．结果发现：采用无机盐－超临界流体干燥法可制备大孔、高比表面积的CeO2－TiO2复合氧化物,随着CeO2含量从5％增加到40％,复合氧化物的比表面积由67．3m2·g－1增加到219．4m2·g－1;物相由锐钛矿转变为无定形;粒体的粒径、形貌也随之变化,由颗粒状逐渐变为网络结构．而与超临界流体干燥得到的气凝胶相比;采用普通干燥法制备得到的复合氧化物具有较低的孔体积和比表面积,颗粒间团聚较严重,但无“孤岛”状大颗粒,晶相为无定型结构．     

包覆型ZrO2(3Y)粉体研制

用微波法制备单分散、纳米水合二氧化锆，利用异相成核工艺在水合二氧化锆粒子表面均匀包覆一层Y（OH）₃，制备出包覆型ZrO₂（3Y）粉体先驱体．最后对煅烧ZrO₂（3Y）粉体进行相结构分析，发现在室温下包覆型ZrO₂（3Y）粉体中无m－ZrO₂存在．结果表明；利用包覆的方法能将Y₂O₃均匀地加入到ZrO₂中，提高ZrO₂（3Y）粉体中亚稳定t－ZrO₂的含量．     

Y2O3-SnO2常温气敏薄膜的Sol-Gel制备及性能研究

以无机盐ＳnCl2.2H2O,Y(NO3)3.6H2O为原料,无水乙醇为溶剂,采用溶胶－凝胶工艺制备了Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳnO２薄膜,采用差热－失重分析研究了Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳnO2干凝胶粉末的热分解、晶体过程。研究了Ｙ２Ｏ３－ＳnO2薄膜的电学和气敏性能,从实验中得到了Ｙ２Ｏ３掺杂份量对ＳnO2薄膜电学及气敏性能的影响。实验表明Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳnO2薄膜在常温下对ＮＯx具有较好的灵敏度的选择性,并具有较好的响应恢复性能,在常温下对Ｈ２Ｓ气体也具有一定的灵敏度。     

铁、铬离子掺杂对TiO2薄膜光催化活性的影响

采用溶胶-凝胶法在釉面砖表面制备了均匀的TiO2薄膜,并研究了铁、铬离子掺杂对TiO2光催化性能影响。对罗丹明B的光降解实验表明,适量的铁、铬离子掺杂均可提高TiO2薄膜的光催化活性,铁离子的掺杂效果明显高于铬离子,而铬离子的掺杂方式影响TiO2薄膜的光催化活性,这主要基于它们不同的掺杂机理。     

Nd:GdxY1-xCa4O(BO3)3晶体的生长及其光谱性能研究

利用熔体提拉法生长了大尺寸,高质量的新型激光自倍频晶体Nd:GdxY1-x(Ca4O(BO3)3(简称Nd:GdYCOB),对Nd:GdYCOB晶体的XRD衍射图进行指标化,得到它的晶胞参数为a=8.080A;b=16.016A;c=3.538A,β＝101．18,μ＝491．1A3,对取自不同部位的晶体粉末进行ICP原子发射光 分析表明晶体整体组份均匀一致,根据熔体和晶体粉末的ICP数据计算,Nd:GdYCOB晶体中Nd3 的分凝系数为0．63,首次报道了Nd:GdYCOB晶体200－3000nm室温透过光谱和室温荧光光谱及荧光寿命,室温透过光谱表明Nd:GdYCOB晶体的紫外吸收边在－220nm,具有很宽的透光波段（－220－2700nm);Nd:GdYCOB晶体在800nm附近存在很强的吸收,适合于LD泵汪,为光光谱表明Nd:GdYCOB晶体是一种很有潜力的RGB（red,green,blue)激光自倍频晶体,掺杂4％,5％ Nd:GdYCOB晶体的荧光寿命分别为105us和100us。     

Electrical conductivity and defect structure of CeO2-ZrO2 mixed oxide

The electrical conductivity of CeO₂-ZrO₂ system was measured as functions of the temperature and oxygen partial pressure and of the composition. The ionic conduction was prevailing in the ZrO₂ rich phase due to the increase of ionic defect concentration via homovalent doping effect. The enhancement of n-type electronic conductivity was observed in intermediate and CeO₂ rich phase compared with pure CeO₂, which originated either from homovalent doping effect or increase of electronic mobility due to the change of transport mechanism.