共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
本文利用卢瑟福背散射及沟道(RBS/C)技术,二次离子质谱(SIMS)技术等研究了MeVSi离子束轰击对BF2注入Si样品特性的影响.结果表明,退火后在BF2注入形成的PN结结区内仍有大量的二次缺陷.退火前附加一次MeVSi离子轰击可以有效地消除BF2注入区内的二次缺陷,抑制B原子的扩散,并提高B原子的电激活率. 相似文献
2.
本文用椭圆偏振光谱法研究了低温(77K)、中等能量(147keV)、剂量分别为3×1013及4×1013ions/cm2的BF2+分子离子注人Si的损伤及退火效应.根据样品椭圆偏振参数与C-Si的比较确定退火后晶格恢复的程度.结果表明,椭偏测量是研究分子离子注入Si的有用工具;BF注入硅样品的退火转变温度在500℃以下;并获得在某些实验条件下的最佳退火温度和最佳退火时间。 相似文献
3.
4.
本文报告了硅中注入大剂量O^+或N^+离子形成SIMOX或SIMMI的物理效应及计算机模拟结果;分析了SIMOX与SIMNI形成的不同机制,在注氧形成SIMOX结构的计算机模拟程序的基础上发展了注氮形成SIMNI结构动态模拟程序。实验与模拟结果符合很好,验证了现有的理论模型和程序所作的假设。多次注入与退火会减小SIMOX上层硅厚度,而增大SIMNI的上层硅厚度。低能注入可以获得良好的SOI材料,而 相似文献
5.
借助SIMS、AES、RBS和TEM对Be注入InSb的快速热退火特性进行了深入的研究.Be注入能量为100keV,注人剂量为5×1014cm-2.快速热退火温度范围为300—500℃,退火时间为30—60秒.结果表明,快速退火后,Be注入分布剖面的内侧不存在再分布,但峰值浓度有不同程度的降低,表面存在Be的外扩散.350℃退火,Be注入InSb的晶体损伤基本消除,InSb表层不存在化学配比的偏离.退火温度超过350℃,InSb表层发生热分解,产生Sb的耗尽,形成由In、Sb及其氧化物组成的复杂结构. 相似文献
6.
7.
本文采用SIMS、TEM、RB等测试手段,分析了注入剂量改变对SIMOX(SeparationbyIMplantedOXygen)材料顶层硅和埋氧化层微结构的影响,研究结果表明,注入剂量低至0.6x1018O+/cm2时,经过1300℃,6小时的高温退火过程,能形成界面清晰的三层结构,得到高结晶度的表面硅层,埋氧化层中存在尺寸较大的硅岛;标准注入剂量(1.8x1018O+/cm2)形成的SIMOX材料表层硅出现明显的缺陷,分析结果表明,注入过程中表面存在的缺陷经高温退火后仍有部分残留,成为最终材料表面缺陷的原因之一;形成低表面缺陷和高绝缘性能埋氧化层的优化注入剂量在注入能形成连续氧化物的临界注入剂量左右。 相似文献
8.
9.
研究了Zn~+离子注入p-GaP半导体所引起的缺陷。在电流密度为0.03μA/cm~2下,将注入Zn~+离子剂量为1×101~(14)离子/厘米~2的GaP样品腐蚀出蚀坑后用SEM观察,结果表明,在离子注入区域有缺陷形成。 相似文献
10.
砷离子注入的GeSi合金中沉淀相的研究范缇文(中国科学院半导体材料科学实验室,北京100083)杂质在GeSi合金中的扩散和沉淀过程仍是目前尚待进一步研究的课题。比如,作为GeSi合金的主要掺杂剂的元素砷以离子形态注入GeSi合金再经热退火,发现其中... 相似文献
11.
12.
13.
用二次离子质谱(SIMS)分析了低能注放(150keV)砷在体材料碲镉汞中的分布和注入砷原子在碲镉汞中的热扩散情况,砷在碲镉汞中的分布表现出复杂的多元扩散机制。在缺陷密度(EPD)比较低的碲镉汞材料中,砷扩散的主体符合恒定扩散系数的有限源扩散模型,呈现出浓度随深度的高斯分布。而在缺陷密度比较大的碲镉汞材料中,砷的分布呈多段指数型分布,表面出更复杂的多机制扩散特性。 相似文献
14.
用二次离子质谱对As+注入Si1-xGex的快速退火行为进行了研究,Si1-xGex样品中Ge组分分别为x=0.09,0.27和0.43,As注入剂量为2×10^16cm^-2,注放能量为100keV,快速退火温度分别为950℃和1050℃,时间均为18秒,实验结果表明,Si2-xGex样品,As浓度分布呈组分密切相关,Ge组分越大,As扩散越快,对于Ge组分较大的Si1-xGex样吕,Asdispla 相似文献
15.
实验证实了氩离子注入硅表面后在氧化时引起氧化增强效应;在硅表面注入氩离子后,将注入与非注入样品在温度1000℃的炉体中进行干氧、湿氧生长SiO_2,用膜厚测试仪测二氧化硅层的厚度;结果表明,在相同氧化条件下,氩离子注入样品的氧化层膜厚大于非注入样品的氧化层膜厚度。 相似文献
16.
BF2^+注入多晶硅栅的SIMS分析 总被引:1,自引:0,他引:1
文本采用SIMS技术,分析了BF2^+注入多晶硅栅退火前后F原子在多晶硅和SiO2中的迁移特性,结果表明,80keV,2×10^15和5×10^15cm^-2BF2^+注入多晶硅栅经过900℃,min退火后,部分F原子已扩散到SiO2中,F在多晶硅和SiO2中的迁移行为呈现不规则的特性,这归因于损伤缺陷和键缺陷对F原子的富集作用。 相似文献
17.
在大剂量氧注入硅形成SIMOX(SeparationbyIMplantedOXygen)的物理过程分析基础上,根据单原子衬底注入过程中溅射产额与核阻止本领的本质联系,首次得到O+对硅表面溅射产额与注入能量的简洁关系式,同时提出埋SiO2中的氧将主要向上界面扩散,排除了以前的作者在研究SIMOX材料各层厚度时采用拟合参数引起的计算不确定性.在考虑了主要的大剂量注入效应,如体积膨胀、表面溅射、氧在SiO2内的快速扩散等,得到氧在硅中的深度分布,经过超高温退火,认为氧硅发生完全的化学分凝,据此设计出快速计算大剂 相似文献
18.
综述了离子束科学技术领域新的重要进展--从作为半导体掺杂手段的低剂量离子注入到高剂量离子注入合成新材料的离子束合成技术,讨论了高剂量注入的物理效应,介绍了利用高剂量氧注入硅合成SIMOX材料的物理过程以及SIMOX技术的多种应用,提出了提高SIMOX材料性能的各种途径。 相似文献
19.
20.
本文报道Si+注入InP材料与AuGeNi合金和W金属膜的欧姆接触特性.发现Si+单注入样品与二者均形成较好的欧姆接触,共P+注入的样品中比接触电阻则大大下降(约小一个数量级).卢瑟福背散射分析表明,600℃热处理后W金属膜与InP界面作用很小,而800℃热处理后界面有一定的互扩散. 相似文献