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片式电阻器已成为电阻器市场的主流产品,尽管短期内它还不能取代传统的引线电阻器,但它在电阻器中所占的份额却在急速上升,1996年,日本固定电阻器中片式电阻器已占了86%。厚膜、薄膜、金属膜、金属箔等不同电阻芯子的低阻片式电阻器也纷纷上市。市场对高阻、低阻和高压片式电阻器的需求在扩大,电阻器的尺寸也在不断缩小。继1×0.5mm产品商品化后,0.6×0.3mm款式也已上市,并将进入批量生产。由2、4、8个1005型片式电阻器构成的电阻网络也已有市售产品。目前,制造商已在开发阻值高达10MΩ的1005 相似文献
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导致金属氧化膜电阻器失效的主要因素是膜层结构变化、电解和接触部分老化。为了减少失效,改善电阻温度系数α,在生产实践中控制工艺参数及关键工序(镀膜、热处理、刻槽、涂漆)的质量,其中重点是镀膜。通过调整镀膜靶材,H靶:α从大于150×10-6℃-1调整在±60×10-6℃-1之内;F靶:α从大于200×10-6℃-1调整在±120×10-6℃-1之内,提高了金属氧化膜电阻器的可靠性。 相似文献
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介绍一种体积小、性能稳定的特高阻电阻器的研制过程及其性能。电阻器阻值范围 :1~ 10 0 GΩ ;αR:(- 40~ - 90 0 )× 10 - 6 ℃ - 1 ;体积 :5 mm× 12 mm× 2 mm。 相似文献
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为实现电子产品的高可靠和小型化,目前仍普遍使用的有引线元器件及其插入式安装方法,已逐渐被片状式元器件(SMC、SMD)和与之适应的表面安装技术(sMT)所代替。在我国SMT装配日益发展,现正经历着由八十年代初期的技术材料设备引进,发展到逐步实现其国产化和不断创新阶段。为了更好地促进国内SMT的技术进步,现将我厂在CCD摄像机生产中SMT应用情况作如下介绍,以供参考。 1 SMT的装配程序我厂生产的CCD5670型摄像机较多地使用了0805封装规格尺寸2×1.25,1206封装规格,尺寸3.2×1.6的LCR(电感—电容—电阻)片状元件 相似文献
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MF Electronics公司推出了一种超小型的表面安装陶瓷封装。这种封装可靠性高,能够嵌入具有不同规格的高性能振荡器,如固定频率的时钟振荡器和压控晶体振荡器。该公司设计的T型无引线陶瓷封装,尺寸为5(宽)×7(长)×2(高)mm,与现有的表面安装振荡器的封装尺寸相比,大约只有四分之一。是目前市场上能买到的最小尺寸的封装。 相似文献
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近年来,国外片状电子元件的生产发展迅猛,品种不断扩大,广泛用于各种消费类电子产品中。本文主要介绍日本近期生产的几种无引线薄膜电容器、可变电阻器、电感器、压电谐振器、陶瓷滤波器等片状电子元件的结构、制法和主要性能。 相似文献
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《电子产品世界》2001,(19)
恒流和恒压电路是众所周知的。本文给出恒瓦数电路(见图1)。此电路依赖于负载和感测器电压之间的倒数关系。编程电阻器确定所供给的瓦特数。本设计围绕1V考虑。假定负载是100Ω而所希望的恒瓦数是0.01W。调整器关系是1/N×N=1V,即基准电压是1V。在Y的输入电压用N表示。最后所得到的输出是:(1/N+N)V。为了求得编程电阻器,需要知道负载电压1/N,编程电阻器是0.01负载或100Ω。因此A×A×100=0.01W,其中A为0.01(电流),负载电压为100×0.01=1V。编程电阻器电压N为1/1V,即1V。电流是共同的,所以编程电阻器是1V/0.01,或100Ω。在这种… 相似文献
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本文叙述了滴水氧化加三氯乙烯处理方法及测量结果。所制备的厚为4000埃的氧化层中氧化层净电荷密度接近或低于1×10~(10)个/cm~2,界面态密度在3×10~(10)个/cm~2.ev左右;可动电荷数低于2×10~(10)个/cm~2。采用本方法基本上抑制了氧化感生堆垜层错的形成。 相似文献
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《今日电子》2003,(7)
更小型耐用的QFN封装采用16引脚无引线四方扁平(QFN)封装的Gigacomm器件额定温度为-40~+85℃,尺寸为3mm×3mm,比倒装球栅阵列(FCBGA)封装减少44%。QFN的结温为每瓦功耗55℃。ON Semiconductorhttp://www.onsemi.com适应恶劣环境的外壳PN系列外壳外满足NEMA 4x应用而进行了设计和制造,可以抵御潮湿、灰尘和腐蚀性环境。有3.94×3.94×2.17英寸3到7.87×5.91×2.95英寸3的各种尺寸,由淡灰色或透明的聚碳酸酯,或深灰色的ABS塑料制成。配有透明坚固的盖子,采用ABS塑料的外壳适用于室内使用。Bud Industrieshttp://www.budind.com… 相似文献
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在信息通信设备领域,技术正在向高频、高速信号处理及数字化发展,电路元件也朝着与之相应的方向进展。分立元件在适应高密度表面贴装技术的同时,正在向极小片状发展。为了适应整机增强功能的要求,具有多种功能的组件也品种繁多;各公司在适用于多媒体发展的信息通信元件开发方面,也着实下了很大功夫。极小片状元件电阻器、电容器及电感器等电路元件,在信息通信设备中使用的都是片状元件,现在又继续小型化向极小片状元件发展,而且品种不断增多。片状电阻器,其通用厚膜型和高精密级薄膜型的尺寸,都已经达到了1×0.5mm,进一步… 相似文献
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1.表面安装技术(SMT) 为满足电子产品朝密集性、高性能发展的趋势,制造用于安装精密元件的小型印制板已十分必要。表面安装技术使这种产品装配趋于高密度成为可能。 表面安装元件引线水平向外伸出,而离散元件的引线是垂直向下伸出,如图1所示。一般说来,用于表面安装的印制板有许多元件粘结盘,叫“片状焊盘”(chip pads)。表面安装元件的引线在这种焊盘上实现焊接。 相似文献
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<正> 电感器是电子线路中三大无源器件之一。随着表面安装技术的发展,各种片状(贴片式)电感器应运而生。片状电感器是用新型磁性材料、精密薄膜工艺及自动化绕线设备制造的,所以不仅具有极小的尺寸(1μH的体积为1.2×2×0.8mm,1000μH的体积为2.5×3.2×2.5mm),而且还有良好的性能以满足不同工作频率及工作电流的要求。尺寸小的好处是安装密度高,分布电容小。采用自动化设备生产后,片状电感器质量稳定,成本低廉。 片状电感器大部分用于无绳电话、蜂窝电话、汽车电话等高频无线通信设备及高频测试仪器,小部分用于音频—视频设备、计算机软盘驱动器和硬盘驱动器、DC/DC变换器中滤波用的扼流圈等。 相似文献
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本文首次报道了高掺杂沟道的GaAs MIS SB FET.在S.I.GaAs衬底上用离子注入Si,同时形成高浓度、超薄的有源层和欧姆接触区,载流子峰值浓度为 0.5-1×10~(13)cm~(-3).在Al栅和GaAs有源层间有一层用阳极氧化制备的自身氧化膜,厚度10~2A|°.MIS SB FET为双栅器件,栅尺寸 2 × 400 μm. 实验所得 MIS SB FET的夹断电压为4V,零栅偏跨导为 25mS,高于本实验室相似结构常规工艺的 MES FET器件(峰值浓度1-2×10~(17)cm~(-3),没有氧化膜). 在二区间模型基础上,计入薄氧化膜影响,模拟计算了 MIS SB FET的直流和微波特性,并与常规工艺的 MES FET作了比较. 相似文献