小资料 简讯

<正> 圆柱形无引线电阻器投产 国内第一条圆柱形无引线电阻器生产线,已在河南鹤壁无线电二厂安装完毕,投入生产。该生产线可生产0.25W金属膜或碳膜两种无引线电阻器,产品达到IEC标准。 圆柱形无引线电阻器是片状电阻器的一种,它是国外七十年代发展起来的新型电子元件,由于具有小型化、重量轻、可靠性高等特点,可提高电了产品的组装密度和组装速度,为我国现代电子技术提供新型的电子元件。     

片式电阻器生产增长价格下降小型款式受宠

片式电阻器已成为电阻器市场的主流产品,尽管短期内它还不能取代传统的引线电阻器,但它在电阻器中所占的份额却在急速上升,1996年,日本固定电阻器中片式电阻器已占了86%。厚膜、薄膜、金属膜、金属箔等不同电阻芯子的低阻片式电阻器也纷纷上市。市场对高阻、低阻和高压片式电阻器的需求在扩大,电阻器的尺寸也在不断缩小。继1×0.5mm产品商品化后,0.6×0.3mm款式也已上市,并将进入批量生产。由2、4、8个1005型片式电阻器构成的电阻网络也已有市售产品。目前,制造商已在开发阻值高达10MΩ的1005     

新器件简讯(14)

<正> 电位器、微调电阻器在各种电路中不少见,在表面安装的电子产品中也不例外。本文介绍一组片状多圈精密电位器、片状微调电阻器及超小型微调电阻器,供设计产品及维修时选用。 片状多圈精密电位器 一种片状多圈精密电位器如图1所示。这种电位器为2.5圈,尺寸如图如示。     

金属氧化膜电阻器电阻温度系数的改善

导致金属氧化膜电阻器失效的主要因素是膜层结构变化、电解和接触部分老化。为了减少失效，改善电阻温度系数α，在生产实践中控制工艺参数及关键工序（镀膜、热处理、刻槽、涂漆）的质量，其中重点是镀膜。通过调整镀膜靶材，Ｈ靶：α从大于１５０×１０－６℃－１调整在±６０×１０－６℃－１之内；Ｆ靶：α从大于２００×１０－６℃－１调整在±１２０×１０－６℃－１之内，提高了金属氧化膜电阻器的可靠性。     

电阻器

0014223稳定的特高阻电阻器的研制[刊]/褚国京//电子元件与材料.—2000,19(3).—29～30(C)介绍一种体积小、性能稳定的特高阻电阻器的研制过程及其性能。电阻器阻值范围:1～100GΩ;a_R:(-40～-900)×10~(-5)℃~(-1);体积:5mm×12mm×2mm。0014224成核剂对 HDPE/CB 体系热敏电阻电学性能的影响[刊]/李刚//电子元件与材料.—2000,19(3).—11～12(C)0014225     

稳定的特高阻电阻器的研制

介绍一种体积小、性能稳定的特高阻电阻器的研制过程及其性能。电阻器阻值范围 :1～ 10 0 GΩ ;αR:(- 40～ - 90 0 )× 10 - 6 ℃ - 1 ;体积 :5 mm× 12 mm× 2 mm。     

SMT在摄像机生产中的应用

为实现电子产品的高可靠和小型化,目前仍普遍使用的有引线元器件及其插入式安装方法,已逐渐被片状式元器件(SMC、SMD)和与之适应的表面安装技术(sMT)所代替。在我国SMT装配日益发展,现正经历着由八十年代初期的技术材料设备引进,发展到逐步实现其国产化和不断创新阶段。为了更好地促进国内SMT的技术进步,现将我厂在CCD摄像机生产中SMT应用情况作如下介绍,以供参考。 1 SMT的装配程序我厂生产的CCD5670型摄像机较多地使用了0805封装规格尺寸2×1.25,1206封装规格,尺寸3.2×1.6的LCR(电感—电容—电阻)片状元件     

超小型的陶瓷封装使表面安装振荡器提高了性能指标

MF Electronics公司推出了一种超小型的表面安装陶瓷封装。这种封装可靠性高,能够嵌入具有不同规格的高性能振荡器,如固定频率的时钟振荡器和压控晶体振荡器。该公司设计的T型无引线陶瓷封装,尺寸为5(宽)×7(长)×2(高)mm,与现有的表面安装振荡器的封装尺寸相比,大约只有四分之一。是目前市场上能买到的最小尺寸的封装。     

国外部分片状电子元件的结构和制法

近年来,国外片状电子元件的生产发展迅猛,品种不断扩大,广泛用于各种消费类电子产品中。本文主要介绍日本近期生产的几种无引线薄膜电容器、可变电阻器、电感器、压电谐振器、陶瓷滤波器等片状电子元件的结构、制法和主要性能。     

电动机节能组件

国外一家公司最近制成一种用于电动机节能的混合组件,称为功率逻辑组件,型号为HV-1000.此组件由减震器、电阻器,电容器和节能单片组成,安装在2(2/1)×1(1/1)(英寸)的陶瓷衬底上.当电动机低于额定负     

恒瓦数监控器

恒流和恒压电路是众所周知的。本文给出恒瓦数电路(见图1)。此电路依赖于负载和感测器电压之间的倒数关系。编程电阻器确定所供给的瓦特数。本设计围绕1V考虑。假定负载是100Ω而所希望的恒瓦数是0.01W。调整器关系是1/N×N=1V,即基准电压是1V。在Y的输入电压用N表示。最后所得到的输出是：(1/N+N)V。为了求得编程电阻器,需要知道负载电压1/N,编程电阻器是0.01负载或100Ω。因此A×A×100=0.01W,其中A为0.01(电流),负载电压为100×0.01=1V。编程电阻器电压N为1/1V,即1V。电流是共同的,所以编程电阻器是1V/0.01,或100Ω。在这种…     

采用滴水氧化和三氯乙烯处理方法制备优质厚二氧化硅层

本文叙述了滴水氧化加三氯乙烯处理方法及测量结果。所制备的厚为4000埃的氧化层中氧化层净电荷密度接近或低于1×10~(10)个/cm~2,界面态密度在3×10~(10)个/cm~2.ev左右;可动电荷数低于2×10~(10)个/cm~2。采用本方法基本上抑制了氧化感生堆垜层错的形成。     

PCI型数字欧姆表

PCI型数字欧姆表是上海电表厂的新产品.该产品具有三位十进制读数,可以测量1欧～999千欧的电阻值,准确度为±0.2%,动作速度为每秒3次.PCI型数字欧姆表用国产晶体管制成,其外形尺寸为325×195×365(毫米),重14公斤,由220伏、50赫市电供电,适合于实验室、电阻器件制造厂用来作为测试设     

零部件

大电流片状电阻器 State of the Art公司生产的一种大电流片状电阻器,具有4W(0705)、14W(1206和1010)、30W(2010)、50W(2512)、100W(2525)和200W(3838)多种规格。其终端连接有接地隔离和接地连接两种。这些电阻器具有7种外壳尺     

新器件简讯(17)

<正> 片状陶瓷调谐器 三引出端的片状陶瓷调谐器(内部有负载电容器)可简化印制板设计,扩展频率范围,并提高安装密度。该器件可以采用回流焊。 片状陶瓷调谐器的频率范围为2.0MHz到33.86MHz,精度(25℃)为±05％,度稳定性(—20～+80℃)为±0.3～±0.4％。 该器件的阴抗及相位特性如图1所示,其外形如     

封装与互连

更小型耐用的QFN封装采用16引脚无引线四方扁平(QFN)封装的Gigacomm器件额定温度为-40～+85℃,尺寸为3mm×3mm,比倒装球栅阵列(FCBGA)封装减少44%。QFN的结温为每瓦功耗55℃。ON Semiconductorhttp://www.onsemi.com适应恶劣环境的外壳PN系列外壳外满足NEMA 4x应用而进行了设计和制造,可以抵御潮湿、灰尘和腐蚀性环境。有3.94×3.94×2.17英寸3到7.87×5.91×2.95英寸3的各种尺寸,由淡灰色或透明的聚碳酸酯,或深灰色的ABS塑料制成。配有透明坚固的盖子,采用ABS塑料的外壳适用于室内使用。Bud Industrieshttp://www.budind.com…     

电路元件向极小片状,复合组件发展

在信息通信设备领域，技术正在向高频、高速信号处理及数字化发展，电路元件也朝着与之相应的方向进展。分立元件在适应高密度表面贴装技术的同时，正在向极小片状发展。为了适应整机增强功能的要求，具有多种功能的组件也品种繁多；各公司在适用于多媒体发展的信息通信元件开发方面，也着实下了很大功夫。极小片状元件电阻器、电容器及电感器等电路元件，在信息通信设备中使用的都是片状元件，现在又继续小型化向极小片状元件发展，而且品种不断增多。片状电阻器，其通用厚膜型和高精密级薄膜型的尺寸，都已经达到了１×０．５ｍｍ，进一步…     

表面安装印制板的最后表面处理

1.表面安装技术(SMT) 为满足电子产品朝密集性、高性能发展的趋势,制造用于安装精密元件的小型印制板已十分必要。表面安装技术使这种产品装配趋于高密度成为可能。 表面安装元件引线水平向外伸出,而离散元件的引线是垂直向下伸出,如图1所示。一般说来,用于表面安装的印制板有许多元件粘结盘,叫“片状焊盘”(chip pads)。表面安装元件的引线在这种焊盘上实现焊接。     

片状电感器

<正> 电感器是电子线路中三大无源器件之一。随着表面安装技术的发展,各种片状(贴片式)电感器应运而生。片状电感器是用新型磁性材料、精密薄膜工艺及自动化绕线设备制造的,所以不仅具有极小的尺寸(1μH的体积为1.2×2×0.8mm,1000μH的体积为2.5×3.2×2.5mm),而且还有良好的性能以满足不同工作频率及工作电流的要求。尺寸小的好处是安装密度高,分布电容小。采用自动化设备生产后,片状电感器质量稳定,成本低廉。 片状电感器大部分用于无绳电话、蜂窝电话、汽车电话等高频无线通信设备及高频测试仪器,小部分用于音频—视频设备、计算机软盘驱动器和硬盘驱动器、DC/DC变换器中滤波用的扼流圈等。     

高掺杂沟道GaAs M-I(10~2)-S Schottky势垒栅场效应晶体管(MIS SB FET)

本文首次报道了高掺杂沟道的GaAs MIS SB FET.在S.I.GaAs衬底上用离子注入Si,同时形成高浓度、超薄的有源层和欧姆接触区,载流子峰值浓度为 0.5-1×10~(13)cm~(-3).在Al栅和GaAs有源层间有一层用阳极氧化制备的自身氧化膜,厚度10~2A|°.MIS SB FET为双栅器件,栅尺寸 2 × 400 μm. 实验所得 MIS SB FET的夹断电压为4V,零栅偏跨导为 25mS,高于本实验室相似结构常规工艺的 MES FET器件(峰值浓度1-2×10~(17)cm~(-3),没有氧化膜). 在二区间模型基础上,计入薄氧化膜影响,模拟计算了 MIS SB FET的直流和微波特性,并与常规工艺的 MES FET作了比较.