微硅型光机电系统集成化技术中的金属布线

针对微硅型光机电系统集成化技术中电路和金属布线与硅微各向导性深腐蚀工艺之间的不相容问题，从寻求一种电路和金属布线保护层的思想出发，提出了用ＳｉＯ２／Ｃｒ复合膜作电路和布线保护膜的新工艺方法。解决了微硅型光机电系统集成技术中长期存在的电路和布线中的关键技术。     

厚膜多层电路的布线设计

<正> 前言以半导体芯片为主体的微组装技术使电路的集成度大大提高,并且使电路功能更为复杂与完善。厚膜多层电路是微组装技木中一种主要的电路形式,应用广泛。布线设计是多层电路试制与生产的关键工序,有必要研究实用的布线技术,加快试制和生产的进程,提高电路性能。本文主要从实用的观点     

二向不等距网格上的通道区布线及其实体化

本文讨论了在硅栅或铝栅MOS 电路工艺中,利用单层金属布线完成自动布线时所存在的二向不等距网格上的布线问题,提出了解决的方法并给出了实际应用的结果,结果表明,在绝大部分情况中,可在不影响布线精度的前提下令人满意地解决上述问题.     

扭摆式微硅型加速度计

本文介绍了一种扭摆式微硅型加速度计的工作原理，制作方法和测试电路。     

低噪音放大器(LNA)多层板设计

介绍了低噪音放大器电路的多芯片技术设计与工艺分析.详细介绍了低噪音放大器多层布线版图以及每层的工艺实现步骤;通过对低噪音放大器电路的多层结构的设计与工艺实现,可以知道多层布线的发展是使电路小型化的一种途径,逐步提高电路的微型化的设计与制造的技术,最终实现电路微集成化的工作.     

埋置型多层布线技术中的光刻工艺研究

埋置型薄膜多层布线与其它多层布线技术相比有更高的集成度。本文讨论了埋置型薄膜多层布线基板的制备在光刻工艺中的技术问题及解决措施。并成功地在埋置型双层混合电路中进行了应用。     

硅基有机发光微显示像素驱动电路设计

由于微型显示像素面积的限制,硅基有机发光微显示像素驱动电路需要实现足够小的驱动电流.文章提出的三管电压控制型像素驱动电路与常规的采用电流镜电路的电流控制型像素驱动电路都能实现微显示所需的小电流驱动.利用Synopsys公司的H-spice软件对两种电路仿真比较,发现电流控制型电路具有线性灰度和较宽的有效灰度范围,但是通过调整电压控制型电路中与OLED并联的晶体管的宽长比,即可使其有效灰度范围与电流控制型电路可比.同时也发现电流控制型电路的功耗是电压控制型电路的4倍以上,且电路形式较复杂,工艺要求较高.所以三管电压控制型电路更适合于硅基有机发光微显示驱动电路.     

LCoS平板微显示驱动技术研究

研究了硅基液晶(LCoS)微显示驱动电路的制备工艺、电路设计、版图绘制以及显示功能测试.采用化学机械抛光(CMP)工艺实现硅片表面平坦化方案,满足了LCoS微显示对表面平整度的要求;合理布设两层金属布线,巧妙实现遮光作用;利用剥离的方法制备Ag反射电极,解决了Ag工艺与标准CMOS集成电路工艺的兼容问题;在硅基片上制作出U形PAD,通过导电胶与公共电极ITO相接.电路设计中采用了对台阶电平计数的办法实现DA转换的功能,既降低了电路设计难度,又方便测试过程中对灰度电平的调整.制备出LCoS微显示驱动面板,实现了QVGA分辨率、16级灰度LCoS、帧频50 HZ的视频显示.     

双层金属布线硅栅CMOS门阵列电路制造工艺技术研究

采用双层金属布线可以提高集成电路的集成密度、集成度和速度。本文报道了双层金属布线工艺技术成功地应用于制造标准3μm硅栅CMOS 500门、1200门、2000门多种门阵列专用大规模集成电路。本文对双层金属布线硅栅CMOS门阵列电路制造工艺技术的几个关键技术问题进行讨论。     

高性能的频率合成器Q3036电路

Ｑ３０３６是美国Ｑｕａｌｃｏｍｍ公司推出的单片高性能频率合成器集成电路，工作电压为５Ｖ，工作频率从ＵＨＦ段到Ｌ波段，采用双层多晶硅层金属布线氧化物隔离硅双极工艺技术制作，广泛用于通讯，雷达，仪器仪表等领域。本文介绍了该电路的原理，主要电参数和性能特点。     

第六届红外光电子材料科学和材料特性会议

1.计算光机电学及其在微机电垂直腔表面发射激光 器中的应用(Sergey E.Lyshevski)2.用于光学应用的空间毫微结构型硅(Dmitri I.Ko- valev等)3.红外探测器技术的竞争性(Antoni Rogalski)4.基于用分子束外延生长的碲镉汞层的红外光电探 测器(Vladimk V.Vasilyev等)     

集成微系统概念和内涵的形成及其架构技术

介绍了集成微系统概念与内涵的发展历程,从小型智能化和频谱开发两个方面总结了集成微系统技术的重要应用,分析了国内外集成微系统架构技术的研究进展。最后,简单介绍了高压高频光机电异构集成微系统技术,这是集成微系统中起点高、难度大、富有特色的一个重要研究方向。     

埋置型薄膜多层布线技术研究

埋置型薄膜多层布线基板与其它多层布线基板相比有更高的集成度。本文讨论了埋置型薄膜多层布线基板制造工艺中的技术问题及解决措施。并成功地在埋置双层混合电路中进行了应用。     

金属—氧化物—半导体集成电路(四)

七、互补型金属-氧化物-半导体电路互补电路在许多方面都同单极电路不同。较为熟悉的 P 型沟道晶体管是在 N 型硅中扩散P~ 源和漏区。在互补型金属氧化物半导体电路中是以两个串联的晶体管——一个 P 型沟道,另一个 N 型沟道构成基本单元。制作互补型金属氧化物半导体器件虽然也用 N 型硅,但是除了扩散 P 型沟道晶体管的 P~ 源和漏区之外,还必需为 N 型沟道晶体管扩散作为衬底的大 P     

硅基微显示芯片综述

增强现实技术是元宇宙重要的人机交互平台,其中光学成像部件和微显示屏是成像质量的关键。目前有5种微显示器件：硅基液晶、硅基OLED、硅基micro LED、digital light processing(DLP)、激光扫描振镜。将着重介绍不同微显示屏的组成结构、工艺流程、硅基驱动方式、发展现状及面临的挑战。在硅基驱动部分,将从像素驱动的不同电路和不同驱动电路的优缺点入手,分析不同显示技术在硅基部分的设计和指标挑战。对目前不同技术所能达到的指标进行汇总比较。讨论硅基背板的设计关注点和发展趋势。最后,对不同微显示芯片的应用场景和发展进行讨论。     

硅基多层布线集成组装技术

本文叙述了多芯片组件和多层布线集成组装技术的研究和进展，介绍了硅基多层布线集成组装技术的特点和设计考虑，扼要地叙述了硅基多层布线的制造工艺，并讨论了工艺中所出现的问题。     

硅基多层布线集成组装技术

本文叙述了多芯片组件和多层布线集成组装技术的研究和进展,介绍了硅基多层布线集成组装技术的特点和设计考虑,扼要地叙述了硅基多层布线的制造工艺,并讨论了工艺中所出现的问题。     

等平面铝阳极氧化在LSI双层布线中的应用

集成电路芯片上各元件之间的互连接线,是经过蒸发以形成覆盖芯片表面氧化物的金属膜,再通过刻蚀形成的。对中小规模集成电路来说,由于元件少,连线简单,只需要单层布线。随着集成电路向大规模、高集成度和微细尺寸的发展,为避免集成电路中各元件间连线交叉重迭和迂回曲折,双层乃至多层金属布线便成为一项必不可少的工艺手段。由于采用多层布线技术,必然在集成电路表面形成金属连线和绝缘层的多层立体几何结构。若仍采用常规刻蚀工艺,势必由于表面凹凸不平使连线断裂或接触不良,导致电路失效。因此,如何制备平坦连续的表面,便成为双层布线的一个关     

IBM公司的超密度双极芯片

IBM公司在纽约州的East Fishkill工厂生产出了一种高速、双极逻辑芯片,这是目前计算机工业所报导的一种密度最高的芯片。该芯片象征着芯片技术的一次突破。它包含了11000多个电路,密度相当于半导体工业中其它芯片的两倍以上。该芯片采用了四层金属布线,这在半导体工业上还是第一次,而一般都只用了两层或三层布线。由于采用四层金属布线,在相同的空间范围里,电路设计者能够塞进通常的两倍以上的电路。该芯片的设计和制造都是在IBM公司的East Fishkill半导体和封装工厂的现有生产线上进行的。     

间距为0.5μm的铜布线工艺技术

ＮＥＣ开发了为制作未来高速、高可靠性ＬＳＩ所需的 0 5 μｍ间距的Ｃｕ布线新技术。Ｃｕ布线与原铝合金布线相比 ,电阻低、可大电流流经。所以可应用于采用微细布线的高速ＬＳＩ制作中。因此 ,采用如下技术制作了采用Ｃｕ的世界最小间距的微细布线、触点等。首先 ,为使布线间距极窄化 ,开发了使布线和接触孔不错位的单元自对准布线工艺。采用此工艺技术制作了无由错位而产生的不合理间隙 ,布线宽为 0 2 5 μｍ ,布线间隙为 0 5 μｍ的自对准Ｃｕ布线。同时 ,由于Ｃｕ在ＳｉＯ2 膜及硅中的扩散速度快 ,所以在ＳｉＯ2 及硅和Ｃｕ之间需要…