p－GeSi／n＋－Si异质结电光调制器

文章介绍了硅基光电子器件——ｐ－ＧｅＳｉ／ｎ＋－Ｓｉ异质结电光调制器的初步试验研究之后，给出了所研制调制器的调制深度为９０％时的调制电流约１８０ｍＡ。为了进一步减小调制电流和提高调制频率，提出了一些改进措施     

复合多晶硅双极晶体管DC—3Gh／s LD／EA驱动器

本文介绍了一种新型LD／EA驱动器。该驱动 器采用四个塑封NPN多晶硅双极晶体管和一个常规硅双极晶体管作为有源器件，可以在25Ω负载上产生50mA的调制电流用于直接驱动激光器或在50Ω负载上产生2．5V的调制电压用于驱动EA调制器。该驱动器的工作速率为DC至3Gh/s，调制电流和偏置电流调节范围分别为5－50mA,上升、下降时间小于100ps。     

Si电光调制器与GeSi／Si异质结探测器的集成

提出了一种调制器与探测器集成的方案。它是在＜１００＞ｎ＾＋－Ｓｉ衬底上用外延、两次扩散等常规工艺先制作Ｓｉ脊表波导光调制器，接着在调制器光输出端的波导上用分子束外延和反应离子刻蚀制作ｐ－Ｇｅ０．６Ｓｉ０．４／ｐ－Ｓｉ探测器。     

铁电液晶空间光调制器氢化非晶硅薄膜 p—i—n光敏层的研究

描述了氢化非晶硅／铁电液晶空间光调制器的结构和工作原理，并从器件的电学模型出发，着重讨论了整体器件对光敏层的特性要求，对ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜ｐ－ｉ－ｎ光敏层的制作和光电特性进行了研究。     

GexSi1—x／Si脊形波导Mach—Zehnder干涉型调制器的优化分析与设计

在研制成功ＧｅＳｉ合金单模脊形波导事，进一步用这种波导研制Ｍａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ调制器。文中对调制器设计中的三个步骤进行了优化，分析并且讨论了结构不对称性和有源区载流子吸收效应的影响，为研制工作奠定了基础。     

几种掺杂浓度的GaAs表面Si—δ杂结构研究

本文利用了光调制光谱，原位测量了ＧａＡｓ（００１）表面Ｓｉ－δ掺杂结构样品，研究了不同要浓度对Ｓｉ－δ掺杂相关的光谱结构的影响，观察到了Ｓｉ－δ掺杂结构中，价带连续态到导带半Ｖ－形势阱中子带的跃迁，观察到该跃迁相随掺杂浓度增加先向高能移动，而后达到饱和。     

捷洛德 中国PAL—D系统S550M—C型调制器

１概述捷洛德Ｓ５５０Ｍ－Ｃ型机是一种高品质频敏音频／视频电视信号调制器，具有前面板信道频率选择功能，机内声表面波滤波器提供优良的残留边带特性曲线。该机能工作在外接的６．５ＭＨｚ伴音载频。Ｓ５５０Ｍ－Ｃ型调制器，在３８ＭＨｚ中频载频上调制视频基带（负极...     

磁控溅射a—Si／Ni多层膜的研究

利用超高真空多靶磁控溅射设备制备ａ－Ｓｉ／Ｎｉ多层膜，经ＸＰＳ和Ｒａｍａｎ谱的分析研究表明；在所取工艺条件下制备的ａ－Ｓｉ／Ｎｉ我层膜为周期性的成份调制结构，以特殊的表面电极结构，讨论了ａ－Ｓｉ／Ｎｉ多层膜的横向光电效应与周期结构参数的关系。     

GaAs表面Si—δ掺杂的调制光谱研究

本文利用光调制光谱与分子束外延结合的方法，原位测量ＧａＡｓ（００１）表面Ｓｉ－δ掺杂结构样品，排除了ＦＫ振荡对Ｓｉ－δ掺杂相关的光谱结构的影响，观察到Ｓｉ－δ掺杂结构中价带连续态到导带半Ｖ－形势阱中子带的跃迁及带间跃迁相对于纯ＧａＡｓ带间跃迁的红移。     

UPS—600VA不间断电源几个关键技术的处理

本文主要介绍了采用ＳＰＷＭ调制方法，用模拟集成控制器ＴＬ４９４作脉宽调制器件，ＶＭＯＳＦＥＴ做为变换主开关器件研制ＵＰＳ－６００ＶＡ不间断电源中几个关键技术的处理。     

Ge—SiO2光纤中光纤布喇格光栅的折射率结构

本文将Ｇｅ－ＳｉＯ２光纤中秀导色心的密度性能与在相同光纤中写入的光纤布喇格光栅（ＦＢＧ）相关联的折射率调制性能进行了比较。发现，光诱导出的ＧｅＥ色心与注量的关系、它的热退火性能以及它与Ｈ２的相互作用都与填Ｈ２和未填Ｈ２Ｇｅ－ＳｉＯ２光纤中形成的折射率调制性能相类似。填Ｈ２Ｇｅ－ＳｉＯ２光纤具有更强的光敏性，这是由于填Ｈ２Ｇｅ－ＳｉＯ２光纤中ＧｅＥ’色心形成效率更高的缘故，ＧｅＨ具有附加的贡献。此外     

GeSi/Si Mach-Zehnder干涉型调制器的研制

基于ＧｅＳｉ合金的等离子体色散效应,研制了一种Ｍａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ干涉型调制器,通过对其损耗和调制特征的测试得到：调制器对１．３μｍ光的插入损耗为６．５ｄＢ,最大调制深度达８５％,相应的π相移调制民压为０．９Ｖ,关断电流和调制区的注入电流密度分别为４０ｍＡ和０．９７ｋＡ／ｃｍ＾２。     

a——Si：H CCD的转移特性分析

本文从ａ－Ｓｉ：Ｈ的材料特性出发，采用更为精确的ａ－Ｓｉ：Ｈ带隙态分布模型计算了ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的转移特性，得出了ａ－Ｓｉ：Ｈ材料参数对ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的动态性影响的数值分析结果，理论结果表明，ａ－Ｓｉ：Ｈ材料带隙中局域态分布对ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的转移特性有非常大的影响，而且在高频下，ａ－Ｓｉ：Ｈ中的带尾态对ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ转移特性的影响比深局域态要大。     

氢化非晶硅pin二极管型光寻址空间光调制器的研制

报道了用氢化非晶硅（α－Ｓｉ：Ｈ）ｐｉｎ二极管作光敏层，扭曲向列型液晶（ＴＮＬＣ）作电光调制层的光寻址空间光调制器（ＯＡＳＬＭ）的设计、制作与性能测试．结果表明制得的（ＯＡＳＬＭ）分辨率大于２０ｌｐ／ｍｍ；在３００ｌｕｘ白光写入时对比度高于２５：１；白光写入灵敏度约３ｌｕｘ。     

IJF－OQPSK数字调制器

无符号间干扰和抖动－交错正交相移键控（ＩＦＪ－ＯＱＰＳＫ）是现代数字调制技术中的一种新的调制方式。在介绍一种新型集成调制芯片的基础上，给出实现ＩＪＦ－ＯＱＰＳＫ调制器的具体电路。     

a—SiFET电流—电压特性研究

本文对ａ－ＳｉＦＥＴ的电流－电压特性的理论研究提出一种新的方法。其不需要引入ａ－Ｓｉ隙态密度分布的具体假设假设模型，采用合理的数学方法，推导出ａ－ＳｉＦＥＴ电流－电压关系的解析表达式，对ａ－ＳｉＦＥＴ电流－电压特性进行合理的解释。并且理论分析结果与实验结果能很好符合，为ａ－ＳｉＦＥＴ的理论分析开辟了一条新途径。     

∑—△调制噪声整形的研究

介绍∑－△调制器的基本结构，分析∑－△调制技术对噪声进行整形的基本原理及过采样率、∑－△调制器的级数对整形效果的影响，从中获得了一些有用的结论。     

nc—Si：H／c—Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析

采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，在Ｎ型单晶硅（ｃ－Ｓｉ）衬底上沉积薄层纳米Ｓｉ（ｎｃ－Ｓｉ）膜，并进而制备了ｎｓ－Ｓｉ：Ｈ／ｃ－Ｓｉ量子点二极管。在１０￣１００Ｋ温度范围内实验研究了该结构的σ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性。结果指出，当反身偏压为－７￣－９Ｖ时，无论在σ－Ｖ还是在Ｉ－Ｖ特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶，此起因于在ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜中具有无序排布且粒长大小不一的Ｓｉ微晶粒子，由于微晶粒子中能级的量     

铁电液晶空间光调制器氢化非晶硅薄膜p－i－n光敏层的研究

描述了氢化非晶硅／铁电液晶空间光调制器的结构和工作原理，并从器件的电学模型出发，着重讨论了整体器件对光敏层的特性要求，对ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜ｐ－ｉ－ｎ光敏层的制作和光电特性进行了研究     

Zn0.65Cd0.35Se—ZnSe量子阱自电光效应器件的制备和电光调制

利用ＭＯＣＶＤ技术和光电子器件工艺成功制备了Ｐ－ｉ－ｎ结构的Ｐ－ＺｎＳｅ－（Ｚｎ０．６５Ｃｄ０．３５Ｓｅ－ＺｎＳｅＭＱＷ）－ｎ－ＺｎＳｅ自电光效应器件。在这种自由光效应器中，在反向偏置电压下了由量子限制斯塔克效引起的电光调制。