QFN元件焊接揍地失效研究

随着电子产品的多功能小体积发展趋势,电子元件、材料也随之变革,芯片的封装技术也得到了历史性的发展。传统的SOIC＆TSOP封装也在向着QFN（Quad FlatNo—lead Package,方形扁平无引脚封装）迈进,QFN技术由于底部中央有大暴露焊盘被焊接到PCB的散热焊盘上,使得QFN具有极佳的电和热性能;无引脚焊盘设计可以使其占有更小的PCB面积;非常低的阻抗、自感可满足高速或者微波的应用。基于以上QFN的封装特点,其可制造性及可靠性的要求也越来越高,特别是QFN元件在用于PWM控制线路时,因其焊盘设计的独特性,焊接的难点主要出现在Vin、SW、PGnd相互短路的问题上。为了提高其可制造良率,结合QFN的封装结构特点,本文根据其组装后接地失效的案例,进行分析,以寻找解决方法,从而提升整机的焊接良率及OATL。     

QFN封装芯片切割分离技术及工艺应用

总结当前QFN封装芯片切割分离方式的优缺点,从QFN封装器件材料特性出发,提出一种砂轮切割技术,并通过QFN芯片切割实验,探索能有效抑制铜材料特有毛刺发生的工艺条件。     

QFN组装中的若干问题研究

QFN（QuadFiatNon—leaded）是无引线扁平封装,在电子行业中已使用了很多年,但是由于QFN封装设计的不统一性,电子电气要求的特殊性,目前很多公司对于此元器件的组装仍然存在问题,本文通过实际组装的案例分析总结出QFN的焊接原理,探讨QFN封装设计和组装过程中需要遵守的标准。     

QFN封装元件组装工艺技术的研究

QFN(Quad Flat No-lead Package,方形扁平无引线封装)是一种焊盘尺寸小、体积小、以塑料作为密封材料的新兴的表面贴装芯片封装技术。由于底部中央的大暴露焊盘被焊接到PCB的散热焊盘上,使得QFN具有极佳的电和热性能。QFN封装尺寸较小,有许多专门的焊接注意事项。本文介绍了QFN的特点、分类、工艺要点和返修。     

QFN器件组装工艺缺陷的分析与解决

介绍了QFN封装器件的优点,指出了QFN器件常见的组装工艺缺陷类型,分析了QFN器件组装工艺缺陷形成的原因,给出了改善这些工艺缺陷的措施,对组装过程中QFN工艺缺陷的分析与解决有一定的实用意义.     

QFN封装元件组装工艺技术研究

QFN（Quad Flat No-leaad Package，方形扁平无引脚封装）是一种焊盘尺寸小、体积小、以塑料作为密封材料的新兴的表面贴装芯片封装技术。由于底部中央有暴露的焊盘，该焊盘将被焊接到PCB的散热焊盘上，这使得QFN具有极佳的电热性能。因为QFN封装尺寸较小，所以有许多专门的焊接注意事项，这里中介绍了QFN的特点、分类、工艺要点和返修方法。     

QFN器件的组装工艺

QFN器件的侧面若未形成良好的焊点,则无法通过目视检查判断其焊接的质量问题,并且QFN组装技术目前没有统一标准规范,为后期出现组装缺陷埋下隐患.针对上述问题,通过分析印制板焊盘及钢网设计对后期组装具有影响的主要因素,拟定工艺试验方案,设计试验样件,进行工艺试验.试验结果表明,通过对QFN器件焊盘设计以及钢网开孔设计技术...     

QFN焊盘设计及工艺组装

随着电子产品向更轻、更薄、更小、高密度化和高可靠性的发展,QFN（方形扁平无引脚）封装由于具有良好的电和热性能、体积小、质量轻,在电子产品中被越来越广泛的推广和应用。文章对QFN器件的焊盘设计,网板设计及组装工艺作了详细的介绍。     

QFN封装元件的板级组装和可靠性研究

近两年来，QFN封装(Quad flat No—lead方形扁平无引脚封装)由于其良好的电和热性能，得到了快速的推广和应用。采用微型引线框架的QFN封装称为MLF封装(Micro Lead Frame——微引线框架)。全球最大微电子制造商之一的Amkor公司，已经销售MLF封装的IC超过1亿只。因此人们迫切希望了解有关QFN的焊盘设计、装配工艺以及板级可靠性设计和工艺等方面的技术问题。由于QFN封装没有焊球，元件与PCB的电气连接是通过印刷焊膏到PCB上，然后贴片和进行回流焊完成的。为了形成可靠的焊点，需要特别注意焊盘的设计，同样．由于这种元件底部有大面积焊盘，其表面贴装工艺很复杂，要求进行合适的模板设计、焊膏印刷，以及回流焊曲线设置。本文对上述各方面要求和影响进行探讨，对PCB焊盘设计、表面组装工艺以及板级组装的可靠性作了详细地介绍。     

一种DSCPDFN双面冷却封装结构

传统封装结构以引脚或者底部外露散热片为途径,将热量从芯片运送到PCB板,保证芯片正常运转,这种方式一般称之为单面散热。随着半导体器件高功率密度越来越大,对器件的工作环境和封装的散热能力提出了严苛的要求。因此,多面散热的结构受到广泛关注。多面散热一般指的是除了固有的PCB散热面,在其他的面也有高效的导热通道,达到热交换目的以降低芯片工作温度。在传统封装产品系列中,四侧无引脚扁平封装（QFN）封装由于其良好的散热特性以及电学特性深受功率器件市场的青睐,但是面对越来越高的功率密度带来的热管理问题,其局限性也越来越突出。因此,本文提出了一种双面散热QFN封装结构,并采用有限元仿真分析方法,对比了该结构与传统QFN封装在电和热方面差异,得出结论：该结构提升了QFN结构的电和热管理能力。     

QFN封装元件组装工艺技术研究

QFN是一种焊盘尺寸小、体积小、以塑料作为密封材料的新兴的表面贴装芯片封装技术。由于底部中央的大暴露焊盘被焊接到PCB的散热焊盘上,这使得QFN具有极佳的电和热性能。QFN封装尺寸较小,有许多专门的焊接注意事项。介绍了QFN的特点、分类、工艺要点和返修。     

QFN封装元件组装工艺技术的研究

QFN(Quad Flat No-lead Package,方形扁平无引脚封装)是一种焊盘尺寸小、体积小、 以塑料作为密封材料的新兴表面贴装芯片封装技术。由于底部中央大暴露焊盘被焊接到PCB的散热焊 盘上,这使得QFN具有极佳的电和热性能。QFN封装尺寸较小,有许多专门的焊接注意事项。文章 介绍了QFN的特点、分类、工艺要点和返修。     

自主知识产权产品LIP封装

为解决QFN成本较高的问题和进一步提高产品可靠性,华天科技突破了传统思想的束缚,在产品结构的设计上进行了创新。引脚在封装本体内式封装(LIP:Lead In Package)是一种新型的封装形式,它是针对目前QFN(Quad Flat No-lead)在封装高成本问题而重新选择的设计方案。     

JF04F18型SMD管壳微波设计

作为微波电子元器件的重要组成部分,封装外壳不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用,而且还是沟通芯片内部与外部电路的桥梁。随着微电子技术的发展,SMD外壳在微波器件封装上应用越来越广泛,文章以某GaAs单片封装用SMD外壳的微波设计为例,简要介绍了其设计思路与过程。通过仿真数据与实测对比得到结论,合理使用HFSS对封装外壳进行设计,可以有效提高微波管壳的研制效率。     

汽车电子封装趋势,考量及生产的特殊性

汽车电子是半导体行业成长较快的领域。安全、舒适、互联,和个性化是未来十年成长的主要动力。可靠性和性价比优势使支架封装仍占主导,而其它封装,如PBGA、堆叠式芯片尺寸封装(SCSP),和晶圆级封装(WLP)等,也正得到启用。MLF誖(QFN)应用广泛,具有很好的热电性能和设计灵活性。类似凹槽侧面可湿性焊点技术的创新,让MLF誖这种传统封装更具吸引力。更多传感器和MEMS用于汽车应用,封装形式主要为MLF誖,LGA和"凹槽MEMS"。资讯娱乐系统需要采用更多类型的封装形式。汽车电子封装生产所涉及的供应商管理、可靠性测试等因素必须与严格的汽车标准保持一致。     

Thermal cycling reliability of SnAgCu and SnPb solder joints: A comparison for several IC-packages

This paper deals with a comparison study between SnPb and SnAgCu solder joint reliability. The comparison is based on non-linear finite element modelling. Three packages have been selected: silicon CSP, underfilled flip chip and QFN package. Also the effect of thermal cycling conditions has been investigated. Comparing the induced inelastic strains in the solder joint, the lead-free SnAgCu generally scores better thanks to the lower creep strain rate. On the other hand for the CSP and flip chip package, SnAgCu scores worse for the more extreme loading conditions when the inelastic dissipated energy density is selected as damage parameter. The main reason is that due to the lower creep strain rate, the stresses become higher for SnAgCu resulting in higher hysteresis loops with more dissipated energy per cycle. For the QFN package, SnAgCu scores much better.     

一种雷达微波接收机电路的集成化设计与实现

文章叙述了实现雷达接收机立体微波集成电路的基板及焊接工艺,研制了一种针对多通道雷达接收机的接收集成电路.提出了芯片电路设计,多层基板实现,以及芯片封装等实现方法.测试结果表明,电路达到了预期的设计目标.该集成电路的实现,提高了雷达整机的集成化水平.     

Modular, device-scale, direct-chip-attach packaging formicrosystems

A pressing challenge to the commercial implementation of prototype microsystems is the reduction of package size and cost. To decrease package size, a process was developed for the fabrication of high-aspect-ratio, through-wafer interconnect structures. These interconnects permit device-scale packaging of microsystems and are compatible with modern surface mount technology such as flip chip assembly. To minimize package cost, a modular wafer-level silicon packaging architecture was devised. Low temperature bonding methods were used to join package components, permitting integration of driving circuitry on the microsystem die. The reconfigurable architecture allows standard package components to serve a wide variety of applications     

Correlation of flip chip underfill process parameters and materialproperties with in-process stress generation

Electronic packaging designs are moving toward fewer levels of packaging to enable miniaturization and to increase performance of electronic products. One such package design is flip chip on board (FCOB). In this method, the chip is attached face down directly to a printed wiring board (PWB). Since the package is comprised of dissimilar materials, the mechanical integrity of the flip chip during assembly and operation becomes an issue due to the coefficient of thermal expansion (CTE) mismatch between the chip, PWB, and interconnect materials. To overcome this problem, a rigid encapsulant (underfill) is introduced between the chip and the substrate. This reduces the effective CTE mismatch and reduces the effective stresses experienced by the solder interconnects. The presence of the underfill significantly improves long term reliability. The underfill material, however, does introduce a high level of mechanical stress in the silicon die. The stress in the assembly is a function of the assembly process, the underfill material, and the underfill cure process. Therefore, selection and processing of underfill material is critical to achieving the desired performance and reliability. The effect of underfill material on the mechanical stress induced in a flip chip assembly during cure was presented in previous publications. This paper studies the effect of the cure parameters on a selected commercial underfill and correlates these properties with the stress induced in flip chip assemblies during processing